错误检测制造技术

本公开涉及错误检测。一种用于检测存储器中的数据的写入错误的方法，包括：将表示所述数据的二进制字的相同大小的至少两个部分存储在至少两个相同的存储器电路中的相同地址处；以及比较所述两个存储器电路的内部控制信号以确定写入错误的存在。号以确定写入错误的存在。号以确定写入错误的存在。

【技术实现步骤摘要】
错误检测
[0001]本申请要求于2019年9月4日提交的法国专利申请号1909725的优先权权益，其内容在法律允许的最大程度上通过引用以其全部内容结合在此。


[0002]本公开总体上涉及电子系统和电路，并且更具体地涉及包括存储器的电子系统和电路。本公开还更具体地涉及在这些存储器中的数据的读取和写入，并且更具体地涉及在数据的读取和写入期间的错误的检测。

技术介绍

[0003]在系统或电子电路的操作期间，数据管理通常需要使用一个或多个存储器。例如，在使用之前或之后，从这些存储器写入和/或读取操作数据。
[0004]在存储器中的数据的读取和/或写入期间可能会遇到许多错误或故障。作为示例，读取错误可包括读取不正确地址处的数据。写入错误可包括在不正确的地址处写入数据。这些错误可以是意外的或故意的。作为示例，故意的错误可由例如由攻击者实施的故障注入方法产生，其目的在于更改电子系统的操作。
[0005]期望能够至少部分地改进用于在存储器中读取和/或写入数据的方法的某些方面，并且更具体地，改进用于在存储器中读取和/或写入数据中检测错误本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于检测存储器中的数据的写入错误的方法，包括：将表示所述数据的二进制字的相同大小的至少两个部分存储在第一存储器电路和第二存储器电路两者中的相同地址处，其中所述第一存储器电路和所述第二存储器电路相同；响应于所述存储，由所述第一存储器电路和所述第二存储器电路中的每个存储器电路生成内部控制信号；以及比较由所述第一存储器电路和所述第二存储器电路生成的所述内部控制信号，并且当所述内部控制信号不匹配时指示所述写入错误。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部控制信号包括字信号。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部控制信号包括选择信号。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部控制信号包括写入激活信号。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部控制信号包括选择/列号信号。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部控制信号包括选择/行号信号。7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括根据所述数据和错误校正或检测码生成所述二进制字。8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括根据所述数据和所述地址生成所述错误校正或检测码。9.根据权利要求7所述的方法，其中生成所述二进制字包括串接所述数据和所述错误校正或检测码。10.根据权利要求7所述的方法，其中生成所述错误校正或检测码包括应用签名方法。11.一种存储器系统，包括：第一存储器电路；第二存储器电路；其中所述第一存储器电路和所述第二存储器电路是相同的；处理电路，被配置为：生成表示数据的二进制字；将所述二进制字拆分...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：