RF能量放射装置制造方法及图纸

RF能量放射装置具备用于载置加热对象物的腔室、RF信号产生部、RF放大部、放射元件、温度传感器和控制部。RF信号产生部振荡出RF信号。RF放大部放大RF信号并输出RF能量。放射元件向腔室内放射RF能量。温度传感器配置在RF放大部的附近。控制部控制RF放大部根据温度传感器的检测温度和多个阈值水平来调整RF能量的输出。根据本方式，能够提高装置的可靠性。能够提高装置的可靠性。能够提高装置的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】RF能量放射装置


[0001]本公开涉及RF能量放射装置的可靠性提高。

技术介绍

[0002]以往，微波炉等RF(Radio Frequency：射频)能量放射装置检测反射波功率，根据反射波功率的大小调整输出功率，当反射波功率的大小为规定值以上时停止输出。由此，现有的RF能量放射装置保护装置自身(例如，参照专利文献1)。在专利文献2中公开了除了进行反射波功率的检测之外还进行高频电流的检测，由此提高装置的保护性的技术。
[0003]图7表示专利文献1中记载的现有的RF能量放射装置。如图7所示，现有的RF能量放射装置具备磁控管1、控制部6和检测部5。
[0004]控制部6控制驱动部7。当驱动部7向磁控管1供给电力时，磁控管1产生微波。波导管2将微波传输到供电部4。供电部4向腔室(Cavity)3内放射微波。
[0005]检测部5检测从腔室3经由供电部4返回波导管2的反射波功率。控制部6根据由检测部5检测出的反射波功率来控制驱动部7。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开平4-245191号公报
[0009]专利文献2：日本特开平2-087929号公报

技术实现思路

[0010]在现有的RF能量放射装置中，根据半导体放大装置的能量效率，消耗能量的30％～50％作为热被放出。该能量效率根据负载、环境温度而变化，放出的热量也变化。该发热和效率的关系是使用半导体放大装置方面的大课题。接收反射波功率的终端器吸收反射功率而产生热。因此，仅检测反射功率和高频电流未必能够有效地保护装置。
[0011]本专利技术是为了解决所述现有的问题而提出的，其目的在于提供一种可靠性高的RF能量放射装置。
[0012]本专利技术的一个方式的RF能量放射装置具备用于载置加热对象物的腔室、RF信号产生部、RF放大部、放射元件、温度传感器以及控制部。RF信号产生部振荡出RF信号。RF放大部将RF信号放大并输出RF能量。放射元件向腔室内放射RF能量。温度传感器配置在RF放大部的附近。控制部控制RF放大部根据温度传感器的检测温度和多个阈值水平来调整RF能量的输出。
[0013]本方式的RF能量放射装置通过监视发热部件的温度来调整RF能量，从而能够高效地向加热对象物放射RF能量。另外，本方式的RF能量放射装置通过监视发热部件的温度，能够检测出安装不良的发生而使装置瞬时停止。其结果，能够提高装置的可靠性。
附图说明
[0014]图1是表示本公开的实施方式的RF能量放射装置的结构的框图。
[0015]图2是表示实施方式的功率放大器的结构的框图。
[0016]图3是表示实施方式的RF能量放射装置的动作顺序的图。
[0017]图4是表示实施方式的加热对象物的两个温度上升直线的特性图。
[0018]图5是表示温度传感器的一个安装构造的剖视图。
[0019]图6是表示温度传感器的其他安装构造的剖视图。
[0020]图7是表示现有的RF能量放射装置的结构的框图。
具体实施方式
[0021]本公开的第一方式的RF能量放射装置具备用于载置加热对象物的腔室、RF信号产生部、RF放大部、放射元件、温度传感器以及控制部。RF信号产生部振荡出RF信号。RF放大部将RF信号放大并输出RF能量。放射元件向腔室内放射RF能量。温度传感器配置在RF放大部的附近。控制部控制RF放大部根据温度传感器的检测温度和多个阈值水平来调整RF能量的输出。
[0022]在本公开的第二方式的RF能量放射装置中，在第一方式的基础上，若温度传感器的检测温度超过多个阈值水平中的一个阈值水平，则控制部控制RF放大部根据超出该一个阈值水平的温度来调整RF能量的输出值。
[0023]在本公开的第三方式的RF能量放射装置中，在第二方式的基础上，当由温度传感器检测出的检测温度超过比该一个阈值水平高的其他阈值水平时，控制部控制RF放大部使RF能量的输出值降低。
[0024]在本公开的第四方式的RF能量放射装置中，在第三方式的基础上，该其他阈值水平根据温度传感器的检测温度的上升速度而变化。
[0025]在本公开的第五方式的RF能量放射装置中，在第二方式的基础上，当温度传感器的检测温度超过比该一个阈值水平高的其他阈值水平时，控制部使RF信号产生部停止。
[0026]在本公开的第六方式的RF能量放射装置中，在第一方式的基础上，多个阈值水平包括第一阈值水平、比第一阈值水平高的第二阈值水平、比第二阈值水平高的第三阈值水平。当温度传感器的检测温度超过第一阈值水平时，控制部控制RF放大部根据超出第一阈值水平的温度来调整RF能量的输出。当温度传感器的检测温度超过第二阈值水平时，控制部控制RF放大部降低RF能量的输出。当温度传感器的检测温度超过第三阈值水平时，控制部使RF信号产生部停止。
[0027]在本公开的第七方式的RF能量放射装置中，在第6方式的基础上，第二阈值水平根据温度传感器的检测温度的上升速度而变动。
[0028]在本公开的第八方式的RF能量放射装置中，在第一方式的基础上，包括RF放大部的半导体元件以半导体元件的底部与底板接触的方式配置于基板。温度传感器配置在基板的与配置有半导体元件的面相反的面。
[0029]在本公开的第九方式的RF能量放射装置中，在第一方式的基础上，包括RF放大部的半导体元件以半导体元件的底部与底板接触的方式配置于基板。温度传感器配置在基板的与配置有半导体元件的面相同的面。
[0030]以下，参照附图对本公开的实施方式的RF能量放射装置100进行说明。
[0031]图1是表示RF能量放射装置100的结构的框图。图2是表示功率放大器102a的结构的框图。功率放大器102a、102b具有相同的结构。因此，仅详细说明功率放大器102a，省略功率放大器102b的详细说明。
[0032]如图1所示，RF能量放射装置100具备振荡器101a、101b、功率放大器102a、功率放大器102b、检测器103a、检测器103b、环行器(circulator)104a、环行器104b、终端器105a、终端器105b、放射元件107a、放射元件107b以及腔室108。
[0033]振荡器101a、101b振荡出RF信号。功率放大器102a、102b通过分别放大由振荡器101a、101b振荡出的RF信号来输出RF电力。检测器103a、103b检测从RF能量放射装置100向放射元件107a、107b传送的RF电力和从放射元件107a、107b向RF能量放射装置100传送的RF电力。
[0034]振荡器101a、101b相当于RF信号产生部，振荡器101a、101b相当于RF放大部，检测器103a、103b相当于RF功率检测部。
[0035]以下，将从RF能量放射装置100向放射元件107a、107b传送的RF电力称为行波，将从放射元件107a、107b向RF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种RF能量放射装置，其具备：腔室，其构成为载置加热对象物；RF信号产生部，其构成为振荡出RF信号；RF放大部，其构成为放大所述RF信号并输出RF能量；放射元件，其构成为向所述腔室内放射所述RF能量；温度传感器，其配置在所述RF放大部附近；以及控制部，其构成为控制所述RF放大部根据所述温度传感器的检测温度和多个阈值水平来调整所述RF能量的输出值。2.根据权利要求1所述的RF能量放射装置，其中，当所述温度传感器的所述检测温度超过所述多个阈值水平中的一个阈值水平时，所述RF放大部根据超出所述一个阈值水平的温度来调整所述RF能量的所述输出值。3.根据权利要求2所述的RF能量放射装置，其中，当所述温度传感器的所述检测温度超过比所述一个阈值水平高的其他阈值水平时，所述控制部控制所述RF放大部使所述RF能量的所述输出值降低。4.根据权利要求3所述的RF能量放射装置，其中，所述其他阈值水平根据所述温度传感器的所述检测温度的上升速度而变动。5.根据权利要求2所述的RF能量放射装置，其中，当所述温度传感器的所述检测温度超过比所述一个阈值水平高的其他阈值水平时，所述控制部使所述RF信号产生部停止。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野伸司，平本雅祥，小笠原史太佳，岩田基良，夘野高史，福井干男，细川大介，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：