与晶片有关的电弧危害的检测制造技术

一种用于检测与晶片有关的电弧危害的方法、非暂态计算机可读介质和检测系统。所述检测系统可包括测量单元、电极和处理单元。所述测量单元可被配置为当所述晶片可相对于所述电极移动时，以及当特定电场可形成在所述电极与所述晶片之间时，通过在测试时段期间测量所述电极的电参数来提供测量结果；其中所述特定电场引发所述晶片的部分地分离的导电元件的分离端部移动远离所述晶片。所述处理单元可被配置为基于所述测量结果来确定所述电弧危害的存在。的存在。的存在。

【技术实现步骤摘要】
与晶片有关的电弧危害的检测
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年9月4日提交的美国非临时申请第16/560,625号的权益，所述申请的全部内容出于所有目的以引用的方式并入本文。

技术介绍

[0003]晶片(诸如半导体晶片)经历多个机械和化学工艺，这可能会造成各种类型的缺陷。一种类型的缺陷是形成部分地可分离的元件。部分地可分离的元件的非限制性示例是导电晶须。
[0004]带电粒子评估系统(诸如扫描电子显微镜(SEM))评估晶片，同时在晶片与带电粒子评估系统的电极之间引入非常高的电压差(例如，超过一千伏)。电极可为电子光学器件的一部分，并且例如，可为带电粒子评估系统的物镜。
[0005]电弧是产生了长时间放电的气体的电击穿，。通过通常非导电介质(诸如空气)的泄漏电流产生等离子体，并且等离子体可产生可见光。(www.wikipedia.org)。
[0006]在高电压条件下，可将部分地可分离的元件拉向带电粒子评估系统的电极，并且即使部分地可分离的元件不与电极接触，也可触发电弧的形成。
[0007]带电粒子评估系统中电弧的形成可引起晶片毁坏，并且可严重地损坏带电粒子评估系统。从(i)其中泄漏电流在带电粒子评估系统与晶片之间开始的状态和(ii)电弧的形成起的恶化是非常快的。在许多情况下，恶化太快，并且一旦开始，就无法阻止电弧的形成。
[0008]因此，部分地可分离的元件被认为是电弧危害。
[0009]当不施加高电压条件时，部分地可分离的元件不会被从晶片拉开，并且难以检测。
[0010]越来越需要提供一种准确且高效的方式来在形成实际电弧之前检测出电弧危害。

技术实现思路

[0011]本公开内容的一些实施例涉及一种用于检测与晶片有关的电弧危害的方法、非暂态计算机可读介质和检测系统。所述检测系统可包括测量单元、电极和处理单元。所述测量单元可被配置为当所述晶片可相对于所述电极移动时，以及当特定电场可形成在所述电极与所述晶片之间时，通过在测试时段期间测量所述电极的电参数，提供测量结果；其中所述特定电场引发所述晶片的部分地分离的导电元件的分离端部移动远离所述晶片。所述处理单元可被配置为基于所述测量结果来确定所述电弧危害的存在。
附图说明
[0012]在本说明书的结论部分中特别地指出并明确地要求保护被视为本公开内容的实施例的主题。然而，就组织和操作方法两者方面，本公开内容的实施例连同其目标、特征和优点可在阅读附图时参考以下详细描述来最佳地理解，在附图中：
[0013]图1示出了检测系统的一部分的示例；
[0014]图2示出了检测系统的一部分的示例；
[0015]图3示出了检测系统的两个版本的示例；
[0016]图4示出了嵌入在带电粒子评估系统中的检测系统的一部分；
[0017]图5示出了电极和附加电极的示例；
[0018]图6是在多个测试时段期间由测量单元测量的泄漏电流的示例；以及
[0019]图7示出了方法的示例。
具体实施方式
[0020]在以下详细描述中，阐述了许多具体细节，以便提供对本公开内容的实施例的透彻理解。
[0021]然而，本领域的技术人员将理解，本公开内容的当前实施例可在没有这些具体细节的情况下实践。在其他情况下，尚未详细地描述所熟知的方法、过程和部件，以免模糊本公开内容的当前实施例。
[0022]在本说明书的结论部分中特别地指出并明确地要求保护被视为本公开内容的实施例的主题。然而，就组织和操作方法两者方面，本公开内容的实施例连同其目标、特征和优点可在阅读附图时参考以下详细描述来最佳地理解。
[0023]将了解，为了简洁地和清晰地示出，附图中所示的要素不一定按比例绘制。例如，为了清晰起见，一些要素的尺寸可相对于其他要素被夸大。另外，被认为适当的是，附图标记在附图间可重复以指示对应的或相似的要素。
[0024]由于本公开内容的所示出的实施例大部分都可使用本领域的技术人员所已知的电子部件和电路来实施，因此，为了理解和了解本公开内容的当前实施例的基础概念并为了不使本公开内容的当前实施例的教导产生混乱或歧义，细节除了如上所示的必要解释之外不作任何更大程度上的解释。
[0025]在本说明书中对方法的任何引用都应加以必要变更以适用于能够执行所述方法的系统并都应加以必要变更以适用于非暂态的并存储用于执行所述方法的指令的计算机可读介质。
[0026]在本说明书中对系统的任何引用都应加以必要变更以适用于可由系统执行的方法并都应加以必要变更以适用于非暂态的并存储可由系统执行的指令的计算机可读介质。
[0027]在本说明书中对非暂态计算机可读介质的任何引用都应加以必要变更以适用于当执行存储在计算机可读介质中的指令时可应用的方法并都应加以必要变更以适用于被配置为执行存储在计算机可读介质中的指令的系统。
[0028]术语“和/或”意味着附加地或替代地。
[0029]已经发现，可由检测系统执行电弧危害的检测，所述检测系统可(i)引发部分地可分离的元件的分离端部被从晶片拉开，并且(ii)检测部分地可分离的元件的分离端部。
[0030]检测可在由带电粒子评估系统评估晶片之前执行，并且可阻止在带电粒子评估系统内形成电弧。
[0031]检测系统可被配置为检测与晶片有关的电弧危害。检测系统可包括供应单元或可被配置为耦接到供应单元。检测系统可包括晶片支撑单元但可被配置为在测试时段期间接收由晶片支撑单元支撑(并由晶片支撑单元移动)的晶片。
[0032]图1示出了检测系统的部分101的示例。检测系统可包括测量单元(在图3中表示为
201)、电极30和处理单元(在图3中表示为210)。处理单元可包括至少一个处理电路。处理电路可包括一个或多个硬件处理器，诸如一个或多个通用单元、一个或多个图形处理单元、一个或多个硬件加速器、一个或多个神经网络芯片、一个或多个现场可编程门阵列等。
[0033]测量单元201被配置为通过在测试时段期间测量电极的电参数来提供测量结果。在测试时段期间，晶片10相对于电极30移动，并且特定电场形成在电极30与晶片10之间。可通过由一个或多个供应单元(诸如图3的供应单元202)在电极30与晶片10之间引入电压差来形成特定电场。特定电场在测试时段期间可为固定值或在测试时段期间可变化。特定电场引发晶片的部分地可分离的导电元件的分离端部远离晶片朝向电极30移动。
[0034]在由带电粒子评估系统评估晶片期间，特定电场可模仿或近似由带电粒子评估系统施加在晶片上的电场。
[0035]如果由带电粒子评估系统预计晶片经受不同电场值，则可基于这些不同值中的一个、一些或全部来确定特定电场。例如，晶片可经历多次不同的测试迭代，以测试特定电场的不同值。不同的测试迭代的结果可指示在晶片的评估期间电场的哪些值可由带电粒子评估系统安全地施加。
[0036]特定电场可比由带电粒子评估系统施加在晶片上的最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于检测与晶片有关的电弧危害的检测系统，所述检测系统包括：电极；测量单元，所述测量单元被配置为当所述晶片相对于所述电极移动时，以及当特定电场形成在所述电极与所述晶片之间时，通过在测试时段期间测量所述电极的电参数来提供测量结果，所述特定电场引发所述晶片的部分地分离的导电元件的分离端部移动远离所述晶片；以及处理单元，所述处理单元被配置为基于所述测量结果来确定所述电弧危害的存在。2.根据权利要求1所述的检测系统，进一步包括晶片支撑单元，所述晶片支撑单元被配置为支撑所述晶片并在所述测试时段期间相对于所述电极移动所述晶片。3.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述晶片支撑单元被配置为支撑所述晶片而不整平所述晶片。4.根据权利要求1所述的检测系统，进一步包括供应单元，所述供应单元电耦接到所述电极和所述晶片，并且被配置为维持在所述电极与所述晶片之间的所述特定电场。5.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述测量单元是被配置为在所述测试时段期间测量从所述电极到所述晶片的泄漏电流的电流计。6.根据权利要求5所述的检测系统，其特征在于，所述测量单元被配置为当所述电极与所述晶片的主体彼此间隔开时，在所述测试时段期间，测量从所述电极到所述晶片的泄漏电流。7.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述电极由支撑单元支撑并在所述测试时段期间定位在所述晶片的路径上方。8.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述电极由支撑单元支撑并被配置为在所述测试时段期间包围所述晶片。9.根据权利要求1至8中任一项所述的检测系统，进一步包括至少一个附加电极；其中所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：