一种点状残留改善方法技术

一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便，可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明专利技术中晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；在保证BT Step刻蚀速率的前提下，调整BT Step Gap（穿通刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）与ME Step Gap（主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）一致，避免上电极往下运动过程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，从而改善Poly（多晶硅）点状残留，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种点状残留改善方法
本专利技术涉及一种半导体制造技术分立器件制造
,尤其涉及一种点状残留改善方法。
技术介绍
Gap为机台上电极到下电极之间的距离，为改善刻蚀均匀性及便于传送，Lam4420为可活动Gap。刻蚀多晶硅主要先稳定机台Gap及反应气体，腔体通入反应气体（CF4，HBr,Cl2），启动RF，将反应气体离子化，等离子体与刻蚀介质反应，再通过蝶阀变化角度控制腔体压力，对硅片进行物理轰击及化学反应，有选择的去除我们需要去除的区域多晶刻蚀通常主要包含BT步、ME步、OE步三个主要刻蚀步骤。这使得在不同的刻蚀步骤中能对各向异性刻蚀和选择比进行优化(1)BT:预刻蚀步，主要使用CF4气体去除Poly表面自然氧化层；(2)ME(主刻蚀):主刻蚀步，主要使用HBr、Cl2及He混合气体刻蚀掉wafer表面大部分的多晶硅，此步刻蚀要求高选择比、高速率、高均匀性，HBr+Cl2的组合具有高选择比、高速率特性，通过优化机台Gap达到好的均匀性，此时Gap为0.9cm；(3)OE:过刻蚀步，主要使用HBr、Cl2，用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种点状残留改善方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）、晶圆在Gap初始状态下传入反应腔；/n2）、预刻蚀：晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W 功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；/n3）、预刻蚀结束后，运行主刻蚀和过刻蚀，完成多晶硅的刻蚀；/n4）、步骤3）完成后，Gap恢复至初始状态，传出Wafer，完成作业。/n

【技术特征摘要】
1.一种点状残留改善方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）、晶圆在Gap初始状态下传入反应腔；
2）、预刻蚀：晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊亚男，朱光源，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32