光电器件及其制作方法技术

本发明专利技术实施例涉及一种光电器件及其制作方法，例如包括：基底；多个发光芯片，设置在所述基底上、且电连接所述基底；第一环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置；第一波长转换层，设置在所述第一环形结构内、且覆盖所述多个发光芯片；第二环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置、且与所述第一环形结构接触连接；以及第二波长转换层，设置在所述第二环形结构内、且覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。本发明专利技术实施例可以改善光电器件的出光均匀度，提升光电器件的出光质量。的出光质量。的出光质量。

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种光电器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前，光电器件例如发光二极管封装结构有采用双层点胶工艺，其具体是：在安装有蓝光发光二极管芯片的镜面铝基底上形成一个环形结构，以及在所述环形结构内点第一层荧光胶(例如含红色荧光粉的封装胶)并烘干后、再点第二层荧光胶(例如含绿色或黄色荧光粉的封装胶)并烘干。然而，在第一层荧光胶点入所述环形结构内后，由于所述环形结构与第一层荧光胶之间的表面张力，所述第一层荧光胶会在所述环形结构侧壁爬胶形成弧面，导致所述第一层荧光胶呈现中间低四周高的内凹状态；这样一来，所述第二荧光胶会出现中间厚四周薄的情形，从而严重影响发光二极管封装结构的发光均匀性，出射的光斑呈现中心与外圈颜色差异很大的情况。此外，如果所述双层点胶工艺采用自然沉淀或离心沉淀等双层点胶沉淀工艺，不但会有发光均匀性问题，若所述第一层荧光胶中荧光粉用量低，还可能会产生侧漏蓝光问题。因此，有必要改善现有光电器件例如发光二极管封装结构的出光质量。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，为克服现有技术中的至少部分缺陷和不足，本专利技术实施例提供一种光电器件及其制作方法，以提升光电器件例如发光二极管封装结构的出光质量。
[0004]具体地，本专利技术实施例提出的一种光电器件，包括：基底；多个发光芯片，设置在所述基底上、且电连接所述基底；第一环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置；第一波长转换层，设置在所述第一环形结构内、且覆盖所述多个发光芯片；第二环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置、且与所述第一环形结构接触连接；以及第二波长转换层，设置在所述第二环形结构内、且覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。
[0005]在本专利技术的一个实施例中，所述第一环形结构与所述第二环形结构依次层叠设置在所述基底上，从而所述第一环形结构位于所述第二环形结构与所述基底之间；以及所述第一环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离大于或等于所述第二环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离。
[0006]在本专利技术的一个实施例中，所述第二波长转换层与所述第一波长转换层远离所述基底的顶面直接接触，且所述第一波长转换层的所述顶面的边缘不高于所述第二环形结构的侧壁内表面与所述第一环形结构的侧壁内表面之间的接合线。
[0007]在本专利技术的一个实施例中，所述第一波长转换层的所述顶面为平面或外凸面。
[0008]在本专利技术的一个实施例中，所述第二环形结构环绕所述第一环形结构设置、且与所述第一环形结构的侧壁外表面接触；以及所述第二环形结构在所述基底上的厚度大于所
述第一环形结构在所述基底上的厚度。
[0009]在本专利技术的一个实施例中，所述第一环形结构的材料与所述第二环形结构的材料不同。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，所述第一环形结构为可见光透明材料，且所述第二环形结构为可见光不透明材料。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，所述光电器件还包括：第三环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置；以及封装胶，填充在所述第三环形结构内、且不包含荧光粉；其中，所述第三环形结构位于所述第一环形结构与所述基底之间，且所述封装胶接触并覆盖所述多个发光芯片；或者，所述第三环形结构位于所述第二环形结构远离所述第一环形结构的一侧，所述封装胶接触并覆盖所述第二波长转换层远离所述基底的顶面，且所述封装胶包含有光扩散粒子。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，所述基底包括金属基材、绝缘层、电路层和保护层；所述绝缘层位于所述金属基材与所述电路层之间，所述电路层位于所述绝缘层与所述保护层之间，且所述保护层局部暴露出所述电路层；以及所述多个发光芯片电连接所述电路层。
[0013]此外，本专利技术实施例提供的一种光电器件的制作方法，包括：(i)提供基底；(ii)在所述基底上设置多个发光芯片，并使所述多个发光芯片电连接所述基底；(iii)在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第一环形结构；(iv)在所述第一环形结构内设置第一波长转换层，并使所述第一波长转换层覆盖所述多个发光芯片；(v)在设置所述第一波长转换层之后，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第二环形结构，并使所述第二环形结构与所述第一环形结构接触连接；以及(vi)在所述第二环形结构内设置第二波长转换层，并使所述第二波长转换层覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同(例如所述第二波长转换层与所述第一波长转换层分别采用不同颜色荧光粉作为波长转换物质)。
[0014]由上可知，本专利技术实施例的光电器件及其制作方法，其采用双环形结构和双波长转换层，所述第一波长转换层在形成过程中不会因为表面张力而爬胶至所述第二环形结构的侧壁内表面；简而言之，所述第一波长转换层的形貌可控，从而所述光电器件的出光效果可控，可以改善出光均匀度，有利于提升所述光电器件的出光质量。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术第一实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0017]图2为本专利技术第二实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0018]图3为本专利技术第三实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0019]图4为本专利技术第四实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0020]图5为本专利技术第五实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0021]图6为本专利技术第六实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0022]图7为本专利技术第七实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0023]图8为本专利技术第八实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0024]图9为本专利技术第九实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0025]图10为图9所述光电器件的俯视示意图。
[0026]图11为本专利技术第十实施例提供的一种光电器件的制作方法的流程示意图。
[0027]图12A-12E为相关本专利技术第十实施例的光电器件的制作方法的多个步骤的结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，包括：基底；多个发光芯片，设置在所述基底上、且电连接所述基底；第一环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置；第一波长转换层，设置在所述第一环形结构内、且覆盖所述多个发光芯片；第二环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置、且与所述第一环形结构接触连接；以及第二波长转换层，设置在所述第二环形结构内、且覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一环形结构与所述第二环形结构依次层叠设置在所述基底上，从而所述第一环形结构位于所述第二环形结构与所述基底之间；以及所述第一环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离大于或等于所述第二环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离。3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述第二波长转换层与所述第一波长转换层远离所述基底的顶面直接接触，且所述第一波长转换层的所述顶面的边缘不高于所述第二环形结构的侧壁内表面与所述第一环形结构的侧壁内表面之间的接合线。4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述第一波长转换层的所述顶面为平面或外凸面。5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第二环形结构环绕所述第一环形结构设置、且与所述第一环形结构的侧壁外表面接触；以及所述第二环形结构在所述基底上的厚度大于所述第一环形结构在所述基底上的厚度。6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述第一环形结构的材料与所述第二环形结构的材料不同。7.如权利要求6所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，初晨，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：