一种发光装置及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置及制作方法，发光装置包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝；基体的上表面设有至少一个凹槽，光转换层铺设在凹槽内，发光元件埋设在光转换层内并与基体固定连接；围坝设于光转换层的上表面，围坝的内外两侧分别为内区和外区；所述光反射层设于外区并将所述光转换层的上表面覆盖；所述光透过层设于内区并将所述光转换层的上表面覆盖。在本发光装置中，设置的围坝的尺寸可以调节，从而达到控制出光面尺寸的目的，同时凹槽的尺寸面积大于围坝的尺寸面积，这样设于凹槽内的发光元件不会受限于固定的出光面尺寸的限制，可以设置更多数量的发光元件，从而满足不同出光面尺寸的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种发光装置及制作方法
本专利技术属于发光二极管
，具体涉及一种发光装置及制作方法。
技术介绍
高密度的集成封装是指将若干个发光元件封装在具有高导热系数的基体上，以串联/并联共存方式进行连接，通过基体散热，减少热阻，从而实现大功率的封装，即COB封装，以此类封装工艺得到的发光装置，具有较高的光通量/面积比，可以在较小的出光面上实现很高的光通量输出。专利CN204497269U公开了一种集成封装的发光装置，其发光元件模组位于反光杯的底部，在发光元件模组的上表面覆盖有一层光透过层，在光透过层的上表面覆盖有一层荧光片，此发光装置能够实现大功率的白光和出光均匀性高，但是其出光面的尺寸不可调，且能容纳的发光元件数量少，具有一定的局限性。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种发光装置，旨在解决现有存在的出光面的尺寸不可调、能容纳的发光元件数量少的问题。本专利技术为达到其目的，所采用的技术方案如下：一种发光装置，包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝；所述基体的上表面设有至少一个凹槽，所述光转换层铺设在所述凹槽内，所述发光元件埋设在所述光转换层内并与所述基体固定连接；所述围坝设于所述光转换层的上表面，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区；所述光反射层设于外区并将外区的所述光转换层的上表面覆盖；所述光透过层设于内区并将内区的所述光转换层的上表面覆盖。优选的，所述凹槽的形状包括圆形、方形、多边形中的一种。优选的，所述发光元件包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。优选的，所述发光元件以串联或并联或串联并联共存的阵列方式嵌装在所述凹槽内。优选的，所述围坝的直径尺寸小于所述凹槽的直径尺寸或宽度尺寸，所述围坝的上表面高于所述基体的上表面。优选的，所述光透过层的材质为透明胶。优选的，所述光转换层的上表面低于所述基体的上表面，所述光反射层的上表面和所述基体的上表面在同一水平面上，所述光透过层的上表面低于所述围坝的上表面。本专利技术还包括一种发光装置的制作方法，包括以下步骤：S1：以基体的上表面为正面，将若干个所述发光元件固定于所述基体的凹槽中，若干个所述发光元件通过所述基体进行电气连接；S2：在所述发光元件的侧面和上表面铺设一层荧光胶，形成所述光转换层；S3：在所述光转换层的上表面，以所述凹槽的中心为中心，铺设一圈围坝胶，形成围坝，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区；S4：在所述外区铺设一层光反射胶覆盖外区的所述光转换层的上表面，形成所述光反射层；S5：在所述内区铺设一层透明胶覆盖内区的所述光转换层的上表面，形成所述光透过层。优选的，在步骤S1中：所述发光元件以串联或并联或串联并联共存的阵列方式固定在所述凹槽内。优选的，在步骤S3中：所述围坝的直径尺寸小于所述凹槽的直径尺寸或宽度尺寸。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提出的发光装置及制作方法，在本发光装置中，设置的围坝的尺寸可以调节，从而达到控制出光面尺寸的目的，同时凹槽的尺寸面积大于围坝的尺寸面积，这样设于凹槽内的发光元件不会受限于固定的出光面尺寸的限制，可以设置更多数量的发光元件，从而满足不同出光面尺寸的需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例中发光装置的结构剖视图；图2是本专利技术实施例中发光装置的制作过程S1的结构示意图；图3是本专利技术实施例中发光装置的制作过程S5的结构示意图；图4是本专利技术实施例中发光装置的制作过程的流程图。附图标记说明：1-发光元件，2-基体，3-凹槽，4-光转换层，5-光反射层，6-光透过层，7-围坝。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，所描述的实施方式仅仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。参照图1至图4，本专利技术实施例提供一种发光装置，包括发光元件1、基体2、光转换层4、光反射层5、光透过层6和围坝7；所述基体2的上表面设有凹槽3，所述凹槽3的形状为圆形，所述光转换层4铺设在所述凹槽3内，所述发光元件1埋设在所述光转换层4内并与所述基体2固定连接；所述围坝7设于所述光转换层4的上表面，所述围坝7的形状为圆形，所述围坝7的直径尺寸小于所述凹槽3的直径尺寸，所述围坝7的上表面高于所述基体2的上表面，所述围坝7的内外两侧分别为内区和外区；所述光反射层5设于外区并将外区的所述光转换层4的上表面覆盖；所述光透过层6设于内区并将内区的所述光转换层4的上表面覆盖；所述光转换层4的上表面低于所述基体2的上表面，所述光反射层5的上表面和所述基体2的上表面在同一水平面上，所述光透过层6的上表面低于所述围坝7的上表面；所述光透过层6的材质为透明胶，所述光反射层5的材质为光反射胶，所述光转换层4的材质为荧光胶。进一步的，所述凹槽的形状包括圆形、方形、多边形中的一种，其中多边形为正多边形、非正多边形。正多边形可以是正三边形、正五变形或正六变形，乃至边数更大的其它正多边形。非正多边形可以是普通的五边形，其各边不相等，或者是普通的六边形，其各边不相等。进一步的，所述发光元件包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。倒装芯片不用焊线，正装芯片和垂直芯片需要焊线，可以根据不同的产品需求来选择不同种类的芯片。进一步的，所述发光元件以串联或并联或串联并联共存的阵列方式嵌装在所述凹槽内。本专利技术还公开了一种发光装置的制作方法，包括以下步骤：S1：以基体的上表面为正面，将若干个所述发光元件固定于所述基体的凹槽中，若干个所述发光元件通过所述基体进行电气连接；S2：在所述发光元件的侧面和上表面铺设一层荧光胶，形成所述光转换层；S3：在所述光转换层的上表面，以所述凹槽的中心为中心，铺设一圈围坝胶，形成围坝，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区，所述围坝的直径尺寸小于所述凹槽的直径尺寸或宽度尺寸；S4：在所述外区铺设一层光反射胶覆盖外区的所述光转换层的上表面，形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝；/n所述基体的上表面设有至少一个凹槽，所述光转换层铺设在所述凹槽内，所述发光元件埋设在所述光转换层内并与所述基体固定连接；/n所述围坝设于光转换层的上表面，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区；/n所述光反射层设于外区并将外区的所述光转换层的上表面覆盖；/n所述光透过层设于内区并将内区的所述光转换层的上表面覆盖。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝；
所述基体的上表面设有至少一个凹槽，所述光转换层铺设在所述凹槽内，所述发光元件埋设在所述光转换层内并与所述基体固定连接；
所述围坝设于光转换层的上表面，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区；
所述光反射层设于外区并将外区的所述光转换层的上表面覆盖；
所述光透过层设于内区并将内区的所述光转换层的上表面覆盖。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述凹槽的形状包括圆形、方形、多边形中的一种。


3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件以串联或并联或串联并联共存的阵列方式嵌装在所述凹槽内。


5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述围坝的直径尺寸小于所述凹槽的直径尺寸或宽度尺寸，所述围坝的上表面高于所述基体的上表面。


6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光透过层的材质为透明胶。


7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：全美君，刘明，姜志荣，徐志荣，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44