一种新型硅片厚度测量工具制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型硅片厚度测量工具，所属硅片加工检测设备技术领域，包括测量壳体，所述的测量壳体上端设有激光测距组件，所述的测量壳体内设有测量槽，所述的测量槽下端设有激光接收传输器，所述的测量槽两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸，所述的限位气缸与测量槽间设有与限位气缸呈一体化连接固定的固定板。所述的激光测距组件包括激光支架，所述的激光支架一侧下端与测量槽间设有激光头安装板，所述的激光头安装板上设有一对位于测量槽前后两侧的激光头，所述的激光头安装板与激光支架间设有激光高度调节气缸。具有结构简单、操作方便和运行稳定性好的特点。有效避免损伤硅片表面，无需手动按压，避免裂片产生。

【技术实现步骤摘要】
一种新型硅片厚度测量工具
本技术涉及硅片加工检测设备
，具体涉及一种新型硅片厚度测量工具。
技术介绍
在半导体硅片的生产工艺中，涡电流测量法是最常用的确认硅片厚度的方法，但不适用于湿法工艺。湿法工艺常用接触式测量来确定硅片厚度，但这样的测量法往往会损伤硅片表面，造成良率下降，对成本带来极大的压力。
技术实现思路
本技术主要解决现有技术中存在易损伤硅片表面的不足，提供了一种新型硅片厚度测量工具，其具有结构简单、操作方便和运行稳定性好的特点。有效避免损伤硅片表面，无需手动按压，避免裂片产生。本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种新型硅片厚度测量工具，包括测量壳体，所述的测量壳体上端设有激光测距组件，所述的测量壳体内设有测量槽，所述的测量槽下端设有激光接收传输器，所述的测量槽两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸，所述的限位气缸与测量槽间设有与限位气缸呈一体化连接固定的固定板。所述的激光测距组件包括激光支架，所述的激光支架一侧下端与测量槽间设有激光头安装板，所述的激光头安装板上设有一对位于测量槽前后两侧的激光头，所述的激光头安装板与激光支架间设有激光高度调节气缸。作为优选，所述的激光支架另一侧下端与测量壳体间设有激光支柱，所述的激光支柱与激光支架间设有轴承旋转盘。作为优选，所述的测量槽一侧边设有吹气管，所述的吹气管下部设有与吹气管相管路连通的进气管，所述的进气管上设有与进气管相螺纹式嵌套连接的电磁阀，所述的测量槽另一侧边设有与吹气管相连通的排尘网。作为优选，所述的电磁阀气压最大不超过0.2MPa。作为优选，所述的测量壳体端面设有与测量壳体相卡嵌式插接的数显屏，所述的数显屏与激光接收传输器间设有数据传输线。作为优选，所述的固定板的材质为聚四氟乙烯。作为优选，所述的激光头前端与测量槽间的测量距离为1mm。本技术能够达到如下效果：本技术提供了一种新型硅片厚度测量工具，与现有技术相比较，具有结构简单、操作方便和运行稳定性好的特点。有效避免损伤硅片表面，无需手动按压，避免裂片产生。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是本技术的结构剖视图。图中：测量壳体1，激光测距组件2，数显屏3，吹气管4，电磁阀5，进气管6，激光支柱7，轴承旋转盘8，激光支架9，激光高度调节气缸10，激光头安装板11，激光头12，测量槽13，排尘网14，数据传输线15，激光接收传输器16，限位气缸17，固定板18。具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本技术的技术方案作进一步具体的说明。实施例：如图1和图2所示，一种新型硅片厚度测量工具，包括测量壳体1，测量壳体1上端设有激光测距组件2，测量壳体1内设有测量槽13，测量槽13下端设有激光接收传输器16，测量壳体1端面设有与测量壳体1相卡嵌式插接的数显屏3，数显屏3与激光接收传输器16间设有数据传输线15。测量槽13两侧端均设有4个呈阵列式分布的限位气缸17，限位气缸17与测量槽13间设有与限位气缸17呈一体化连接固定的固定板18。固定板18的材质为聚四氟乙烯。测量槽13一侧边设有吹气管4，吹气管4下部设有与吹气管4相管路连通的进气管6，进气管6上设有与进气管6相螺纹式嵌套连接的电磁阀5，电磁阀5气压最大不超过0.2MPa。测量槽13另一侧边设有与吹气管4相连通的排尘网14。激光测距组件2包括激光支架9，激光支架9一侧下端与测量槽13间设有激光头安装板11，激光头安装板11上设有一对位于测量槽13前后两侧的激光头12，激光头12前端与测量槽13间的测量距离为1mm。激光头安装板11与激光支架9间设有激光高度调节气缸10。激光支架9另一侧下端与测量壳体1间设有激光支柱7，激光支柱7与激光支架9间设有轴承旋转盘8。综上所述，该新型硅片厚度测量工具，具有结构简单、操作方便和运行稳定性好的特点。有效避免损伤硅片表面，无需手动按压，避免裂片产生。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范实施例的细节，而且在不背离技术的基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。总之，以上所述仅为本技术的具体实施例，但本技术的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本技术的专利范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型硅片厚度测量工具，其特征在于：包括测量壳体（1），所述的测量壳体（1）上端设有激光测距组件（2），所述的测量壳体（1）内设有测量槽（13），所述的测量槽（13）下端设有激光接收传输器（16），所述的测量槽（13）两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸（17），所述的限位气缸（17）与测量槽（13）间设有与限位气缸（17）呈一体化连接固定的固定板（18）；所述的激光测距组件（2）包括激光支架（9），所述的激光支架（9）一侧下端与测量槽（13）间设有激光头安装板（11），所述的激光头安装板（11）上设有一对位于测量槽（13）前后两侧的激光头（12），所述的激光头安装板（11）与激光支架（9）间设有激光高度调节气缸（10）。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型硅片厚度测量工具，其特征在于：包括测量壳体（1），所述的测量壳体（1）上端设有激光测距组件（2），所述的测量壳体（1）内设有测量槽（13），所述的测量槽（13）下端设有激光接收传输器（16），所述的测量槽（13）两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸（17），所述的限位气缸（17）与测量槽（13）间设有与限位气缸（17）呈一体化连接固定的固定板（18）；所述的激光测距组件（2）包括激光支架（9），所述的激光支架（9）一侧下端与测量槽（13）间设有激光头安装板（11），所述的激光头安装板（11）上设有一对位于测量槽（13）前后两侧的激光头（12），所述的激光头安装板（11）与激光支架（9）间设有激光高度调节气缸（10）。


2.根据权利要求1所述的一种新型硅片厚度测量工具，其特征在于：所述的激光支架（9）另一侧下端与测量壳体（1）间设有激光支柱（7），所述的激光支柱（7）与激光支架（9）间设有轴承旋转盘（8）。


3.根据权利要求1所述的一种新型硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈福林，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33