磁场发生器和MRI装置制造方法及图纸

技术编号:2783248 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术着眼于实现用于让使用Hcj相对小的永磁体的磁场发生器的温度特性是可逆的温度控制方法、使用Hcj相对小的永磁体而温度特性是可逆的磁场发生器以及装备有这种磁场发生器的MRI装置,提供一种用于控制磁场发生器温度的方法,该磁场发生器具有一对盘形永磁体和磁轭,所述盘形永磁体极性彼此相反的磁极彼此相对且具有在其之间限定的间隔,所述磁轭为永磁体磁通量形成返回通道,包括这些步骤:温度从室温升高到高于室温的温度,保持该高于室温的温度,温度从高于室温的温度降到室温,因此使永磁体的温度特性是可逆的。

Magnetic field generator and MRI device

The present invention focuses on the implementation for the temperature characteristics of the magnetic field of the permanent magnet generator to make use of a relatively small Hcj is reversible temperature control method, using Hcj relatively small permanent magnet and temperature characteristics of MRI reversible magnetic field generator and device equipped with the magnetic field generator, provides a method for controlling the temperature of the magnetic field generator. The magnetic field generator has a pair of disc type permanent magnet and magnetic yoke, the disc shaped permanent magnet polarity opposite poles facing each other and having restricted in the interval between the magnetic yoke for permanent magnet flux return channel, comprising the steps of: the temperature from room temperature to above room temperature. Keep the temperature higher than room temperature, the temperature above room temperature, therefore the temperature characteristic of permanent magnet is reversible.

【技术实现步骤摘要】
热控制方法、磁场发生器和画體战术领塌本专利技术涉及一种热控制方法、磁场发生器和MRI(磁^成銜^g,更具 体地涉及一种控制永磁体型磁场发生器的温度的方法、永磁体型磁场发生器和 提條这种磁场发生器的画驢。MRI装置在由磁场发生器产生的磁场下获得磁共振信号并基于磁共振信 号重建图像。作为磁场发生器的一,置,公知的是^ffi永磁体。在这种磁场 发生器中使用一对盘形永磁体,其极性彼此相反的磁极彼此相对并具有在其之 间限定的间隔。作为7lc磁体,采用由Nd-Fe^B合金,即钕磁体构成的磁体。磁场发生器的磁场 贼基于永磁m^特性根据周围驢而变化。因此, 在其 显度升高到高于室温的状态下使用磁场发生器,以itkii免室M化的影响 (参见,例如,专利文献l)。日本未审的专利公开号No.2000—287950永磁体的BH曲线随,而变化。例如,如图8(a)所示,由线性曲线Ll 在温度T1给出的BH曲线导致了线性曲线L2在温度T2 (>T1)向下平fi^动。 这种变化是可逆的,并且如果温度回到Tl则BH曲线恢复到线性曲线Ll 。然而,BH曲线在鹏T2顿部分非线性的,如虚线L3标明的。当永磁 体的操作点P方爐在这种非线性区域时,即使驢恢复到T1, BH曲线也不回 到线性曲线Ll。这是因为在温度T2的操作BH曲线导致了线性曲线L4进一 步向下平行移动,如虚线L4标明的。在另一方面,当7JC磁体的操作点P體在线性区域L21时,即使BH曲线 在Mit T2具有如图8(b)戶麻的非线性区L22,如果鹏回到Tl则BH曲线恢复到线性曲线L1。艮卩,当操作点放在BH曲线的缘性区域时,永磁体的^M寺 性是可逆的,而当操作点放在BH曲线糊險性区域时, ^特性表现为不可逆的。根据去磁作用确定永磁体的操作点。去磁作用越小,操作点越高(M量 密度越高)。去磁作用越大,操作点越低( 量密,低)。由于操作点变高 (去磁作用变小),很容易驗线性区域中。由于操作点变低(去磁作用变大), 很容易驗非线性区域中。Hcb/Br和Hcj大的磁##线性区域小(这样线性区駄)。Hcb/Br和Hcj 小的磁^桐幾性区默(这样线性区域小)。它们将分别在图9(a)和图9(b)中示 出。在两个图中,具有斜率的曲线对应BH曲线,而没有斜率的曲线对应JH 曲线。另外,Hcb表示关于鹏量密度B的顽磁性,Br表礴除磁性,而Hcj 表示关于磁化J的顽磁性。由于当Hcb/Br大时Hcj也大,下面典由Hcj {拨 Hcb/Br。可tMiiM顿Hcj大的磁体以使鹏特性是可逆的。然而,因为它含有对 应于稀有元素的镝,因此这种磁体变f辦别贵。在另一方面,Hcj小的磁体因 为它不含有镝而相对赫劇介。因此,本专利技术的问题是实5鹏于^^ffl Hcj小的永磁体的磁场发生器的温 度特性可逆的热控制方法,mg特性可逆的、i顿Hcj小的永磁体的磁场发 生器,以及装备这种磁场发生器的MRI體。根据本专利技术涉及的一个方面,皿控制方法是一种用于控制磁场发生器温度的方法,该磁场发生器具有一对 永磁体,其极性彼此相反的磁极彼此相 对并具有在其之间限定的间隔,以及为永磁WI量形成返回通道的磁轭,包括这些步骤温度从室温升高到高于室温的温度,保持该高于室温的温度,温度从高于室温的温度降到室温,以及使永磁体的温度特性是可逆的。因此有可能实现倒顿Hcj小的永磁体的磁场发生器的驗特性可逆的热控制方法。根据本专利技术涉及的另一个方面,磁场发生器是一种包括一m^永磁体和 磁轭的磁场发生器,所述盘形永磁体的极性彼此相反的磁极彼此相对并具有在 其之间限定的间隔,戶,磁轭为永磁 通量形成返回通道,其中每一个永磁 体包括去磁作用相对大的第1分,其由Hcj相对大的磁#^才料构成,和去磁 作用相对小的第二部分,其由Hcj相对小的磁做才料构成。因此有可能实现使 <顿Hcj小的永磁体的磁场发生器的^g特性可逆的磁场发生器。根据本专利技术涉及的又一个方面,MRI,是一种包括一种磁场发生器MRI装置、磁轭、梯度磁场线圈和rf线圈磁场发生器,戶;M磁场发生器包括一对盘形永磁体,其极性彼此相反的磁极彼此相对并具有在其之间限定的间隔,所 述磁轭为永磁Wl量形成返回ffiii,梯度磁场线圈以及RF线亂其中永磁 体的每一賴括去磁作用相对大的第一部分,其由Hcj相对大的磁^t才料构成, 和去磁作用相对小的第二部分,其由Hcj相对小的磁##料构成。因此有可能 实现一种MRI装置,该MRI體装储舰Hcj小的永磁体、鹏寺性是可 逆的磁场发生器。 闺1]附图说明图1是示出实1^专利技术的最佳模式的一个例子的MRI體的结构图。 ,2]图2是示出磁场发生器结构的图。 [图3〗图3是示出永磁体的BH曲线的图。 闺4]图4是示出热控制过程的图。 图5是示出了《鹏制的进一胃细过程的一^f列子的图。 ,6]图6是示出永磁m极面上的^l量密度分布和磁场^贼分布的图。 ,7]图7是示出永磁体结构的图。闺8]图8示出永磁体的BH曲线的图。 闺9]图9示出7乂磁体的BH曲线的图。 [具体实施方式]在下文将参照附图详细地解释实现本专利技术的最佳模式。另外,本专利技术不限 于实现本专利技术的最佳模式。图1示出MRI ^S的结构图。本装置是实现本发 明的最佳模式的一个例子。根据本驢的结构示出涉及MRI装置的实现本发 明的最佳模式的一个例子。如图1戶标,本,具有磁场发生器100。磁场发生器100具有主磁场磁 体单元102、梯度线圈单元106和RF (射频)线圈单元108。主磁场磁,元102、梯度线圈单元106和RF线圈单元108中的粗可一 个包括彼此相对且其间具有间隔的舰的一对。进一步,它们中的樹可一个具 有基本上的盘形并方燈鹏中心轴^WW。 ^^梯度线圈单元106是本专利技术 亍顿的梯度磁场线圈的一个例子。針RF线圈单元108是本专利技术i顿的RF 线圈的一个例子。目标1置于磁场发生器100的附L中的平台500上并被,職出。平台 500由平台驱动器120驱动。每个主磁场磁脾元102在磁场发生器100的内孔中形成静态磁场。静态 磁场的方向近似与目标1的懒由方向正交。艮P,齡主磁场磁脾元102形成 所谓的垂直磁场。采用永磁,成^h主磁场磁,元102。梯度线圈单元106产^H个梯度磁场用于分别产生静态磁场的强度,以便 在三个彼此垂直的轴,即切片轴(slice axis)、相位轴和频辨由的方向上具有梯 度或斜率。每个梯度线圈单元106具有与三个梯度磁场关联的未示出的3系统 的梯度线圈。每一个RF线圈单元108鄉用于激发在目标1体内的自旋的RF脉冲谢 频脉冲)至聯态磁场空间。进一步,RF线圈单元108在其中接收产生所激发 的自旋的磁共振信号。RF线圈单元108可由同样的线圈或分立的线圈执行发射和接收。梯度驱动器130连接妾U梯度线圈单元106。梯度驱动器130为每一个梯度 线圏单元106掛共驱动信号以产生梯度磁场。梯度驱动器130具有在梯度线圏 单元106中与3系统梯度线圈关联的未示出的3系统驱动扭各。RF驱动器140与RF线圈单元108连接。RF驱动器140为每一个RF线 圈单元108提供驱动信号以发射RF脉冲,因此激发目标1体内的自旋。薩采鮮元150与每一个RF线圈单元108连接。,采集单元150通 过采样来接收或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制磁场发生器的温度的方法,该磁场发生器具有一对盘形永磁体,其极性彼此相反的磁极彼此相对且其间具有限定的间隔,以及为永磁体的磁通量形成返回通道的磁轭,包括这些步骤:将温度从室温升高到高于室温的温度;保持该高于室温的温 度;将温度从高于室温的温度降到室温;以及使永磁体的温度特性是可逆的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谭凤顺沈伟俊华夷和刘亮
申请(专利权)人:GE医疗系统环球技术有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利