温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种芯片炖化层的制备方法、芯片炖化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获...
该专利属于歌尔微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过歌尔微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。