一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，包括如下步骤，步骤S1：将陶瓷所需的固体材料混合，加水后进行粉碎研磨，步骤S2：将研磨后的材料静置，自然干燥成粉饼，然后通过研磨机研磨成粉，得到陶瓷粉剂，步骤S3：将S2中获得的陶瓷粉剂混入粘合剂，混合成备用料，步骤S4：将备用料通过粉体冷压成型制成胚体，步骤S5：然后将成型样品放入多等级烘烤装置进行热压烧结，炉内温度依次200‑600℃，600‑1000℃和1000‑1600℃，步骤S6：在烧制成型后，通过自然风冷方式冷却，封装完成，通过将成型样品放入多等级烘烤装置进行热压烧结，随着温度的逐级升高，能够保证坯料烘烤时质地发生变化后，层次分明，保证坯料成型效果更好，保证陶瓷粉体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺
本专利技术涉及芯片封装
，具体为一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺。
技术介绍
安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用；低温烧结陶瓷材料可与比电阻较小的银或铜等低熔点金属材料共烧成，因此可形成高频特性优良的多层陶瓷基板，例如多用作为信息通信终端上的高频模块用基板材料，作为低温烧结陶瓷材料，通常是将B2O3-SiO2系玻璃材料混入Al2O3等陶瓷材料中的所谓的玻璃陶瓷复合系。在这个体系中，由于起始原料必需用比较高价的玻璃，并且含有在烧成时易挥发的硼元素，因此得到的基板的组成容易不均；现有的烧结工艺中，只能通过单一温度的烘烤装置实现对陶瓷的烧结，在使用时，坯料在成型时，短时间，坯型温度急速升高，坯料成型效果不佳，影响产品质量。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，其特征在于，包括如下步骤；/n步骤S1：将陶瓷所需的固体材料混合，加水后进行粉碎研磨；/n步骤S2：将研磨后的材料静置，自然干燥成粉饼，然后通过研磨机研磨成粉，使用筛网进行筛分，颗粒细度达到300-400目，得到陶瓷粉剂；/n步骤S3：将S2中获得的陶瓷粉剂混入粘合剂，混合成备用料；/n步骤S4：将备用料通过粉体冷压成型制成胚体；/n步骤S5：然后将成型样品放入多等级烘烤装置进行热压烧结，炉内温度依次200-600℃，600-1000℃和1000-1600℃。/n步骤S6：在烧制成型后，通过自然风冷方式冷却，封装完成。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，其特征在于，包括如下步骤；
步骤S1：将陶瓷所需的固体材料混合，加水后进行粉碎研磨；
步骤S2：将研磨后的材料静置，自然干燥成粉饼，然后通过研磨机研磨成粉，使用筛网进行筛分，颗粒细度达到300-400目，得到陶瓷粉剂；
步骤S3：将S2中获得的陶瓷粉剂混入粘合剂，混合成备用料；
步骤S4：将备用料通过粉体冷压成型制成胚体；
步骤S5：然后将成型样品放入多等级烘烤装置进行热压烧结，炉内温度依次200-600℃，600-1000℃和1000-1600℃。
步骤S6：在烧制成型后，通过自然风冷方式冷却，封装完成。


2.根据权利要求1所述的用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，其特征在于，所述S1中，陶瓷材料包括Mg2B2O5粉末、SiO2、TiO2和陶土，以质量比10：2：1：15混合，粉碎研磨采用锆球砂磨。


3.根据权利要求2所述的用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，其特征在于，所述步骤S4中成型方式选择钢模冷压成型方式。


4.根据权利要求2所述的用于芯片封装键合低温陶瓷烧结粉体工艺，其特征在于，所述步骤S2中多等级烘烤装置包括：固定架(1)、旋转电机(2)、烘烤炉(3)、旋转杆(4)、烧结箱(5)、风冷结构(6)和引流结构(7)，所述固定架(1)的底部中心位置安装有旋转电机(2)，所述旋转电机(2)的转轴上安装有旋转杆(4)，所述旋转杆(4)的转轴上配合安装有烧结箱(5)，所述固定架(1)的顶侧呈等三角位置安装有三个烘烤炉(3)，所述烧结箱(5)的一侧通过铰链安...

【专利技术属性】
技术研发人员：高燕凌，董金勇，
申请(专利权)人：中铭瓷苏州纳米粉体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32