芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片技术

本发明专利技术公开了一种芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。由此通过沉积、生长、再沉积、图形化、蚀刻、释放操作，获得了工艺集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。

【技术实现步骤摘要】
芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片


[0001]本专利技术属于芯片制备领域，尤其涉及一种芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片。

技术介绍

[0002]麦克风的芯片一般是采用微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)。当前MEMS的钝化层一般是氮化硅材料，但是常规的氮化硅材料不耐氢氟酸的腐蚀，耐氢氟酸腐蚀的氮化硅材料需要在较高的生长温度从而限制了在MEMS上集成不耐高温器件。并且氮化硅材料的MEMS在刻蚀过程中需要较厚的材料以防止氢氟酸的侵蚀。并且由此导致芯片的可靠性和兼容性受限。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片，旨在实现提高芯片钝化层的可靠性和兼容性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种芯片炖化层的制备方法，所述方法包括：
[0005]在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；
[0006]在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；
[0007]在所述第二结构的上表面进行氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片炖化层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构，包括：采用等离子体增强化学气相沉积PECVD法在所述硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得所述第一结构，其中反应气体是SiH4与N2或者SiH4与N2O。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构，包括：采用PECVD法在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得所述第二结构，其中非晶硅的生长条件是：200℃，反应室压力1Torr，反应气体SiH4与H2的稀释比为1:1-1:12，其中SiH4流量为100sccm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，包括：采用PECVD法在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构，其中所述第三结构的最上层为氧化硅层，氧化硅沉积的条...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁凯文，冷群文，邹泉波，赵海轮，安琪，周汪洋，周良，
申请(专利权)人：歌尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：