一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法技术

本申请涉及热敏电阻技术领域，具体公开了一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法。负温度系数热敏电阻芯片由包含以下重量份的原料制成：771.24‑771.34份Mn

【技术实现步骤摘要】
一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法
本申请涉及热敏电阻
，更具体地说，它涉及一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法。
技术介绍
热敏电阻器是一种敏感元件，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器(PTC)和负温度系数热敏电阻器(NTC)，热敏电阻器的典型特点是对温度敏感不同，不同的温度下表现出不同的电阻值，PTC热敏电阻在温度越高时，电阻值越大，NTC热敏电阻在温度越高时，电阻值越低，他们同属于半导体器件。负温度系数热敏电阻是利用锰、钴、镍、铜、硅、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺制成的半导体陶瓷，具有对温度敏感、互换性好、响应快以及体积小等诸多优点，被广泛应用于温度控制、补偿、测量等方面。随着应用研究的广泛深入，发现NTC热敏电阻在使用过程中存在严重的老化问题，具体表现为：随着时间的推移，NTC热敏电阻室温阻值不稳定，即热敏指数(B值)和电阻值(R值)随使用时间的增加而变大，当负温度系数热敏电阻应用于高温设备(如大型饮水机、大型热水器)时，需要长时间在高温环境下工作，一般在高温环境下100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：/n771.24-771.34份 Mn

【技术特征摘要】
1.一种负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：
771.24-771.34份Mn3O4；
215.82-215.92份NiO；
12.79-12.89份Al2O3。


2.根据权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：
771.29份Mn3O4；
215.87份NiO；
12.84份Al2O3。


3.权利要求1-2任一项所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、称料：称取Mn3O4、NiO和Al2O3，混合，形成原料粉末，原料粉末总重为1000重量份，再称取990-1010重量份的蒸馏水、4.9-5.1重量份的分散剂和0.9-1.1重量份的消泡剂；
S2、混合：将原料粉末和混合均匀后的蒸馏水、分散剂和消泡剂混合、研磨，研磨23-25h；
S3、煅烧：将研磨后的物料在170-190℃下干燥20-25h，取出粉碎28-35s，再将粉碎后的物料在840-850℃下煅烧4-4.5h；
S4、微粉碎：将分散剂、消泡剂、离型剂、浓度为10.06-10.14%的PVA、蒸馏水和煅烧后的物料混合，研磨23-25h，其中各原料的重量份为：分散剂1.4-1.6份、消泡剂1.4-1.6份、离型剂2.9-3.1份、PVA99-101份、蒸馏水725-775份；
S5、喷雾造粒：将微粉碎后的粉末进行喷雾造粒，制成原料颗粒，控制喷雾压强为0-0.2MPa，压差为0-0.4MPa，喷雾进口温度为190-200℃，出口温度为85-95℃；
S6、压片成型：将雾化制成的颗粒过筛后压制成型，得到晶片；
S7、预烧结：将晶片在450-1050℃下烧结10h；
S8、烧结：将预烧结后的晶片进行烧结，温度控制如下：从室温以200℃/h的速度升温至1000℃，再以100℃/h的速度升温至1200℃，保温8h，烧结完成，降温至室温；
S9、抛光：将晶片用研磨液进行表面抛光，再将晶片用超声波清洗，干燥；
S10、刷银：在晶片表面涂刷导电银浆，干燥后再110-130℃下老化23-25h，再进行切割、清洗、烘干，制得负温度系数热敏电阻芯片。


4.根据权利要求3所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，所述S1中，Mn3O4、NiO和Al2O3使用前，在100-120℃的条件下干燥20-25h。


5.根据权利要求3所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：鱼灌，金成慧，赵振波，张向营，
申请(专利权)人：青岛三元传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37