【技术实现步骤摘要】
一种新型硅片厚度测量工具
本技术涉及硅片加工检测设备
，具体涉及一种新型硅片厚度测量工具。
技术介绍
在半导体硅片的生产工艺中，涡电流测量法是最常用的确认硅片厚度的方法，但不适用于湿法工艺。湿法工艺常用接触式测量来确定硅片厚度，但这样的测量法往往会损伤硅片表面，造成良率下降，对成本带来极大的压力。
技术实现思路
本技术主要解决现有技术中存在易损伤硅片表面的不足，提供了一种新型硅片厚度测量工具，其具有结构简单、操作方便和运行稳定性好的特点。有效避免损伤硅片表面，无需手动按压，避免裂片产生。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种新型硅片厚度测量工具，包括测量壳体，所述的测量壳体上端设有激光测距组件，所述的测量壳体内设有测量槽，所述的测量槽下端设有激光接收传输器，所述的测量槽两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸，所述的限位气缸与测量槽间设有与限位气缸呈一体化连接固定的固定板。所述的激光测距组件包括激光支架，所述的激光支架一侧下端与测量槽间设有激光头安装板，所述的激光头...
【技术保护点】
1.一种新型硅片厚度测量工具，其特征在于：包括测量壳体（1），所述的测量壳体（1）上端设有激光测距组件（2），所述的测量壳体（1）内设有测量槽（13），所述的测量槽（13）下端设有激光接收传输器（16），所述的测量槽（13）两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸（17），所述的限位气缸（17）与测量槽（13）间设有与限位气缸（17）呈一体化连接固定的固定板（18）；所述的激光测距组件（2）包括激光支架（9），所述的激光支架（9）一侧下端与测量槽（13）间设有激光头安装板（11），所述的激光头安装板（11）上设有一对位于测量槽（13）前后两侧的激光头（12），所述的激光头安装...
【技术特征摘要】
1.一种新型硅片厚度测量工具，其特征在于：包括测量壳体（1），所述的测量壳体（1）上端设有激光测距组件（2），所述的测量壳体（1）内设有测量槽（13），所述的测量槽（13）下端设有激光接收传输器（16），所述的测量槽（13）两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸（17），所述的限位气缸（17）与测量槽（13）间设有与限位气缸（17）呈一体化连接固定的固定板（18）；所述的激光测距组件（2）包括激光支架（9），所述的激光支架（9）一侧下端与测量槽（13）间设有激光头安装板（11），所述的激光头安装板（11）上设有一对位于测量槽（13）前后两侧的激光头（12），所述的激光头安装板（11）与激光支架（9）间设有激光高度调节气缸（10）。
2.根据权利要求1所述的一种新型硅片厚度测量工具，其特征在于：所述的激光支架（9）另一侧下端与测量壳体（1）间设有激光支柱（7），所述的激光支柱（7）与激光支架（9）间设有轴承旋转盘（8）。
3.根据权利要求1所述的一种新型硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈福林，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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