一种提高闪存介质寿命的方法、装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及存储设备技术领域，公开了一种提高闪存介质寿命的方法、装置和电子设备。该方法包括：确定待操作的目标块；获取闪存介质的实时温度；在所述实时温度符合第一预设温度范围时，将所述目标块进行冻结处理；在所述实时温度符合第二预设温度范围时，启用所述冻结处理后的所述目标块。本发明专利技术通过对块进行冻结处理，避免了直接将块标为坏块，在温度符合时，恢复冻结的块，从而能够使块再被利用，总体上提升了闪存介质的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种提高闪存介质寿命的方法、装置和电子设备
本专利技术涉及存储设备
，特别是涉及一种提高闪存介质寿命的方法、装置和电子设备。
技术介绍
固态存储日新月异的今天，越来越多的闪存(flash)被作为存储介质涌入各行各业的应用中，崭露头角的同时，flash稳定性也越来越被重视。行车记录仪TF卡，手机存储EMMC(EmbeddedMultiMediaCard)，电脑固态硬盘，甚至企业级固态硬盘到云服务器等，都在使用flash，因此flash的稳定性越来越重要。而flash在使用一段时间后，都会采用电压偏移进行重读的操作，原因是flash在长期使用后，内部电子会产生一定的偏移，必须用不同的参考电压去读，才能读出正确的数据。擦、写、读的时候，极端情况下flash会报错，一旦报错，这个操作的块往往被标记为坏块。例如：在无人机领域，无人机经常要飞跃到深山或者海底等野外的环境，温度变化多端，时高时低，现有技术针对高低温下的闪存介质编程出错往往就直接标记坏块。这样，无人机回归到正常温度环境再次使用就会出现坏块过多，好块不足，从而出现产品故障，严重影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高闪存介质寿命的方法，所述闪存介质包括多个块，其特征在于，包括：/n确定待操作的目标块；/n获取闪存介质的实时温度；/n在所述实时温度符合第一预设温度范围时，将所述目标块进行冻结处理；/n在所述实时温度符合第二预设温度范围时，启用所述冻结处理后的所述目标块。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高闪存介质寿命的方法，所述闪存介质包括多个块，其特征在于，包括：
确定待操作的目标块；
获取闪存介质的实时温度；
在所述实时温度符合第一预设温度范围时，将所述目标块进行冻结处理；
在所述实时温度符合第二预设温度范围时，启用所述冻结处理后的所述目标块。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度范围是用于表示所述闪存介质为高温或低温的温度范围，所述第二预设温度范围是用于表示所述闪存介质为正常温度的温度范围，所述正常温度是相对所述高温和所述低温来确定的。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述目标块进行冻结处理包括：
将所述目标块标存放至预设冻结列表，并将所述目标块标记为冻结状态。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述启用所述冻结处理后的所述目标块包括：
判断所述预设冻结列表是否为空列表；
若否，从所述预设冻结列表中获取所述目标块，并对所述目标块执行读操作或写操作。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述从所述预设冻结列表中获取所述目标块的步骤之后，所述方法还包括：
诊断所述目标块是否为坏块；
若否，执行所述对所述目标块执行读操作或写操作的步骤；
若是，将所述目标块标记为坏块。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述诊断所述目标块是否...

【专利技术属性】
技术研发人员：万红波，陈祥，唐晓栋，
申请(专利权)人：深圳大普微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44