基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法技术

技术编号:27643075 阅读:53 留言:0更新日期:2021-03-12 14:03
本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法。该制备方法至少包括以下步骤:S100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板;S200、将所述聚合物薄膜图形化;S300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属,得到聚合物填充的金属格栅图形衬底;S400、钙钛矿量子点前驱体嵌入所述金属格栅图形衬底的聚合物中,析出钙钛矿量子点,即可得到所述基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜。该方法可大面积、高分辨率、高重复性、低成本的制备稳定性良好,并可兼容传统半导体光刻工艺的钙钛矿量子点荧光复合功能薄膜,从而为制备光电探测器、相机模块、阵列激光器、多色显示和荧光防伪标识等器件提供了规模化生产的可行性。

【技术实现步骤摘要】
基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法
本申请涉及一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜及其制备方法、应用,属于显示材料

技术介绍
在光电应用领域,为实现功能和美观的要求,图形化功能材料被广泛研究和应用,例如,集成电路中的曲径结构、光学波导中的台面构筑、图像显示领域中的像素矩阵和荧光防伪标识等。材料表面微图形化是利用微图形技术在材料表面构筑具有规则、有序结构的微图形化功能区域,其中光刻是微图形技术的重要组成部分,主要应用在集成电路制造中。它是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到单晶表面或介质层上,形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。它可以精确地控制形成图形的形状和大小,工艺成熟,具有高的可重复性和图形分辨率,此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。钙钛矿量子点具有发光波长可调谐,发光线宽窄,发光效率高等优点,经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷成膜后集成到电致发光器件(LED)中可以作为有效的激子辐射复合中心,是应用于固态照明和全色平板显示的新一代发光材料。具有色域广、色纯度高、低成本、易加工等优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括以下步骤:/nS100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板;/nS200、将所述聚合物薄膜图形化;/nS300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属,得到聚合物填充的金属格栅图形衬底;/nS400、钙钛矿量子点前驱体嵌入所述金属格栅图形衬底的聚合物中,析出钙钛矿量子点,即可得到所述基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括以下步骤:
S100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板;
S200、将所述聚合物薄膜图形化;
S300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属,得到聚合物填充的金属格栅图形衬底;
S400、钙钛矿量子点前驱体嵌入所述金属格栅图形衬底的聚合物中,析出钙钛矿量子点,即可得到所述基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜。


2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤S100中,所述聚合物薄膜的厚度为1~50μm;
优选地,所述基板选自可见光范围内透明的无机材料或者有机材料;
所述无机材料包括石英玻璃、蓝宝石衬底、氟化镁衬底、钠玻璃、硼玻璃、冕类光学玻璃中的任一种;
所述有机材料包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚醚酰亚胺中的任一种。


3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S100包括:
S101、获得含有聚合物的第一溶液;
S102、将所述第一溶液涂覆在所述基板上,去除所述第一溶液中的有机溶剂,即可得到所述含有聚合物薄膜覆盖的基板;
优选地,所述聚合物选自聚碳酸酯、聚己内酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯树脂、聚丙交酯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、醋酸纤维素、聚乙烯醇、聚丙烯腈、醋酸纤维素中的任意一种;
所述第一溶液中的有机溶剂选自氯仿、四氢呋喃、二氯甲烷、二甲基亚砜、甲苯、二甲苯、N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、丙酮中的任意一种;
优选地,所述聚合物与有机溶剂的质量比为1:1~50。


4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S200包括:在聚合物薄膜的表面通过光刻得到光刻胶图形,对外露的所述聚合物薄膜进行氧气刻蚀,使得所述光刻胶图形转移到所述聚合物薄膜上。


5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在步骤S300中,所述金属选自钛、铝、镍、银、钼中的至少一种。


6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S300包括:在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属,剥离光刻胶,得到聚合物填充的金属图形格栅衬底。


7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S400包括:
S401、将所述金属图形格栅衬底进行光刻,使待处理的聚合物薄膜外露;
S402、将含有钙钛矿量子点前驱体的第二溶液涂覆在外露的所述待处理的聚合物薄膜上...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟海政孟令海施立甫江峰
申请(专利权)人:北京理工大学致晶科技北京有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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