本实用新型专利技术公开了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，包括真空箱，所述真空箱内腔底部的两侧活动连接有卷出辊，所述真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件，张力调节组件包括两个活动辊，两个活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板，真空箱的顶部固定连接有密封件，密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部，本实用新型专利技术涉及碳纳米管技术领域。该用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，通过在活动辊的顶部和底部设置固定板，配合转动套内的转动杆和调节杆，再利用固定板的转动关系，能够对活动辊的位置进行调节，从而能够对张力进行控制，此结构较为简单，操作方便，易于推广。
【技术实现步骤摘要】
用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置
本技术涉及碳纳米管
，具体为用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置。
技术介绍
化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法，化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料，这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控。目前的卷对卷化学气相沉积装置在调节张力时，都是通过调节活动辊的位置进行张力的调节，而目前对活动辊的位置进行调节较为麻烦，为此本技术提供用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，解决了对调节活动辊较为麻烦的问题。为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，包括真空箱，所述真空箱内腔底部的两侧活动连接有卷出辊，所述真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件，所述张力调节组件包括两个活动辊，两个所述活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板，所述真空箱的顶部固定连接有密封件，所述密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部，所述密封件内部的两侧固定连接有转动套，所述转动套的底端贯穿密封件并延伸至密封件的外部，所述转动套的内表面转动连接有转动杆，所述转动杆的底端与位于上方固定板的顶部固定连接，所述转动杆的顶端固定连接有调节杆，位于下方所述固定板的底部通过转动块与真空箱内腔的底部转动连接。优选的，所述卷出辊的顶部与底部均固定连接有顶板，两个所述顶板相对远离的一侧均固定连接有连接杆，所述连接杆的一端贯穿真空箱并延伸至真空箱的外部。优选的，所述连接杆的外表面固定连接有安装机构，所述安装机构包括固定套，所述连接杆的内部开设有置物腔，所述固定套的两侧均转动连接有固定螺栓，两个所述固定螺栓相对的一端均依次贯穿固定套、连接杆和置物腔并延伸至置物腔的内部，所述固定螺栓的一端固定连接有限位杆，卷出辊的顶部与底部均开设有限位槽，所述限位槽的内表面与限位杆的外表面相适配。优选的，所述置物腔内壁的两侧之间固定连接有孔板，所述限位条的外表面固定连接有滑动套，所述滑动套的底部与孔板的顶部滑动连接。优选的，所述固定套的内表面与连接杆的外表面固定连接，所述限位杆位于置物腔的内部，所述限位条的外表面与孔板的内表面滑动连接。优选的，所述真空箱的顶部固定连接有伺服电机，所述伺服电机的输出端固定连接有双槽轮，位于上方所述连接杆的外表面固定连接有单槽轮，所述双槽轮的内表面通过皮带与单槽轮的内表面传动连接。有益效果本技术提供了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置。与现有技术相比具备以下有益效果：(1)、该用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，通过在真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件，张力调节组件包括两个活动辊，两个活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板，真空箱的顶部固定连接有密封件，密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部，密封件内部的两侧固定连接有转动套，转动套的底端贯穿密封件并延伸至密封件的外部，转动套的内表面转动连接有转动杆，转动杆的底端与位于上方固定板的顶部固定连接，转动杆的顶端固定连接有调节杆，位于下方固定板的底部通过转动块与真空箱内腔的底部转动连接，通过在活动辊的顶部和底部设置固定板，配合转动套内的转动杆和调节杆，再利用固定板的转动关系，能够对活动辊的位置进行调节，从而能够对张力的控制，此结构较为简单，操作方便，易于推广。(2)、该用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，通过在卷出辊的顶部与底部均固定连接有顶板，两个顶板相对远离的一侧均固定连接有连接杆，连接杆的一端贯穿真空箱并延伸至真空箱的外部，连接杆的外表面固定连接有安装机构，安装机构包括固定套，连接杆的内部开设有置物腔，固定套的两侧均转动连接有固定螺栓，两个固定螺栓相对的一端均依次贯穿固定套、连接杆和置物腔并延伸至置物腔的内部，固定螺栓的一端固定连接有限位杆，卷出辊的顶部与底部均开设有限位槽，限位槽的内表面与限位杆的外表面相适配，通过在顶板的一侧设置连接杆，配合固定套内的置物腔和限位杆，再利用限位槽和固定螺栓，再将连接杆抽出一定的距离从而能够将卷出辊快速的拆下，此结构易于推广。附图说明图1为本技术真空箱的内部结构主视图；图2为本技术安装机构的内部结构主视图；图3为本技术固定套的内部结构俯视图。图中：1-真空箱、2-卷出辊、3-张力调节组件、31-活动辊、32-固定板、33-密封件、34-转动套、35-转动杆、36-调节杆、4-顶板、5-连接杆、6-安装机构、61-固定套、62-置物腔、63-固定螺栓、64-限位杆、65-限位槽、7-孔板、8-限位条、9-滑动套、10-伺服电机、11-双槽轮、12-单槽轮、13-皮带。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，包括真空箱1，真空箱1内腔底部的两侧活动连接有卷出辊2，真空箱1内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件3，张力调节组件3包括两个活动辊31，两个活动辊31的顶部和底部均固定连接有固定板32，活动辊31并不位于固定板32的中心位置，而是位于其偏心位置，转动固定板32能够改变活动辊31的位置，真空箱1的顶部固定连接有密封件33，密封件33防止真空箱1的内部进入空气，同时连接杆5和真空箱1的连接处同样设有密封组件，密封件33的底部贯穿真空箱1并延伸至真空箱1的内部，密封件33内部的两侧固定连接有转动套34，转动套34的底端贯穿密封件33并延伸至密封件33的外部，转动套34的内表面转动连接有转动杆35，转动杆35的底端与位于上方固定板32的顶部固定连接，转动杆35的顶端固定连接有调节杆36，位于下方固定板32的底部通过转动块与真空箱1内腔的底部转动连接，卷出辊2的顶部与底部均固定连接有顶板4，两个顶板4相对远离的一侧均固定连接有连接杆5，连接杆5的一端贯穿真空箱1并延伸至真空箱1的外部，连接杆5的外表面固定连接有安装机构6，安装机构6包括固定套61，连接杆5的内部开设有置物腔62，固定套61的两侧均转动连接有固定螺栓63，两个固定螺栓63相对的一端均本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，包括真空箱(1)，所述真空箱(1)内腔底部的两侧活动连接有卷出辊(2)，其特征在于：所述真空箱(1)内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件(3)；/n所述张力调节组件(3)包括两个活动辊(31)，两个所述活动辊(31)的顶部和底部均固定连接有固定板(32)，所述真空箱(1)的顶部固定连接有密封件(33)，所述密封件(33)的底部贯穿真空箱(1)并延伸至真空箱(1)的内部，所述密封件(33)内部的两侧固定连接有转动套(34)，所述转动套(34)的底端贯穿密封件(33)并延伸至密封件(33)的外部，所述转动套(34)的内表面转动连接有转动杆(35)，所述转动杆(35)的底端与位于上方固定板(32)的顶部固定连接，所述转动杆(35)的顶端固定连接有调节杆(36)，位于下方所述固定板(32)的底部通过转动块与真空箱(1)内腔的底部转动连接。/n
【技术特征摘要】
1.用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，包括真空箱(1)，所述真空箱(1)内腔底部的两侧活动连接有卷出辊(2)，其特征在于：所述真空箱(1)内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件(3)；
所述张力调节组件(3)包括两个活动辊(31)，两个所述活动辊(31)的顶部和底部均固定连接有固定板(32)，所述真空箱(1)的顶部固定连接有密封件(33)，所述密封件(33)的底部贯穿真空箱(1)并延伸至真空箱(1)的内部，所述密封件(33)内部的两侧固定连接有转动套(34)，所述转动套(34)的底端贯穿密封件(33)并延伸至密封件(33)的外部，所述转动套(34)的内表面转动连接有转动杆(35)，所述转动杆(35)的底端与位于上方固定板(32)的顶部固定连接，所述转动杆(35)的顶端固定连接有调节杆(36)，位于下方所述固定板(32)的底部通过转动块与真空箱(1)内腔的底部转动连接。
2.根据权利要求1所述的用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，其特征在于：所述卷出辊(2)的顶部与底部均固定连接有顶板(4)，两个所述顶板(4)相对远离的一侧均固定连接有连接杆(5)，所述连接杆(5)的一端贯穿真空箱(1)并延伸至真空箱(1)的外部。
3.根据权利要求2所述的用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置，其特征在于：所述连接杆(5)的外表面固定连接有安装机构(6)，所述安装机构(6...
【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·爱尔兰·米尔恩，骆季奎，汪小知，
申请(专利权)人：杭州英希捷科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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