一种开关电路及电梯按键装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种开关电路及电梯按键装置，包括开关元件、第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；其中，第一二极管的阳极与第三二极管的阴极连接，第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接开关元件的第一通路端，第二二极管的阳极与第四二极管的阴极连接，第四二极管的阳极以第三二极管的阳极连接开关元件的第二通路端并且接地；第一二极管的阳极与第三二极管的阴极的连接节点与第一开关节点连接，第二二极管的阳极与第四二极管的阴极的连接节点与第二开关节点连接，当开关元件的控制端接收到有效信号时，第一开关节点与第二开关节点通过开关电路导通。本实用新型专利技术提供的开关电路及电梯按键装置使用便捷，稳定性好，使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电路及电梯按键装置
本技术涉及开关电路领域，尤其涉及一种开关电路及电梯按键装置。
技术介绍
开关电路是指具有“接通”和“断开”两种状态的电路。输入、输出信号具有两种状态的电路就是一种开关电路，例如逻辑门电路、双稳态触发器也都是开关电路。使用开关电路时，一方面，由于开关电路中相关器件的电流流向要求，开关电路外接直流电源时，需要区分不同节点的接线要求，其便捷性不高。另一方面，由于开关电路使用的特殊性，即开关电路使用较频繁，因此需要开关电路具有较好的稳定性以及较长的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种开关电路及电梯按键装置，其使用便捷，稳定性好，使用寿命长。为实现上述目的，本技术实施例第一方面提供一种开关电路，作为其中一种实施方式，该开关电路包括开关元件、第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；其中，所述第一二极管的阳极与所述第三二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极连接所述开关元件的第一通路端，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阴极连接，所述第四二极管的阳极以所述第三二极管的阳极连接所述开关元件的第二通路端并且接地；所述第一二极管的阳极与所述第三二极管的阴极的连接节点与第一开关节点连接，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阴极的连接节点与第二开关节点连接，当所述开关元件的控制端接收到有效信号时，所述第一开关节点与所述第二开关节点通过所述开关电路导通。作为其中一种实施方式，所述开关元件为NMOS管，所述第一通路端为NMOS管的漏极，所述第二通路端为NMOS管的源极，所述控制端为NMOS管的栅极。作为其中一种实施方式，所述开关元件为PMOS管，所述开关元件的第一通路端为PMOS管的源极，所述开关元件的第二通路端为PMOS管的漏极，所述开关元件的控制器为PMOS管的栅极。作为其中一种实施方式，所述第一二极管与所述第二二极管集成与同一芯片上，所述芯片型号为BAT54C。作为其中一种实施方式，所述第三二极管与所述第四二极管集成与同一芯片上，所述芯片型号为BAT54A。作为其中一种实施方式，所述开关电路还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述NMOS管的栅极连接，所述第一电阻的第二端接地。作为其中一种实施方式，所述开关电路还包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述NMOS管的栅极连接，所述第一电容的第二端接地。作为其中一种实施方式，所述开关电路还包括第二电阻，所述第二电阻连接于所述第一二极管的阳极和所述第三二极管的阴极的连接节点与所述第一开关节点之间。为实现上述目的，本技术第二方面提供一种电梯按键装置，作为其中一种实施方式，所述电梯按键装置包括至少一个上述任一实施方式所述的开关电路。综上，本技术提供一种开关电路及电梯按键装置，包括开关元件、第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；其中，第一二极管的阳极与第三二极管的阴极连接，第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接开关元件的第一通路端，第二二极管的阳极与第四二极管的阴极连接，第四二极管的阳极以第三二极管的阳极连接开关元件的第二通路端并且接地；第一二极管的阳极与第三二极管的阴极的连接节点与第一开关节点连接，第二二极管的阳极与第四二极管的阴极的连接节点与第二开关节点连接，当开关元件的控制端接收到有效信号时，第一开关节点与第二开关节点通过开关电路导通。本技术提供的开关电路及电梯按键装置通过设置四个二极管和开关元件构成两条电流回路，都可以使两个开关节点导通，其具有使用便捷，稳定性好，使用寿命长的优点。附图说明图1为本技术一实施方式提供的开关电路示意图。图2为本技术一实施方式提供的电梯按键装置结构示意图。具体实施方式应当理解，此次所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的范围。需要说明，本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。具体地，请参考图1，图1为本技术一实施方式提供的开关电路示意图。如图1所示，该开关电路包括开关元件T1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3及第四二极管D4；其中，第一二极管D1的阳极与第三二极管D3的阴极连接，第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阴极连接开关元件T1的第一通路端，第二二极管D2的阳极与第四二极管D4的阴极连接，第四二极管D4的阳极以第三二极管D3的阳极连接开关元件T1的第二通路端并且接地；第一二极管D1的阳极与第三二极管D3的阴极的连接节点与第一开关节点A连接，第二二极管D2的阳极与第四二极管D4的阴极的连接节点与第二开关节点B连接，当开关元件T1的控制端接收到有效信号时，第一开关节点A与第二开关节点B通过开关电路导通。具体地，当电流从第一开关节点A流出，流向第二开关节点B时，即第一开关节点A连接外接电源正极，如直流电源VCC时，当开关元件T1接收到有效信号使其导通时，电流从第一开关节点A流经第二二极管D2、开关元件T1以及第三二极管D3流向第二开关节点B，使第一开关节点A和第二开关节点B导通。当电流从第二开关节点B流出，流向第一开关节点A时，即第二开关节点B连接外接电源正极，如直流电源VCC时，当开关元件T1接收到有效信号使其导通时，电流从第二开关节点B流经第一二极管D1、开关元件T1以及第四二极管D4流向第一开关节点A，使第一开关节点A和第二开关节点B导通。因此本开关电路具有较高的便捷性、可以防止电源误接带来的影响。在一实施方式中，开关元件T1为NMOS管，第一通路端为NMOS管的漏极，第二通路端为NMOS管的源极，控制端为NMOS管的栅极。具体地，MOS管导通时导通压降小，只有多数载流子参与导电，其热稳定性更好，并且MOS管在工艺上MOS管更易于集成。当开关元件为NMOS管时，有效信号为高电平。在一实施方式中，开关元件T1为PMOS管，开关元件T1的第一通路端为PMOS管的源极，开关元件T1的第二通路端为PMOS管的漏极，开关元件T1的控制器为PMOS管的栅极。在一实施方式中，第一二极管D1与第二二极管D2集成与同一芯片上，芯片型号为BAT54C。具体地，BAT54C为三端贴片肖特基二极管，该型号为共阴极的平面肖特基势垒二极管。在一实施方式中，第三二极管D3与第四二极管D4集成与同一芯片上，芯片型号为BAT54A。具体地，BAT54A为三端贴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电路，其特征在于，包括开关元件、第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；/n其中，所述第一二极管的阳极与所述第三二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极连接所述开关元件的第一通路端，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阴极连接，所述第四二极管的阳极以所述第三二极管的阳极连接所述开关元件的第二通路端并且接地；/n所述第一二极管的阳极与所述第三二极管的阴极的连接节点与第一开关节点连接，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阴极的连接节点与第二开关节点连接，当所述开关元件的控制端接收到有效信号时，所述第一开关节点与所述第二开关节点通过所述开关电路导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，其特征在于，包括开关元件、第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；
其中，所述第一二极管的阳极与所述第三二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极连接所述开关元件的第一通路端，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阴极连接，所述第四二极管的阳极以所述第三二极管的阳极连接所述开关元件的第二通路端并且接地；
所述第一二极管的阳极与所述第三二极管的阴极的连接节点与第一开关节点连接，所述第二二极管的阳极与所述第四二极管的阴极的连接节点与第二开关节点连接，当所述开关元件的控制端接收到有效信号时，所述第一开关节点与所述第二开关节点通过所述开关电路导通。


2.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述开关元件为NMOS管，所述第一通路端为NMOS管的漏极，所述第二通路端为NMOS管的源极，所述控制端为NMOS管的栅极。


3.根据权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述开关元件为PMOS管，所述开关元件的第一通路端为PMOS管的源极，所述开关元件的第二通路端为PMOS管的漏极，所述开...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志伟，
申请(专利权)人：深圳市伏茂斯科技开发有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44