一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法技术

本发明专利技术公开了一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，包括以下步骤：A：将硅光电倍增管放置于测试台上电路板上，电路板上设有用于决定硅光电倍增管位置的定位块，硅光电倍增管的导电端与电路板上的导电片紧密接触；B：通过高压电缆将高电压输入到硅光电倍增管电压加载电极，并且通过同轴电缆与硅光电倍增管的阳极引出端连接。本发明专利技术通过具备操作简单，利于对输入电压进行控制，利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，测试精准度高的优点，解决了现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据分析的问题。不利于测试数据分析的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法


[0001]本专利技术涉及硅光电倍增管测试
，具体为一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法。

技术介绍

[0002]光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件，光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中，它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200～1200纳米的极微弱辐射功率，闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围，激光检测仪器的发展与采用光电倍增管作为有效接收器密切有关，电视电影的发射和图像传送也离不开光电倍增管，光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。
[0003]现有的硅光电倍增管测试方法操作繁琐，不利于对输入电压进行控制，不利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，使得测试精准度低，不利于测试数据的分析。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，具备操作简单，利于对输入电压进行控制，利于采集光电倍增管输出的不同强度的脉冲信号，测试精准度高的优点，解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，其特征在于包括以下步骤：A：将硅光电倍增管放置于测试台上电路板上，电路板上设有用于决定硅光电倍增管位置的定位块，硅光电倍增管的导电端与电路板上的导电片紧密接触；B：通过高压电缆将高电压输入到硅光电倍增管电压加载电极，并且通过同轴电缆与硅光电倍增管的阳极引出端连接，接收硅光电倍增管输出的脉冲信号，高压电缆与分压器电连接；C：硅光电倍增管的极间电压可按前极区，中间区和末极区加以区分，前极区的收集电压最高，使倍增极有高收集率和大次极发射系数，中间级区的各级间具有均匀分布的极间电压，以使管子给出的增益，由于末极区各极，特别是末极区取大电流，避免形成空间电荷效应而使管子失去应有的直线性；D：硅光电倍增管通过工装安装在密闭箱体内，箱体安装有光源系统，箱体通过光纤与箱体连接，向箱体中导入测试用的脉冲光，照射到硅光电倍增管的光电阴极，硅光电倍增管输出与光脉冲一一对应的周期性不同强度的脉冲信号；E：电路板电路与ADC采集卡电连接，硅光电倍增管生成的电流信号通过整形放大后直接由高速ADC采集卡采集，ADC采集卡将采集的数据传输给计算机，计算机可以控制信号采集的开始与停止，并离线分析储存数据。2.根据权利要求1所述的一种硅光电倍增管定位测试平台基测试方法，其特征在于：所述步骤A中电路板上定位块的数量为四个，分别位于硅光电倍增管的左右两侧和前后两侧。3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：董宽，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：