一种晶片夹具及其清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片夹具及清洗方法，包括如下步骤：第一步、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡；第二步、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗；第三步、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡；第四步、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉；第五步、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗；第六步、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒；第七步、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃

【技术实现步骤摘要】
一种晶片夹具及其清洗方法


[0001]本专利技术属于夹具清洗
，具体涉及一种晶片夹具及其清洗方法。

技术介绍

[0002]石英晶体谐振器是用压电石英(即水晶)制成的压电器件。谐振器质量与晶片表面洁净度与镀膜质量有直接关系。现使用的镀膜夹具清洗后表面特别是镀膜孔位附近任残留有银屑，残留银屑，会将晶片顶高影响晶片镀膜效果或者在晶片表面留下划痕。为保证成品质量，提高夹具的清洗效果，现需一种清洗装置与清洗方式对镀膜夹具进行有效的清洗。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是解决上述问题，提供一种结构简单，操作方便，清洗效果好的晶片夹具及其清洗方法。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0005]S1、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡；
[0006]S2、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗，同时冲洗掉附着的物理杂质；
[0007]S3、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡；
[0008]S4、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉，同时冲洗掉附着的物理杂质；
[0009]S5、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗；
[0010]S6、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒；
[0011]S7、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃
±
10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。
[0012]进一步地，所述步骤S1中倒入浸泡池内的硝酸溶液的高度大于夹具的高度，夹具浸入硝酸溶液中，单次浸泡时间15min，并去除表面银屑。
[0013]进一步地，所述步骤S2中的冲洗时长为300秒，冲洗使用的去离子水电阻要大于15MΩ。
[0014]进一步地，所述步骤S3中倒入浸泡池内溶液高度应保证夹具彻底浸入银铬剥离液中，将夹具表面的顽固银铬全部脱落干净，夹具单次浸泡时间15分钟。
[0015]进一步地，所述步骤S2和步骤S4中对用于清洗的去离子水进行实时监控，保证电阻大于15MΩ。
[0016]进一步地，所述步骤S5中在超声波清洗的时间为15分钟，重复超声波清洗过程3次，每次需更换超声池内的去离子水。
[0017]进一步地，所述夹具包括依次层叠的上盖板、上掩膜板、定位片、骨架、下掩膜板和下盖板，晶片位于骨架内，通过定位片进行固定定位，再通过上掩膜板和下掩膜板进行固定，上掩膜板的另一面与上盖板相连，下掩膜板的另一面与下盖板相连，完成对晶片的固定。
[0018]进一步地，所述上掩膜板和下掩膜板结构相同，上盖板和下盖板的结构相同。
[0019]本专利技术的有益效果是：本专利技术所提供的一种晶片夹具及其清洗方法，夹具结构简单，制造成本较低，一种晶片夹具的清洗方法操作方便，能够对晶片进行充分有效的清洗，清洗干净。
附图说明
[0020]图1是本专利技术一种晶片夹具清洗方法的流程示意图；
[0021]图2是本专利技术夹具的结构示意图；
[0022]图3是本专利技术上盖板的结构示意图；
[0023]图4是本专利技术上掩膜板的结构示意图；
[0024]图5是本专利技术骨架的结构示意图；
[0025]图6是本专利技术定位片的结构示意图；
[0026]图7是本专利技术晶片固定组的结构示意图。
[0027]附图标记说明：1、上盖板；2、上掩膜板；3、定位片；4、骨架；5、下掩膜板；6、下盖板；11、上盖板第一通孔；12、上盖板第二通孔；21、上掩膜板第一凸起；22、上掩膜板第二凸起；23、上掩膜板第一通孔；24、上掩膜板第二通孔；25、上掩膜板凹槽；31、定位片第一孔组；32、定位片第二孔；33、定位片第三孔；41、骨架第一通孔；42、骨架第二通孔；43、骨架吸附件。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的说明：
[0029]如图1到图7所示，本专利技术提供的一种晶片夹具的清洗方法，包括如下步骤：
[0030]S1、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡。
[0031]步骤S1中倒入浸泡池内的硝酸溶液的高度大于夹具的高度，夹具浸入硝酸溶液中，单次浸泡时间15min，并去除表面银屑。
[0032]S2、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗，同时冲洗掉附着的物理杂质。
[0033]步骤S2中的冲洗时长为300秒，冲洗使用的去离子水电阻要大于15MΩ。
[0034]S3、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡。
[0035]步骤S3中倒入浸泡池内溶液高度应保证夹具彻底浸入银铬剥离液中，将夹具表面的顽固银铬全部脱落干净，夹具单次浸泡时间15分钟。
[0036]S4、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉，同时冲洗掉附着的物理杂质。
[0037]步骤S2和步骤S4中对用于清洗的去离子水进行实时监控，保证电阻大于15MΩ。
[0038]S5、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗。
[0039]步骤S5中在超声波清洗的时间为15分钟，重复超声波清洗过程3次，每次需更换超声池内的去离子水。
[0040]S6、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒。
[0041]S7、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃
±
10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。
[0042]本专利技术中的夹具包括依次层叠的上盖板1、上掩膜板2、定位片3、骨架4、下掩膜板5和下盖板6，晶片位于骨架4内，通过定位片3进行固定定位，再通过上掩膜板2和下掩膜板5进行固定，上掩膜板2的另一面与上盖板1相连，下掩膜板5的另一面与下盖板6相连，完成对晶片的固定。
[0043]上掩膜板2和下掩膜板5结构相同，上盖板1和下盖板6的结构相同。在使用过程中，上掩膜板2和下掩膜板5将安装有晶片的定位片和骨架夹紧固定。同时在通过上盖板1和下盖板6分别对上掩膜板2和下掩膜板5进行夹紧固定，从而使晶片固定牢固。
[0044]上盖板1呈长方体的片状结构，上盖板1上设有上盖板第一通孔11和上盖板第二通孔12，上盖板第一通孔11的截面为矩形结构，上盖板第二通孔12的截面为椭圆形结构，上盖板第一通孔11呈阵列状分布在上盖板1上。上盖板1呈长方体状的片状结构，上盖板第一通孔11的数量和分布状况根据实际使用过程中的设计要求而定，增加了本专利技术的实用性和使用范围，同时根据需要固定晶片的大小及距离，调整上盖板第一通孔11的大小和距离。上盖板第二通孔12的数量为四个，分别位于上盖板1上，上盖板第二通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、硝酸溶液浸泡：将夹具放入浸泡池，倒入硝酸溶液进行浸泡；S2、去离子水冲洗：将步骤S1中浸泡后的夹具上的硝酸溶液用去离子水冲洗，同时冲洗掉附着的物理杂质；S3、银铬剥离液浸泡：将步骤S2中冲洗后的夹具放入新的浸泡池，倒入银铬剥离液进行浸泡；S4、去离子水冲洗：将步骤S3中浸泡后的夹具上的银铬剥离液冲洗掉，同时冲洗掉附着的物理杂质；S5、超声波清洗：步骤S4清洗后的夹具放入超声池内进行超声波清洗；S6、脱水：将步骤S5中经过超声波清洗后的夹具用无水乙醇进行脱水处理，并进行冲洗300秒；S7、烘烤：将步骤S6中脱水后的夹具放入80℃
±
10℃烘箱内烤30到60分钟，完成夹具清洗。2.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S1中倒入浸泡池内的硝酸溶液的高度大于夹具的高度，夹具浸入硝酸溶液中，单次浸泡时间15min，并去除表面银屑。3.根据权利要求1所述的一种晶片夹具的清洗方法，其特征在于：所述步骤S2中的冲洗时长为300秒，冲洗使用的去离子水电阻要大于15MΩ。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建友，刘青彦，杨清明，
申请(专利权)人：成都晶宝时频技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：