一种高精度保护与回差控制电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种高精度保护与回差控制电路，包括运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；电阻R1与电阻R2连接，电阻R1输出端连接运算放大器U1的1脚同相输入端；电阻R3与电阻R4连接，电阻R3输出端连接运算放大器的3脚反相输入端；电阻R5连接第一节点，MOS管Q1将电阻R5耦接到第二节点，电阻R6将第二节点耦接到运算放大器U1的4脚输出端。运算放大器U1的4脚输出端的信号反馈至运算放大器U1的3脚反相输入端形成正反馈，且运算放大器U1的4脚输出端的信号经过MOS管Q1进行电平变换，提高保护点和回差的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度保护与回差控制电路
本技术涉及控制电路领域，尤其是一种高精度保护与回差控制电路。
技术介绍
近年来，随着我国航天、航空装备的朝着智能化、信息化、轻量化等方向发展，对航天、航空装备提出了多电化和全电化供电系统要求，来解决装备智能化、轻量等需求。对电源尤其是DC/DC变换器的需求越来越大，对DC/DC变换器的完善的保护功能及精确度提出了更高的要求。但常规的控制电路是检测采样电压，与基准电压进行比较后获得高低电平来控制变换器关断或开通，电路简单，但只能实现基本功能，应用于在对精度要求不高的场合内，
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出一种高精度保护与回差控制电路。本技术通过以下技术方案实现的：本技术提出一种高精度保护与回差控制电路，包括运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7。所述电阻R1与所述电阻R2串联，所述电阻R1输入端连接VREF基准电压端，所述电阻R1输出端连接所述运算放大器U1的1脚同相输入端。所述电阻R3与所述电阻R4连接，所述电阻R3输入端连接VIN检测电压端，所述电阻R3输出端连接所述运算放大器的3脚反相输入端。所述电阻R5连接所述运算放大器的3脚反相输入端，所述MOS管Q1将所述电阻R5耦接到第二节点，所述电阻R6将所述第二节点耦接到所述运算放大器U1的4脚输出端。进一步地，所述高精度保护与回差控制电路还包括电阻R7，所述电阻R7将第二节点耦接到第三节点。r>进一步地，所述运算放大器U1的5脚连接VCC端，所述运算放大器U1的2脚连接所述第三节点。进一步地，所述MOS管Q1的源级连接所述第三节点，所述MOS管Q1的漏极连接所述电阻R5的输出端，所述MOS管Q1的栅极连接所述第二节点。进一步地，所述电阻R4的输入端连接所述电阻R3的输出端，所述电阻R4的输出端连接所述第三节点。进一步地，所述电阻R2的输入端连接所述电阻R1的输出端，所述电阻R2的输出端连接所述第三节点，接地端连接所述第三节点。进一步地，OFF端连接所述运算放大器U1的4脚输出端。本技术的有益效果：本技术提出的高精度保护与回差控制电路，包括运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6；所述电阻R1与所述电阻R2连接，所述电阻R1输入端连接VREF基准电压端，所述电阻R1输出端连接所述运算放大器U1的1脚同相输入端；所述电阻R3与所述电阻R4连接，所述电阻R3输入端连接VIN检测电压端，所述电阻R3输出端连接所述运算放大器的3脚反相输入端；所述电阻R5连接第一节点，所述MOS管Q1将所述电阻R5耦接到第二节点，所述电阻R6将所述第二节点耦接到所述运算放大器U1的4脚输出端。运算放大器U1的4脚输出端的信号反馈至运算放大器U1的3脚反相输入端形成正反馈，且所述运算放大器U1的4脚输出端的信号经过MOS管Q1进行电平变换，以提高保护点和回差的精度。附图说明图1为所述高精度保护与回差控制电路示意图。具体实施方式为了更加清楚、完整的说明本技术的技术方案，下面结合附图对本技术作进一步说明。请参考图1，本技术提出一种高精度保护与回差控制电路，包括运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7。所述电阻R1与所述电阻R2串联，所述电阻R1输入端连接VREF基准电压端，所述电阻R1输出端连接所述运算放大器U1的1脚同相输入端。所述电阻R3与所述电阻R4连接，所述电阻R3输入端连接VIN检测电压端，所述电阻R3输出端连接所述运算放大器的3脚反相输入端。检测采样电压与基准电压分别送入运算放大器的1脚同相输入端、3脚反相输入端，运算放大器U1的4脚输出端信号经过处理后送入运算放大器U1的3脚反相输入端形成正反馈。所述电阻R5连接第一节点，所述MOS管Q1将所述电阻R5耦接到第二节点，所述电阻R6将所述第二节点耦接到所述运算放大器U1的4脚输出端。在本实施例中，所述运算放大器U1的1脚同相输入端的信号经过处理后送入所述运算放大器U1的3脚反相输入端形成正反馈，所述运算放大器U1的4脚输出端的信号反馈至所述运算放大器U1的3脚反相输入端形成正反馈，且所述运算放大器U1的4脚输出端的信号经过MOS管Q1进行电平变换，以提高保护点和回差的精度。进一步地，所述高精度保护与回差控制电路还包括电阻R7，所述电阻R7将第二节点耦接到第三节点。进一步地，所述运算放大器U1的5脚连接VCC端，所述运算放大器U1的2脚连接所述第三节点。进一步地，所述MOS管Q1的源级连接所述第三节点，所述MOS管Q1的漏极连接所述电阻R5的输出端，所述MOS管Q1的栅极连接所述第二节点。进一步地，所述电阻R4的输入端连接所述电阻R3的输出端，所述电阻R4的输出端连接所述第三节点。进一步地，所述电阻R2的输入端连接所述电阻R1的输出端，所述电阻R2的输出端连接所述第三节点，接地端连接所述第三节点。进一步地，OFF端连接所述运算放大器U1的4脚输出端。VREF为基准电压，基准电压由精密基准源(图中未给出)提供，不受变换器工作状态及环境温度的影响，由所述电阻R1和所述电阻R2分压后送到所述运算放大器U1的1脚同相输入端。检测采样电压VIN(输入电压，也可以是输出电压，温度信号或其它检测信号)经过所述电阻R3和所述电阻R4分压后送到所述运算放大器的3脚反相输入端。本技术的高精度保护与回差控制电路用作欠压保护电路时，当所述运算放大器U1的3脚反相输入端电平略高于算放大器U1的1脚同相输入端时，所述运算放大器U1的4脚输出端输出为低电平，经过所述电阻R6和所述电阻R7分压后使所述MOS管Q1(场效应晶体管)关断，此时所述MOS管Q1相当于开路，阻抗近似为无穷大，进而使得所述电阻R5悬空，所述运算放大器U1的3脚反相输入端电平更高，输出电压维持低电平输出，从而形成正反馈。此时采样动作电压仅与所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4的阻值及VREF精密基准源有关，所以可获得极高欠压保护动作点精度。当所述运算放大器U1的3脚反相输入端电平略低于所述运算放大器U1的1脚同相输入端时，所述运算放大器U1的4脚输出端输出为高电平，经过所述电阻R6和所述电阻R7分压后驱动极低导通阻抗的MOS管Q1(场效应晶体管)导通，因所述MOS管Q1导通阻抗为几毫欧姆，进而使得所述电阻R5的输出端通过该极低电阻的MOS管Q1连接到地，相当于所述电阻R5并联到所述电阻R4上，以使得所述运算放大器U1的3脚反相输入端电平更低，输出电压维持高电平输出，从而形成正反馈。此时采样恢复动作电压仅与所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高精度保护与回差控制电路，其特征在于，包括运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；/n所述电阻R1与所述电阻R2连接，所述电阻R1输入端连接VREF基准电压端，所述电阻R1输出端连接所述运算放大器U1的1脚同相输入端；所述电阻R3与所述电阻R4连接，所述电阻R3输入端连接VIN检测电压端，所述电阻R3输出端连接所述运算放大器的3脚反相输入端；/n所述电阻R5连接所述运算放大器的3脚反相输入端，所述MOS管Q1将所述电阻R5耦接到第二节点，所述电阻R6将所述第二节点耦接到所述运算放大器U1的4脚输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种高精度保护与回差控制电路，其特征在于，包括运算放大器U1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；
所述电阻R1与所述电阻R2连接，所述电阻R1输入端连接VREF基准电压端，所述电阻R1输出端连接所述运算放大器U1的1脚同相输入端；所述电阻R3与所述电阻R4连接，所述电阻R3输入端连接VIN检测电压端，所述电阻R3输出端连接所述运算放大器的3脚反相输入端；
所述电阻R5连接所述运算放大器的3脚反相输入端，所述MOS管Q1将所述电阻R5耦接到第二节点，所述电阻R6将所述第二节点耦接到所述运算放大器U1的4脚输出端。


2.根据权利要求1所述的高精度保护与回差控制电路，其特征在于，所述高精度保护与回差控制电路还包括电阻R7，所述电阻R7将第二节点耦接到第三节点。


3.根据权利要求2所述的高精度保护与回...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡义青，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44