CMP机台的研磨结构制造技术

本发明专利技术公开了一种CMP机台的研磨结构，包含研磨垫和研磨盘，研磨盘带动置于其上的研磨垫同步旋转，待加工晶圆放置于研磨垫上随之旋转；所述研磨垫上密布有大量间隔排布的凹槽，凹槽底部还具有通孔，使研磨垫在凹槽处形成正反面的贯穿通道；所述研磨盘上密布有大量通孔，当研磨垫放置于研磨盘上，研磨垫上的凹槽及凹槽下方的通孔能与研磨盘上的大量的通孔任意对接，形成贯穿通道；在所述研磨盘上的大量通孔在研磨盘的底部通过总管道连接到气压调节设备。通过接入的气压调节设备，能形成抽真空或者吹入高压气流的效果，及时抽走研磨垫凹槽中的研磨副产物，或者对研磨垫进行气流冲洗，保证凹槽的蓄涵能力，提高抛光垫的研磨效果，防止晶圆划伤。

【技术实现步骤摘要】
CMP机台的研磨结构
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种CMP工艺中针对CMP机台的研磨结构。
技术介绍
化学机械研磨（CMP）是一种表面全局平坦化技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面。在抛光头和硅片之间有磨料，并同时施加下压力。CMP工艺是半导体整个制造工艺流程中使用频率非常高的工艺，CMP工艺中，将待加工的晶圆放置于研磨垫（或称之为抛光垫）上，研磨垫则放置于CMP机台的研磨盘上。研磨盘通过研磨垫带动晶圆旋转，同时CMP机台的研磨头在晶圆工作面上进行研磨抛光。通常，研磨垫上密布凹槽，这些凹槽能够蓄涵研磨液供晶圆研磨，同时，研磨下来的颗粒碎屑等研磨副产物也能存储于凹槽内。在研磨初期，研磨垫具有足够的厚度，因此研磨垫上的凹槽的深度也足够深，能够蓄涵的研磨液较多，同时能存储较多的研磨副产物，当然此时的研磨副产物也较少，凹槽内研磨副产物积累少，晶圆不会与凹槽内的研磨混合物接触。随着研磨的进行，研磨垫被消耗，其厚度降低，凹槽的深度逐渐变小，蓄涵研磨液及研磨副产物的能力随之降低，而同时研磨副产物在增多。在研磨过程中部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMP机台的研磨结构，其特征在于：所述研磨结构包含研磨垫和研磨盘，研磨垫放置于研磨盘上，研磨盘带动研磨垫同步旋转；待加工晶圆放置于研磨垫上随之旋转；/n所述研磨垫上密布有大量凹槽，所述的凹槽为间隔排布；所述的凹槽底部具有通孔，使研磨垫在凹槽处形成正反面的贯穿通道；/n所述研磨盘上同样密布有大量通孔，当研磨垫放置于研磨盘上，研磨垫上的凹槽及凹槽下方的通孔能与研磨盘上的大量的通孔任意对接，形成贯穿通道；/n在所述研磨盘上的大量通孔在研磨盘的底部通过总管道连接到气压调节设备。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMP机台的研磨结构，其特征在于：所述研磨结构包含研磨垫和研磨盘，研磨垫放置于研磨盘上，研磨盘带动研磨垫同步旋转；待加工晶圆放置于研磨垫上随之旋转；
所述研磨垫上密布有大量凹槽，所述的凹槽为间隔排布；所述的凹槽底部具有通孔，使研磨垫在凹槽处形成正反面的贯穿通道；
所述研磨盘上同样密布有大量通孔，当研磨垫放置于研磨盘上，研磨垫上的凹槽及凹槽下方的通孔能与研磨盘上的大量的通孔任意对接，形成贯穿通道；
在所述研磨盘上的大量通孔在研磨盘的底部通过总管道连接到气压调节设备。


2.如权利要求1所述的CMP机台的研磨结构，其特征在于：所述的研磨盘为多孔陶瓷盘或者是多孔金属盘。


3.如权利要求1所述的CMP机台的研磨结构，其特征在于：无论研磨垫的凹槽呈何种分布，满足底部通孔均匀分布在凹槽内。


4.如权利要求1所述的CMP机台的研磨结构，其特征在于：所述研磨垫上的凹槽能蓄涵研磨液及研磨副产物；所述的研磨液为含有研磨颗粒的化学溶剂所形成的磨料浆。


5.如权利要求1所述的C...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭志田，瞿治军，夏金伟，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32