带电装置制造方法及图纸

由对应图像数据可以对像素单位开关控制的液晶快门（３）使从光源（１）全面照射的光选择性透过的同时，通过非线性光学元件（４）把选择透过的光变换为特定的波长后照射金属膜（６）。金属膜（６）使自身电子感应后释放出该电子，直接在电介质膜（８）上形成静电潜像。因此，可不必为了使电介质膜（８）带电而使用电晕放电。因此不会产生臭氧引起的环境污染问题即可很好进行带电处理。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复印机、打印机以及传真机等电子照相方式的图像形成装置中的带电装置。
技术介绍
在复印机、打印机以及传真机等电子照相方式的图像形成装置之中，作为静电潜像形成方法，通常在感光体上配置电晕带电器等，使整个感光体全表面均匀带电之后，采用激光曝光装置等对应于图像数据照射光，形成静电潜像。由于上述现有的图像形成装置需要在感光体附近配置各自独立的用于带电工序的部件和用于曝光工序的部件，因而很难使装置小型化。因而，提出使带电工序与曝光工序一体化的尝试。例如，在“第3回NIP(′86)5-4NTT”中即公开出一种离子流记录方式。这是一种通过控制电极对每一像素单位控制由电晕放电产生的离子流，在潜像载体上直接写入静电潜像的方式。然而，由于电晕放电利用的是高电场下的电场雪崩现象，是在所谓放电区域内使用的，因而作为放电生成物产生臭氧。例如，通常用线电极放电的情况下，由于放电电流(Id)无法得到稳定的持续放电，因而在线电极附近设置屏蔽罩，通过在屏蔽罩流过大电流来谋求其稳定化。这种情况下，会产生大量的上述臭氧。因而，在利用此种电晕放电的方式之中，虽然可实现装置的小型化，但无法去除因臭氧造成的环境污染问题，难以实用化。本专利技术正是鉴于上述问题而提出来的，其目的在于，提供一种不存在因臭氧引起环境污染问题的带电装置。
技术实现思路
为了实现上述目的，本专利技术涉及的带电装置，用于在潜像载体上形成静电潜像后用显影剂把图像显影的显影装置；其特征在于具备照射光的光照射装置，和通过接受从上述光照射装置照射的光，以光电效应释放出电子，使上述潜像载体带电的电子释放部。若采用上述构成，电子释放部利用光电效应使上述潜像载体带电。因此，可不必为了使潜像载体带电而使用电晕放电。因此不会产生臭氧引起的环境污染问题即可很好进行带电处理。本专利技术的其它目的，特征以及优点通过下文介绍定会十分清楚。此外，本专利技术的好处，通过参照附图的下文中的说明定会明白。附图说明图1是表示本专利技术涉及的带电装置之一构成例的剖视图。图2是表示本专利技术涉及的带电装置的另一构成例的剖视图。图3是表示与金属膜的透光率对应的电介质膜的带电特性的曲线图。具体实施例方式下面进一步详细介绍本专利技术，但本专利技术并不受这些说明的限制。首先，介绍本实施方式中的概念。本构成可提供一种使带电工序与曝光工序一体化的，不产生臭氧的小型结构体，还可有效降低生产成本。其基本原理如下所述。(1)利用可把光能转换为电能的所谓光电效应，释放出电子使潜像载体带电。(2)为了以像素单位控制电子轴射，以像素单位开关控制照射光。(3)利用电场雪崩现象，使由光电效应释放出的电子加速。带电装置由光源和液晶快门、非线性光学元件、光电元件的层迭结构体构成。下面介绍在潜像载体上形成静电潜像的过程。(1)由光源射出波长λ(nm)的光，该光从带电装置的液晶快门一侧平均照射。(2)照射的波长λ的光按照待转印到记录材料上的输入的图像数据，通过分割为像素单位的液晶快门的开关动作，选择性地透过。(3)透过液晶快门的波长λ的光，通过非线性光学元件将其波长变换为λ/n。(4)用经过上述变换的波长为λ/n(nm)的光照射功函数W的光电元件后，则利用光电效应从光电元件中释放出电子。(5)为了增加从光电元件释放出的电子的释放量，利用电场雪崩现象(电场雪崩效应)放大释放出的电子，获得具有所需表面电荷密度的静电潜像。电场雪崩现象是通过由施加电偏压等而加速的电子与空气中的各种分子碰撞，其分子离子化的现象。其结果是，由该分子产生的离子及电子可与由光电元件释放出的电子一样，起到使潜像载体带电的作用。尤其是，作为用于高速印字的构成，可举出下述实例。快门部若使用液晶快门，其应答速度可高速化到数μ秒，可望实现写入速度的高速化，从而实现高速印字。作为液晶快门，可采用公知的构成。此外，为了通过形成均匀的电场使电子增加，在波长变换部和电子释放部之间形成透过λ/n的波长的光的透明导电膜，把该透明导电膜用作施加电场时的电极。尤其是，作为用来进行波长无变化的稳定的波长变换的构成，可采用下述构成。由于波长变换部可通过使用非线性光学元件获得波长无变化的高次谐波，因而可实现稳定化。尤其是，在带电装置的层迭结构之中，作为电子释放部的最佳材料，可列举下述构成。构成电子释放部的薄膜金属采用当设其功函数为W(ev)，设照射装置的波长为λ(nm)，设波长变换器的变换率为1/n时，可满足W＜n×1254/λ的材料。下面介绍更为具体的构成实例。图1示出本带电装置10的构成。如该图所示，在写入静电潜像的潜像载体表面上形成电介质膜8。电介质膜8在潜像载体的表面上层迭铝基材料82，在其上面，作为可从光源1一侧观察到的层，通过压延制膜形成聚对苯二甲酸乙二醇酯膜81。该电介质膜8以V＝50mm/s的移动速度，相对于作为电子释放部的金属膜6平行移动。在该电介质膜8的上方附近，相邻配置了用来在该电介质膜8上写入静电潜像的带电装置10。带电装置10包括作为光照射装置的光源1、用来会聚光源1的光线的反射器2、以及带电装置。此处的光源1的波长λ定为508nm，照射强度定为10mW/cm2。带电装置由靠近光源1一侧，依次层迭了作为快门部的液晶快门3，作为光波长变换装置(波长变换部)的非线性光学元件4、作为电子释放部的金属膜6。液晶快门3由基板31和液晶元件32构成，在该例中具有400dpi的像素解像度。配置在液晶快门件3上的非线性光学元件4使用了可产生第2高次谐波的元件。因而可把通过了液晶快门件3的波长λ的光波长变换为1/2，即λ/2。例如，上述λ＝508nm的情况下，可变换为508/2＝254nm。而当作为光源1的波长能够利用短波长的情况下，也可以不使用非线性光学元件4。配置在非线性光学元件4上的金属膜6(此处使用的是金)，其功函数W＝4.6eV，形成透射率为60％的膜。在此处，当W＜n×1254/λ的关系成立时，即可产生光电效应，释放出电子。n为1以上的整数。在本例中为W＜2×1254/508，上述关系成立。此外，作为用来使电子释放部释放出的电子加速，以及利用电场雪崩现象增加的电偏置装置，此设作为电子释放部的金属膜6和电介质膜8的间隙g为100μm，在金属膜6和电介质膜8的铝基材料82之间施加-600v作为直流电流E的电压。图中的e为释放出的电子。这时，正如后述的图3所示，电介质膜8产生-500V作为带电电位。也可把上述图1的构成变形，使之成为图2所示构成。也就是说，在上述构成之中，使透明导电膜5层迭在非线性光学元件4与金属膜6之间。在此处，作为透明导电膜5，例如可使用Ga2O3。在图1的构成之中，作为电子释放部的金属膜6示出透射率为60％的电子释放量的最大值，但如果透射率超过此值，电子释放量反而会极端地低下。图3示出通过试验调查该情况的结果。图3示出带电特性，也就是与金属膜6的光透射率相对应的电介质膜8的带电电位。图中的黑点A为采用图1构成的结果，白圈B表示采用图2构成的结果。如上所示，透射率一超出规定值(这里为60％)，电子释放量极端地低下的原因可能是下述各点。也就是说，作为用于使电子释放部射出的电子增加的电偏置装置，在图1的例中，把金属膜6和电介质膜8的间隙g设定为100μm，在金属膜6和电介质膜8的铝基材料82本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带电装置，用于在潜像载体上形成静电潜像后用显影剂把图像显影的显影装置，其特征在于，具备：照射光的光照射装置；和通过接受从上述光照射装置照射的光，以光电效应释放出电子，使上述潜像载体带电的电子释放部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上村太介，户泉洁，后藤利充，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]