半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包括第一静态随机存取存储器(SRAM)阵列，其包括第一静态随机存取存储器单元；以及第二静态随机存取存储器阵列，其包括第二静态随机存取存储器单元。第一静态随机存取存储器单元包括第一下拉(PD)装置，其包括单一鳍片N型鳍式场效晶体管。单一鳍片N型鳍式场效晶体管包括具有第一厚度的第一栅极介电质。第二静态随机存取存储器单元包括第二下拉装置，其包括多鳍片N型鳍式场效晶体管。多鳍片N型鳍式场效晶体管包括具有第二厚度的第二栅极介电质。第一厚度大于第二厚度。栅极介电质。第一厚度大于第二厚度。栅极介电质。第一厚度大于第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置，特别是具有高密度静态随机存取存储器单元和高电流静态随机存取存储器单元的半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体装置用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置通常通过依次在半导体基板上方沉积绝缘层或介电层、导电层以及材料的半导体层，并且使用微影制程图案化各种材料层以在其上形成电路部件和元件来制造。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子部件(例如：晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，这允许将更多的部件整合到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的减小，出现了应解决的额外问题。
[0004]静态随机存取存储器(static random access memory；SRAM)通常用于集成电路中。SRAM单元具有无需刷新(refresh)而可保持数据的优点。随着对集成电路速度的越来越高的要求，SRAM单元的读取速度和写入速度也变得越来越重要。然而，随着已经非常小的SRAM单元的规模越来越小，这种要求难以实现。举例来说，金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一静态随机存取存储器阵列，包括一第一静态随机存取存储器单元，其中上述第一静态随机存取存储器单元包括：一第一下拉装置，包括一单一鳍片N型鳍式场效晶体管，上述单一鳍片N型鳍式场效晶体管包括一第一栅极介电质，其中上述第一栅极介电质具有一第一厚度；以及一第一上拉装置，包括一第一单一鳍片P型鳍式场效晶体管；以及一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：