一种背光基板以及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种背光基板以及显示面板。该背光基板包括：衬底基板；至少一个薄膜晶体管，薄膜晶体管位于衬底基板的一侧，其中薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；至少一个LED芯片，LED芯片位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，其中，LED芯片包括第一电极和第二电极；绝缘设置的第一金属层和第二金属层，位于衬底基板和LED芯片之间，LED芯片的第一电极和薄膜晶体管的漏极连接，薄膜晶体管的源极与第一金属层连接缘；LED芯片的第二电极与第二金属层连接；第一金属层的厚度大于或等于1微米，且小于或等于20微米，和/或，第二金属层的厚度大于或等于1微米，且小于或等于20微米。本发明专利技术实施例提供的技术方案以降低背光基板的电源功耗。提供的技术方案以降低背光基板的电源功耗。提供的技术方案以降低背光基板的电源功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种背光基板以及显示面板


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种背光基板以及显示面板。

技术介绍

[0002]液晶显示技术作为一种非自发光的显示技术，需要借助背光基板来实现显示功能。
[0003]现有技术中采用带有发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的背光基板为液晶显示面板提供背光源，但是为发光二极管的第一电极和第二电极提供电源信号的信号线的电阻过大，使得背光基板的电源功耗过大。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种背光基板以及显示面板，以降低背光基板的电源功耗。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种背光基板，包括：
[0006]衬底基板；
[0007]至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的一侧，其中所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
[0008]至少一个LED芯片，所述LED芯片位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧，其中，所述LED芯片包括第一电极和第二电极，所述LED芯片包括 mini
‑
LED芯片或者micro
‑
LED芯片；
[0009]绝缘设置的第一金属层和第二金属层，位于所述衬底基板和所述LED芯片之间，且所述第一金属层和所述第二金属层位于所述薄膜晶体管的两侧，或者所述第一金属层和所述第二金属层位于所述薄膜晶体管的同侧，所述LED芯片的第一电极和所述薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所述第一金属层连接，且与所述第二金属层绝缘；所述LED芯片的第二电极与所述第二金属层连接，且与所述第一金属层绝缘；其中，所述第一金属层接入第一电源信号，所述第二金属层接入第二电源信号，且所述第一金属层的厚度大于或等于1微米，且小于或等于20微米，和/或，所述第二金属层的厚度大于或等于1 微米，且小于或等于20微米。
[0010]可选的，所述背光基板还包括保护层和焊盘层；
[0011]所述保护层覆盖所述薄膜晶体管；
[0012]所述焊盘层设置有至少一对连接焊盘，其中所述连接焊盘包括第一连接焊盘和第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述第二连接焊盘与所述第二金属层连接，所述LED芯片的第一电极与所述第一连接焊盘连接，所述LED芯片的第二电极与所述第二连接焊盘连接。
[0013]可选的，所述第一金属层和/或所述第二金属层与所述焊盘层同层设置，且材料相同。
[0014]可选的，所述背光基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层；
[0015]所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层；
[0016]所述薄膜晶体管包括所述栅极、层间绝缘层、有源层、所述源极和所述漏极，其中所述栅极位于衬底基板的一侧，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层位于所述层间绝缘层远离所述衬底基板一侧的表面，所述源极覆盖所述有源层的第一部分，所述漏极覆盖所述有源层的第二部分，所述有源层的第一部分和所述有源层的第二部分互相无交叠。
[0017]可选的，所述第一金属层和所述第二金属层位于所述薄膜晶体管的同侧，且所述第一金属层和所述第二金属层同层设置，且材料相同，所述第一绝缘层复用为所述第二绝缘层。
[0018]可选的，所述第一绝缘层包括依次层叠设置的薄膜绝缘层和平坦化层，所述第二绝缘层包括薄膜绝缘层和平坦化层。
[0019]可选的，所述第一金属层和所述第二金属层包括铝，所述第一绝缘层的薄膜绝缘层为氧化铝；
[0020]或者，所述第一金属层和所述第二金属层包括铜。
[0021]可选的，所述第一金属层和所述第二金属层非同层设置，所述第一金属层的图形化结构为互相垂直的条形金属组成的网格；所述第二金属层的图形化结构为互相垂直的条形金属组成的网格，且所述第一金属层与所述第二金属层中互相平行的条形金属在所述衬底基板的投影无交叠；
[0022]或者，所述第一金属层为整面金属层；所述第二金属层的图形化结构为互相垂直的条形金属组成的网格；
[0023]或者，所述第一金属层为整面金属层；所述第二金属层为整面金属层，且设置有阵列排布的镂空结构；
[0024]或者所述第一金属层为整面金属层，且设置有阵列排布的镂空结构；所述第二金属层为整面金属层，且设置有阵列排布的镂空结构，所述第一金属层的镂空结构在所述衬底基板的投影和所述第二金属层的镂空结构在所述衬底基板的投影无交叠。
[0025]可选的，所述第一金属层和所述第二金属层同层设置，所述第一金属层在所述衬底基板的投影和所述第二金属层在所述衬底基板的投影无交叠。
[0026]第二方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：
[0027]背光基板，所述背光基板如第一方面任意所述的LED背光基板；
[0028]以及液晶显示模组，所述背光基板用于为所述液晶显示模组提供背光源。
[0029]本实施例提供的技术方案，将第一金属层和/或第二金属层的厚度设置在大于或等于1微米，且小于或等于20微米的范围内，增大了第一金属层和/或第二金属层的横截面积，降低了第一金属层和/或第二金属层的电阻，其中，第一电源信号依次通过第一金属层和薄膜晶体管的漏极传递给LED芯片的第一电极，第二电源信号通过第二金属层传递给LED芯片的第二电极，以使LED芯片在第一电源信号和第二电源信号的作用下发光，进而为显示面板提供背光源，上述技术方案，降低了第一金属层和/或第二金属层的电阻，减少了第一金属层和/或第二金属层产生的焦耳热，有利于背光基板的快速散热，且降低了背光基板的电源功耗。此外，由于第一金属层和/或第二金属层的电阻减少了，进而第一金属层和/或第二金属层的压降降低，从而提高了背光基板的发光均匀性。
附图说明
[0030]图1为现有技术中的一种背光基板的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术实施例提供的一种背光基板的结构示意图；
[0032]图3为本专利技术实施例提供的另一种背光基板的结构示意图；
[0033]图4为本专利技术实施例提供的又一种背光基板的结构示意图；
[0034]图5为本专利技术实施例提供的又一种背光基板的结构示意图；
[0035]图6为本专利技术实施例提供的又一种背光基板的结构示意图；
[0036]图7为本专利技术实施例提供的又一种背光基板的结构示意图；
[0037]图8为本专利技术实施例提供的一种第一金属层和第二金属层的结构示意图；
[0038]图9为本专利技术实施例提供的另一种第一金属层和第二金属层的结构示意图；
[0039]图10为本专利技术实施例提供的又一种第一金属层和第二金属层的结构示意图；
[0040]图11为本专利技术实施例提供的又一种第一金属层和第二金属层的结构示意图；
[0041]图12为本专利技术实施例提供的又一种第一金属层和第二金属层的结构示意图。
具体实施方式
[0042]下面结合附图并通过具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背光基板，其特征在于，包括：衬底基板；至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底基板的一侧，其中所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；至少一个LED芯片，所述LED芯片位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧，其中，所述LED芯片包括第一电极和第二电极，所述LED芯片包括mini
‑
LED芯片或者micro
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LED芯片；绝缘设置的第一金属层和第二金属层，位于所述衬底基板和所述LED芯片之间，且所述第一金属层和所述第二金属层位于所述薄膜晶体管的两侧，或者所述第一金属层和所述第二金属层位于所述薄膜晶体管的同侧，所述LED芯片的第一电极和所述薄膜晶体管的漏极连接，所述薄膜晶体管的源极与所述第一金属层连接，且与所述第二金属层绝缘；所述LED芯片的第二电极与所述第二金属层连接，且与所述第一金属层绝缘；其中，所述第一金属层接入第一电源信号，所述第二金属层接入第二电源信号，且所述第一金属层的厚度大于或等于1微米，且小于或等于20微米，和/或，所述第二金属层的厚度大于或等于1微米，且小于或等于20微米。2.根据权利要求1所述的背光基板，其特征在于，所述背光基板还包括保护层和焊盘层；所述保护层覆盖所述薄膜晶体管；所述焊盘层设置有至少一对连接焊盘，其中所述连接焊盘包括第一连接焊盘和第二连接焊盘，所述第一连接焊盘与所述薄膜晶体管的漏极连接，所述第二连接焊盘与所述第二金属层连接，所述LED芯片的第一电极与所述第一连接焊盘连接，所述LED芯片的第二电极与所述第二连接焊盘连接。3.根据权利要求2所述的背光基板，其特征在于，所述第一金属层和/或所述第二金属层与所述焊盘层同层设置，且材料相同。4.根据权利要求1所述的背光基板，其特征在于，所述背光基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层，所述第二绝缘层覆盖所述第二金属层；所述薄膜晶体管包括所述栅极、层间绝缘层、有源层、所述源极和所述漏极，其中所述栅极位于衬底基板的一侧，所述层间绝缘层覆盖所述栅极，所述有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，周雷，陈禧，李民，徐华，邹建华，陶洪，王磊，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：