苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法技术

一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，制备原料包括苝四甲酰二亚胺类小分子、聚酰亚胺、N‑甲基吡咯烷酮溶液，制备步骤包括混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤，所述混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤依次进行。其有益效果是：降低聚合物材料的电导损耗，得到的具有极高储能密度的聚合物电介质材料，消弱强电场下电子对聚合物分子链的冲击，大幅提升聚合物材料的击穿场强，易于实现规模化工业生产。

【技术实现步骤摘要】
苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法
本专利技术涉及薄膜电容器制备领域，特别是一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法。
技术介绍
介质电容器由于具有超高的功率密度、极低的损耗以及更高的工作电压等优点，因此不仅是重要的基础电子元件，在电路中起着旁路、去耦、滤波及储能等主要作用，同时广泛用于电子电力系统、能源系统以及尖端武器系统等方面基本的储能器件。介质电容器按照使用的介质材料主要可分为有机聚合物介质电容器、无机介质电容器、电解电容器等三类。其中以有机聚合物为介质材料的电容器——有机薄膜电容器，凭借其质量轻、加工性能好、生产成本低、介电强度高、自愈性好、集成组装工艺简单以及无液体介质等特点，目前已在电动汽车、风电、光伏、照明和铁路机车等行业中广泛应用。目前薄膜电容器在许多应用领域中（例如航空航天和电动汽车等）的工作环境温度都高于室温，电场强度也较高。在混合动力汽车中，薄膜电容器的工作环境温度一般在120-140ºC之间，承受的电场强度一般为200MV/m。为了提高聚合物电介质材料的最高使用温度，国内外研究者及业界开发生产了具有360ºC玻璃化转变温度的聚酰亚胺材料。聚酰亚胺分子结构如图4所示。但是该材料在150ºC的运行温度和400MV/m以上的高温、强电场条件下难以满足应用需求，主要存在两方面问题：一是聚酰亚胺在高温条件下的电导损耗随电场强度增大而急剧上升，导致储能密度大幅下降。二是聚酰亚胺的击穿场强不高，无法适应更高的工作电压环境。因此仍然需要改进用于高温电容器的介电材料。>
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述问题，设计了一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法。具体设计方案为：一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，制备原料包括苝四甲酰二亚胺类小分子、聚酰亚胺、N-甲基吡咯烷酮溶液，制备步骤包括混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤，所述混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤依次进行，所述混合步骤制得复合悬浊液，所述滴涂步骤利用复合悬浊液制得复合湿膜，所述烘干步骤中去除所述复合湿膜中的容积获得复合薄膜，所述剥离步骤将复合薄膜剥离。所述混合步骤中，先将聚酰亚胺加入N-甲基吡咯烷酮溶液中获得聚酰亚胺溶液，然后加入苝四甲酰二亚胺类小分子获得复合悬浊液。所述滴涂步骤，中采用滴涂的方式，在玻璃基板上滴涂混合悬浊液，制得复合湿膜。所述烘干步骤，将复合湿膜放入鼓风烘箱中，在80ºC下进行烘干12小时去除溶剂，然后分别在125ºC和150ºC下烘干1小时，最后在300ºC下烘干12小时，将烘干后的复合薄膜转移到真空烘箱中，在真空环境下进一步烘干24小时，彻底去除材料中的剩余溶剂。所述剥离步骤中，将覆盖有复合薄膜的玻璃基板放入去离子水中进行剥离，剥离后的复合薄膜放入烘箱中在100ºC下烘干12小时，得到均匀完好的苝四甲酰二亚胺类小分子改性的聚酰亚胺复合薄膜。所述混合步骤中，聚酰亚胺与N-甲基吡咯烷酮溶液的质量分数比为40%。所述混合步骤中，苝四甲酰二亚胺小分子与N-甲基吡咯烷酮溶液的质量分数比0.01%-5%。通过本专利技术的上述技术方案得到的苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，其有益效果是：1.通过向高玻璃化转变温度的介电聚合物中引入具备良好相容性和热稳定性的苝四甲酰二亚胺类小分子有效抑制了载流子迁移，大幅降低聚合物材料的电导损耗，得到的具有极高储能密度的聚合物电介质材料。2.苝四甲酰二亚胺类小分子具备极高的电子亲合能，能够俘获高能电子，消弱强电场下电子对聚合物分子链的冲击，大幅提升聚合物材料的击穿场强。3.该聚合物电介质材料可以制成大面积、高质量、介电性能均匀的薄膜，易于实现规模化工业生产。附图说明图1是本专利技术所述聚合物材料内部形成的深陷阱图；图2是本专利技术所述金属电极与聚合物介质接触界面的肖特基势垒曲线图；图3是本专利技术所述电子吸附层在施加电压后能够在聚合物表层形成反向电场图；图4是本专利技术所述聚酰亚胺的分子结构图；图5、图8、图9为本专利技术所述三种不同的苝四甲酰二亚胺类衍生物的分子结构图；图6是苝四甲酰二亚胺类衍生物改性的聚酰亚胺聚合物材料在150ºC的放电效率与能量密度随电场强度的变化关系图图7为本专利技术所述苝四甲酰二亚胺类衍生物改性的聚酰亚胺聚合物材料在150ºC的击穿场强的韦伯分布图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术进行具体描述。一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，制备原料包括苝四甲酰二亚胺类小分子、聚酰亚胺、N-甲基吡咯烷酮溶液，制备步骤包括混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤，所述混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤依次进行，所述混合步骤制得复合悬浊液，所述滴涂步骤利用复合悬浊液制得复合湿膜，所述烘干步骤中去除所述复合湿膜中的容积获得复合薄膜，所述剥离步骤将复合薄膜剥离。所述混合步骤中，先将聚酰亚胺加入N-甲基吡咯烷酮溶液中获得聚酰亚胺溶液，然后加入苝四甲酰二亚胺类小分子获得复合悬浊液。所述滴涂步骤，中采用滴涂的方式，在玻璃基板上滴涂混合悬浊液，制得复合湿膜。所述烘干步骤，将复合湿膜放入鼓风烘箱中，在80ºC下进行烘干12小时去除溶剂，然后分别在125ºC和150ºC下烘干1小时，最后在300ºC下烘干12小时，将烘干后的复合薄膜转移到真空烘箱中，在真空环境下进一步烘干24小时，彻底去除材料中的剩余溶剂。所述剥离步骤中，将覆盖有复合薄膜的玻璃基板放入去离子水中进行剥离，剥离后的复合薄膜放入烘箱中在100ºC下烘干12小时，得到均匀完好的苝四甲酰二亚胺类小分子改性的聚酰亚胺复合薄膜。所述混合步骤中，聚酰亚胺与N-甲基吡咯烷酮溶液的质量分数比为40%。所述混合步骤中，苝四甲酰二亚胺小分子与N-甲基吡咯烷酮溶液的质量分数比为0.01%-5%。苝四甲酰二亚胺类衍生物作为一种n型有机半导体，具备优异的光电性能，易于调bay位或Ｎ位的功能位点形成扭曲的苝四甲酰二亚胺类二聚体或多聚体结构。三种苝四甲酰二亚胺类衍生物的分子结构如图5所示。苝四甲酰二亚胺类小分子本身具有很大的π共轭平面，存在强烈的聚集倾向，在亚微米甚至微米级的尺度下容易聚集形成的固态的晶状结构，加上分子间强烈的π-π相互作用，容易形成激子陷阱，从而限制载流子的扩散运动。当两个或多个苝四甲酰二亚胺类小分子单元连在一起时，由于空间位阻效应，整个分子将发生扭曲，增大分子间距离，降低分子间相互作用，从而将大大抑制激基复合物形成，降载流子束缚在单个分子内。从抑制电导损耗和提高击穿场强两部分入手，提出引入具备高电子亲合能的苝四甲酰二亚胺类小分子对聚酰亚胺进行改性，利用苝四甲酰二亚胺类小分子具备极强的电子亲合能构建形成聚酰亚胺内部的电荷陷阱，抑制电导损耗的同时可以提高聚酰亚胺的击穿场强，从而大幅度提升聚酰亚胺的储能密度。实施例1在抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，制备原料包括苝四甲酰二亚胺类小分子、聚酰亚胺、N-甲基吡咯烷酮溶液，其特征在于，制备步骤包括混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤，所述混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤依次进行，所述混合步骤制得复合悬浊液，所述滴涂步骤利用复合悬浊液制得复合湿膜，所述烘干步骤中去除所述复合湿膜中的容积获得复合薄膜，所述剥离步骤将复合薄膜剥离。/n

【技术特征摘要】
1.一种苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，制备原料包括苝四甲酰二亚胺类小分子、聚酰亚胺、N-甲基吡咯烷酮溶液，其特征在于，制备步骤包括混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤，所述混合步骤、滴涂步骤、烘干步骤、剥离步骤依次进行，所述混合步骤制得复合悬浊液，所述滴涂步骤利用复合悬浊液制得复合湿膜，所述烘干步骤中去除所述复合湿膜中的容积获得复合薄膜，所述剥离步骤将复合薄膜剥离。


2.根据权利要求1中所述的苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述混合步骤中，先将聚酰亚胺加入N-甲基吡咯烷酮溶液中获得聚酰亚胺溶液，然后加入苝四甲酰二亚胺类小分子获得复合悬浊液。


3.根据权利要求1中所述的苝四甲酰二亚胺类改性的聚酰亚胺聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述滴涂步骤，中采用滴涂的方式，在玻璃基板上滴涂混合悬浊液，制得复合湿膜。


4.根据权利要求1中所述的苝四甲酰二亚胺类改...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琦，袁超，何金良，周垚，成桑，梁家杰，胡军，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11