热敏电阻及热敏电阻的制造方法技术

一种热敏电阻，具备：热敏电阻基体(11)、形成于热敏电阻基体(11)的表面的保护膜(20)及分别形成于热敏电阻基体(11)的两端部的电极部，其中，保护膜(20)由硅氧化物构成，观察热敏电阻基体(11)与保护膜(20)的接合界面的结果，所观察到的剥离部(21)的长度L与观察视场中的接合界面的长度L0之比L/L0为0.16以下。为0.16以下。为0.16以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热敏电阻及热敏电阻的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种在热敏电阻基体的表面形成有保护膜的热敏电阻及热敏电阻的制造方法。
[0002]本申请主张基于2018年8月23日在日本申请的专利申请2018
‑
156647号、2019年8月5日在日本申请的专利申请2019
‑
143817号及2019年8月5日在日本申请的专利申请2019
‑
143890号的优先权，并将其内容援用在此。

技术介绍

[0003]上述热敏电阻具有电阻根据温度而变化的特性，适用于各种电子设备的温度补偿或温度传感器等。尤其，最近广泛使用安装于电路基板的芯片型热敏电阻。
[0004]上述热敏电阻为热敏电阻基体与在该热敏电阻基体的两端形成有一对电极部的结构。
[0005]热敏电阻基体具有容易受酸或碱的影响并且容易还原的性质。而且，若组成改变，则特性可能会改变。因此，例如，如专利文献1、2所示，提出了使保护膜在热敏电阻基体的表面成膜的技术。
[0006]另外，对于保护膜来说，为了抑制随后的工序或使用时的热敏电阻基体的劣化，要求对电镀液的耐性、耐环境性、绝缘性等。
[0007]在此，在专利文献1、2中，通过在热敏电阻基体的表面涂布玻璃浆料并进行烧成，从而使由玻璃构成的保护膜成膜。
[0008]并且，还提出了通过溅射法使由SiO2构成的保护膜在热敏电阻基体的表面成膜的方法。
[0009]另外，使保护膜在热敏电阻基体的表面成膜时，在形成有保护膜的热敏电阻基体的两端形成电极部。在此，电极部是通过在热敏电阻基体的两端例如涂布金属浆料并进行烧成而形成的。因此，形成有保护膜的热敏电阻基体加热至例如700℃以上。
[0010]专利文献1：日本特开平03
‑
250603号公报
[0011]专利文献2：日本特开2003
‑
077706号公报
[0012]如专利文献1、2所示，涂布玻璃浆料并进行烧成的方法有可能对小型的热敏电阻基体无法稳定地涂布玻璃浆料，无法形成足够的厚度的保护膜。并且，由于因电镀液从针孔侵入而导致的热敏电阻基体侵蚀、因玻璃膜(保护膜)的膜厚不均匀而导致的热敏电阻基体的翘曲、或因在印刷工序中的破损而导致的成品率恶化，从而难以大量生产。
[0013]并且，通过溅射法使由SiO2构成的保护膜成膜时，由于使用硅靶，通过反应性溅射而成膜，因此无法根据化学计量比来成膜，成为如SiO2‑
X
那样被弱还原的膜。因此，在随后的工序中形成电极部时的加热时，热敏电阻基体的氧被弱还原状态的硅氧化物膜剥夺，从而可能会产生热敏电阻基体与保护膜部分剥离，或形成组成不均匀。
[0014]当热敏电阻基体与保护膜部分剥离时，保护膜的密合性降低，在随后的电镀工序等中保护膜剥离，电镀液侵蚀热敏电阻基体，从而导致特性改变。并且，当产生还原或组成
不均匀时，保护膜的耐性可能会变得不足，导致热敏电阻基体的特性改变。

技术实现思路

[0015]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种热敏电阻基体与保护膜的密合性优异，能够抑制制造时或使用时热敏电阻基体特性的变化，并且能够稳定地使用的热敏电阻及该热敏电阻的制造方法。
[0016]为了解决上述课题，本专利技术的热敏电阻具备热敏电阻基体、形成于所述热敏电阻基体的表面的保护膜及分别形成于所述热敏电阻基体的两端部的电极部，所述热敏电阻的特征在于，所述保护膜由硅氧化物构成，观察所述热敏电阻基体与所述保护膜的接合界面的结果，所观察到的剥离部的长度L与观察视场中的接合界面的长度L0之比L/L0为0.16以下。
[0017]根据本专利技术的热敏电阻，在热敏电阻基体的表面形成有由硅氧化物构成的保护膜，观察所述热敏电阻基体与所述保护膜的接合界面的结果，所观察到的剥离部的长度L与观察视场中的接合界面的长度L0之比L/L0为0.16以下，因此能够抑制保护膜的密合性降低，并且能够抑制在随后的工序中热敏电阻基体的特性改变。
[0018]并且，由于保护膜由硅氧化物构成，因此对电镀液的耐性、耐环境性及绝缘性优异，并且能够抑制热敏电阻基体的劣化。
[0019]在此，在本专利技术的热敏电阻中，所述保护膜的膜厚优选在50nm以上且1000nm以下的范围内。
[0020]此时，由于所述保护膜的膜厚为50nm以上，因此能够可靠地抑制热敏电阻基体的劣化。另一方面，由于所述保护膜的膜厚为1000nm以下，因此能够抑制在保护膜中产生龟裂等，并且能够充分地保护热敏电阻基体。
[0021]本专利技术的热敏电阻的制造方法为制造热敏电阻的热敏电阻的制造方法，所述热敏电阻具备热敏电阻基体、形成于所述热敏电阻基体的表面的保护膜及分别形成于所述热敏电阻基体的两端部的电极部，所述热敏电阻的制造方法的特征在于，具备保护膜形成工序，所述保护膜形成工序通过在包含硅醇盐、水、有机溶剂及碱的反应液中浸渍所述热敏电阻基体，并利用所述硅醇盐的水解及缩聚反应而在所述热敏电阻基体的表面析出硅氧化物，从而使所述保护膜成膜。
[0022]根据本专利技术的热敏电阻的制造方法，具备保护膜形成工序，所述保护膜形成工序通过在包含硅醇盐、水、有机溶剂及碱的反应液中浸渍所述热敏电阻基体，并利用所述硅醇盐的水解及缩聚反应而在反应液中在所述热敏电阻基体的表面析出硅氧化物，从而使所述保护膜成膜，该反应通过以热敏电阻基体表面的终端氧或羟基作为起点来聚合硅醇盐的水解体，从而析出硅氧化物，因此热敏电阻基体与保护膜的密合性优异。并且，由于从热敏电阻基体的表面析出硅氧化物，因此角部或凹凸部的包覆性优异。因此，能够制造所述热敏电阻基体的特性不会劣化且能够稳定地使用的热敏电阻。
[0023]在此，在本专利技术的热敏电阻的制造方法中，优选在所述保护膜形成工序之后，具备电极部形成工序，所述电极部形成工序通过将金属浆料涂布于所述热敏电阻基体的两端面并进行烧成，从而形成所述电极部。
[0024]此时，在电极部形成工序中，即使在为了烧成金属浆料而进行加热时，也能够进一
步抑制热敏电阻基体与保护膜部分剥离。
[0025]并且，在本专利技术的热敏电阻的制造方法中，所述碱可以包含碱金属化合物。
[0026]通过在反应液中包含碱金属化合物，碱金属不均匀地分布在所获得的热敏电阻的热敏电阻基体与保护膜的界面，能够更进一步提高热敏电阻基体与保护膜的密合性。
[0027]根据本专利技术，能够提供一种热敏电阻基体与保护膜的密合性优异，能够抑制制造时或使用时热敏电阻基体特性的变化，并且能够稳定地使用的热敏电阻及该热敏电阻的制造方法。
附图说明
[0028]图1是本专利技术的实施方式的热敏电阻的概略剖面说明图。
[0029]图2是本专利技术的实施方式的热敏电阻的热敏电阻基体与保护膜的接合界面的概略说明图。
[0030]图3是表示本专利技术的实施方式的热敏电阻的制造方法的流程图。
[0031]图4A是实施例中的本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种热敏电阻，其特征在于，具备热敏电阻基体、形成于所述热敏电阻基体的表面的保护膜及分别形成于所述热敏电阻基体的两端部的电极部，所述热敏电阻的特征在于，所述保护膜由硅氧化物构成，观察所述热敏电阻基体与所述保护膜的接合界面的结果，所观察到的剥离部的长度L与观察视场中的接合界面的长度L0之比L/L0为0.16以下。2.根据权利要求1所述的热敏电阻，其特征在于，所述保护膜的膜厚在50nm以上且1000nm以下的范围内。3.一种热敏电阻的制造方法，制造热敏电阻，所述热敏电阻具备热敏电阻基体、形成于所述热敏电阻基体的表面的保护膜及分别形成于所述热敏电...

【专利技术属性】
技术研发人员：米泽岳洋，日向野怜子，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：