基于C60纳米棒/ZnO量子点的高灵敏度光电探测器的构筑方法技术

技术编号:27883914 阅读:32 留言:0更新日期:2021-03-31 01:35
本发明专利技术涉及一种基于C60纳米棒/ZnO量子点的高灵敏度光电探测器的构筑方法,通过改进的溶液界面分子自组装过程合成制备高质量C

【技术实现步骤摘要】
基于C60纳米棒/ZnO量子点的高灵敏度光电探测器的构筑方法
本专利技术属于光电探测器领域,具体涉及一种对蓝紫光响应显著的基于C60纳米棒/ZnO量子点的高灵敏度光电探测器的构筑方法。
技术介绍
具有可调带隙和宽光吸收范围的基于C60材料的纳米结构被认为是很有潜力的用来构筑紫外/可见光探测器的材料。一维C60纳米结构(纳米线和纳米棒)展示出依赖于其直径的吸光特征,C60纳米线/纳米棒的最大吸光波长范围为330nm~690nm,这为可见光光电纳米器件提供了广阔的前景。由于与原始C60相比,具有合适直径的N型C60纳米线/纳米棒由于具有很好的可见光吸收和更高的迁移率而提供了潜在的更好的光电响应,因此有望通过复合C60纳米线/纳米棒和其他半导体纳米材料,形成半导体异质结以构筑高性能的可见光探测器。同时,基于一维结构C60纳米材料不仅可以用低成本的溶液法制备,而且还可以添加到包括柔性基底的任意基底上,而这些对于传统的III-V族元素的半导体而言是很困难的。目前,基于一维结构C60纳米材料的光电探测器有很多种形式。有研究人员将N型的一维结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于C

【技术特征摘要】
1.一种基于C60纳米棒/ZnO量子点的高灵敏度光电探测器的构筑方法,其特征在于,通过优化的溶液界面分子自组装过程合成制备高质量C60纳米棒,以旋涂或滴涂的方式让其均匀分布在任意衬底上并引入原子层沉积制备得到的ZnO量子点以加强整个光活性层的吸光能力和光电转换效率,制备成C60纳米棒/ZnO量子点的高灵敏度光电探测器,包括如下步骤:
1)将C60粉末溶于氯苯中,使C60粉末的氯苯溶液浓度范围为0.7~1.3mg/mL,并超声分散处理8~12分钟,得溶液A;
2)将异丙醇经滴管缓慢、均匀滴加到经步骤1)处理的溶液A中,得棕色沉淀物,滴加完毕后静置1~2分钟得悬浊液,随后,离心收集沉淀,并用异丙醇离心洗样2~3次,将洗样完毕的棕色沉淀物分散在异丙醇中保存,得C60纳米棒悬浊液,即得分散在异丙醇中的C60纳米棒;
3)将步骤2)中的C60纳米棒悬浊液旋涂或滴涂在任意洁净衬底上,得样品,其中,所述的衬底至少包括硅片和玻璃等刚性衬底中的一种,或者至少包括PDMS和PET的柔性衬底;所述的旋涂是用旋涂机,转速为800~2000转/秒;
4)将步骤3)中所得样品放在25~50℃热板上烘干3~5分钟,得烘干样品;
5)将步骤4)中所述烘干样品放入原子层沉积系统腔体内,当腔体真空升温至350~450℃;二乙基锌升温至120~135℃后,按照Zn源沉积1次和O源沉积1次...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔大祥蔡葆昉王丹
申请(专利权)人:上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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