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本实用新型涉及一种新型硅片厚度测量工具,所属硅片加工检测设备技术领域,包括测量壳体,所述的测量壳体上端设有激光测距组件,所述的测量壳体内设有测量槽,所述的测量槽下端设有激光接收传输器,所述的测量槽两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸,所述...该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种新型硅片厚度测量工具,所属硅片加工检测设备技术领域,包括测量壳体,所述的测量壳体上端设有激光测距组件,所述的测量壳体内设有测量槽,所述的测量槽下端设有激光接收传输器,所述的测量槽两侧端均设有若干呈阵列式分布的限位气缸,所述...