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一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构,通过在前置比较器的第一输出端至PMOS管的栅极之间依次设置第一激光切割选择单元和高阻自置高单元,以及在所述前置比较器的第二输出端至NMOS管的栅极之间依次设置第二激光切割选择单元和高阻自置低...该专利属于圣邦微电子(北京)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过圣邦微电子(北京)股份有限公司授权不得商用。
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一种能够通过激光切割选择输出类型的比较器输出结构,通过在前置比较器的第一输出端至PMOS管的栅极之间依次设置第一激光切割选择单元和高阻自置高单元,以及在所述前置比较器的第二输出端至NMOS管的栅极之间依次设置第二激光切割选择单元和高阻自置低...