【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光器件制备方法及发光显示设备
本专利技术属于显示
,具体涉及一种发光器件、发光器件制备方法及发光显示设备。
技术介绍
相较于正置有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)器件,倒置OLED器件能够使得迁移率性能较佳的n型薄膜晶体管应用于有源矩阵有机发光二极管面板(Active-matrixorganiclight-emittingdiode,AMOLED)的像素电路中。然而,在使用倒置OLED器件时,倒置OLED器件的工作性能相较于正置OLED器件可能会有所降低。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种发光器件、发光器件制备方法及发光显示设备,通过对倒置的发光器件的微腔结构进行改进,可以确保倒置的发光器件在使用时的工作性能。本专利技术实施例的第一方面,提供一种发光器件(100),包括:基板(1);反射阴极层(22),所述反射阴极层(22)设置于所述基板(1)的一侧;透明阴极层(3),所述透明阴极层(3)设置于所述反射阴极层(22)远离所 ...
【技术保护点】
1.一种发光器件(100),其特征在于,包括:/n基板(1);/n反射阴极层(22),所述反射阴极层(22)设置于所述基板(1)的一侧;/n透明阴极层(3),所述透明阴极层(3)设置于所述反射阴极层(22)远离所述基板(1)的一侧;/n发光层(5),所述发光层(5)设置于所述透明阴极层(3)远离所述反射阴极层(22)的一侧;/n阳极层(61),所述阳极层(61)设置于所述发光层(5)远离所述透明阴极层(3)的一侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光器件(100),其特征在于,包括:
基板(1);
反射阴极层(22),所述反射阴极层(22)设置于所述基板(1)的一侧;
透明阴极层(3),所述透明阴极层(3)设置于所述反射阴极层(22)远离所述基板(1)的一侧;
发光层(5),所述发光层(5)设置于所述透明阴极层(3)远离所述反射阴极层(22)的一侧;
阳极层(61),所述阳极层(61)设置于所述发光层(5)远离所述透明阴极层(3)的一侧。
2.根据权利要求1所述的发光器件(100),其特征在于,所述透明阴极层(3)的厚度为n为正整数,λ为所述发光器件(100)所发出的对应颜色的光的波长。
3.根据权利要求2所述的发光器件(100),其特征在于,所述透明阴极层(3)的厚度为
4.根据权利要求1所述的发光器件(100),其特征在于,所述发光层(5)包括第一辅助发光层(51)、发光材料层(52)和第二辅助发光层(53);
所述第一辅助发光层(51)设置于所述透明阴极层(3)远离所述反射阴极层(22)的一侧;
所述发光材料层(52)设置于所述第一辅助发光层(51)远离所述透明阴极层(3)的一侧;
所述第二辅助发光层(53)设置于所述发光材料层(52)远离所述第一辅助发光层(51)的一侧;
所述阳极层(61)设置于所述第二辅助发光层(53)远离所述发光材料层...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘俊伟,颜志敏,苏圣勋,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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