一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构制造技术

一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，通过在前置比较器的第一输出端至PMOS管的栅极之间依次设置第一激光切割选择单元和高阻自置高单元，以及在所述前置比较器的第二输出端至NMOS管的栅极之间依次设置第二激光切割选择单元和高阻自置低单元，能够利用芯片制造过程中的激光切割选择输出类型，所述输出类型包括N型场效应晶体管漏极开路输出结构，P型场效应晶体管漏极开路输出结构，以及默认的推挽式输出结构，有利于实现采用一套集成电路掩膜板即可应对三种不同比较器输出结构的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构
本专利技术涉及比较器输出级技术，特别是一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，通过在前置比较器的第一输出端至PMOS管的栅极之间依次设置第一激光切割选择单元和高阻自置高单元，以及在所述前置比较器的第二输出端至NMOS管的栅极之间依次设置第二激光切割选择单元和高阻自置低单元，能够利用芯片制造过程中的激光切割选择输出类型，所述输出类型包括N型场效应晶体管漏极开路输出结构，P型场效应晶体管漏极开路输出结构，以及默认的推挽式输出结构，有利于实现采用一套集成电路掩膜板即可应对三种不同比较器输出结构的效果。
技术介绍
现有技术在实现不同输出类型的比较器电路设计方面，一般针对每一种输出类型，设计各自相应的电路与版图，制造出各自不同的掩膜板。不同的输出级类型，决定了比较器不同的应用场合。比较器产品通常包括三种不同输出类型：推挽型输出级，N型场效应晶体管漏级开路输出级，和P型场效应晶体管漏极开路输出级类型。三种不同输出类型需要设计三种不同的电路结构。即使在前级电路完全一致的情况下，仍然需要设计三套不同的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，其特征在于，包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管的漏极和NMOS管的漏极互连后形成比较器输出端，所述PMOS管的栅极依次通过高阻自置高单元和第一激光切割选择单元连接前置比较器的第一输出端，所述NMOS管的栅极依次通过高阻自置低单元和第二激光切割选择单元连接所述前置比较器的第二输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，其特征在于，包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管的漏极和NMOS管的漏极互连后形成比较器输出端，所述PMOS管的栅极依次通过高阻自置高单元和第一激光切割选择单元连接前置比较器的第一输出端，所述NMOS管的栅极依次通过高阻自置低单元和第二激光切割选择单元连接所述前置比较器的第二输出端。


2.根据权利要求1所述的能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，其特征在于，所述前置比较器的电源端和所述PMOS管的源极均连接电源电压端，所述前置比较器的地电位端和所述NMOS管的源极均连接接地端。


3.根据权利要求1所述的能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，其特征在于，所述前置比较器具有正输入端和负输入端。


4.根据权利要求1所述的能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构，其特征在于，可供选择的输出类型包括N型场效应晶体管漏极开路输出结构，P型场效应晶体管漏极开路输...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙德臣，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11