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一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便,可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后,Gap调整稳定至0.9cm;腔体内压力保持在650mt...该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。
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一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便,可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后,Gap调整稳定至0.9cm;腔体内压力保持在650mt...