成像设备制造技术

一种成像设备，包括：载像构件；多个充电构件，用于向所述载像构件注入电荷；潜像形成装置，其相对于所述载像构件的圆周表面的运动方向设置在所述多个充电构件的下游，用于在已经由所述多个充电构件充电的所述载像构件上形成潜像；电位检测装置，用于在所述多个充电构件经过之后检测所述载像构件的表面电位；其中所述多个充电构件包括第一充电构件和相对于所述运动方向设置在最下游位置的第二充电构件，并且其中所述成像设备可以一种控制模式进行操作，在该控制模式中，施加到所述第一充电构件上的偏压变化而施加到所述第二充电构件上的偏压不变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成像设备，其载像构件的电位水平是可控制的。
技术介绍
在电摄影成像设备领域，最常见的用作给载像构件充电的充电设备是采用基于电晕充电的充电方法的充电设备。但是，近年来，采用接触式充电方法的充电设备的研究和开发量都在增加，该方法的优点在于，不仅其放电的副产物(如臭氧)少，而且其电能消耗也小。另外，一些采用接触式充电方法的充电设备已经投入实际使用。接触式充电方法是这样一种充电方法，其通过将例如充电辊的充电部件与载像构件接触并且给充电部件施加电压，从而为载像构件充电。作为这种充电设备的一种，采用磁刷作为接触式充电部件的充电设备由于其在充电部件与载像构件之间的接触状态上的优越性已经被广泛使用。在采用磁刷的充电设备中，导电磁性粒子被磁性地直接限制在磁体的表面上或者包含磁体的套管的表面上，从而使得磁性粒子与载像构件的表面相接触。通过对套管施加电压而给载像构件充电。通过使用采用磁刷的充电设备，载像构件的圆周表面可以被充电成其电位水平基本上与施加到磁刷上的偏压的DC成分的电位水平相同。顺便说一下，作为可用基于磁刷的充电设备充电的载像构件，存在一种设有导电微粒散布在其中的表面层的普通有机感光构件和一种例如由非晶硅等形成的感光构件(以下称作a-Si感光构件)。在基于电晕放电的普通充电方法的情况下，感光构件的圆周表面未被充电，除非施加到充电构件上的偏压电位水平高于起动水平。这就是为什么基于电晕放电的充电方法称为基于放电的充电方法的原因。相比之下，采用磁刷的充电方法称为基于电荷注入的充电方法。因此，以下通过使用采用磁刷的充电设备给物体注入电荷而给物体充电的方法称为基于磁刷的电荷注入法。为了给感光构件充电，基于磁刷的电荷注入法不取决于放电，而基于电晕放电的方法取决于放电。因此，在臭氧产物和电能消耗方面它都比基于电晕放电的方法小。它的优点还在于，它不会产生由于存在放电的副产物而形成具有流水的外形的缺陷图像的问题，即使在湿度和温度很高的环境中也是如此。另外，基于非晶硅等的感光构件的硬度比有机感光构件的硬度高。因此，其使用寿命长，从而能够减小成像设备的操作成本。从对基于磁刷的电荷注入方法和基于非晶硅等的感光构件的说明，可以清楚地了解，这两者的结合能够提供具有良好的耐久性和高的安全性的成像系统。但是，基于非晶硅等的感光构件由铝筒和固体膜构成，该固体膜通过使用通过高频波或微波加热气体产生的等离子将非晶硅等沉积在铝筒的表面而形成在铝筒的圆周表面上。因此，除非等离子是均匀的，在感光构件的圆周方向上形成了厚度和/或非晶硅层的成分不均匀的感光鼓。与有机感光构件相比，基于非晶硅等的感光构件在感光构件充电后表面电位衰减量更大，即使其没有曝光。另外，由将感光构件暴露于光学图像而形成的光存储器衰减的表面电位的量也更大。因此，采用基于非晶硅等的感光构件的成像设备需要配备有预曝光部件，即用于曝光感光构件以擦去在感光构件先前的转动期间形成的光存储器。换句话说，基于非晶硅等的感光构件电位衰减非常大；其电位衰减在100-200V的范围内。因此，a-Si感光构件等的感光层的厚度的上述不均匀性导致感光鼓在感光构件的圆周的电位水平不均匀，该不均匀度为10-20V。静电容量大于普通感光构件的a-Si感光构件比普通感光构件更容易受这种电位不均匀性的影响，因为普通感光构件相比之下静电容量比a-Si感光构件小。因此如果a-Si感光构件发生电位的这种不均匀性，那么会形成密度显著不均匀的图像。作为针对该问题的对策之一，可提供一种具有多个基于磁刷的充电设备以给载像构件进行多次充电的成像设备。由于存在前述光存储器而导致的感光构件的电位衰减量可以基本上通过对载像构件进行多次充电而减小。更具体地说，当用第一充电设备即相对于载像构件的圆周表面的运动方向位于上游的充电设备对载像构件充电时，基本上减小了光存储器。因此，由第二充电设备即位于第一充电设备下游的充电设备对载像构件充的电荷的未曝光的电位衰减基本上小于由第一充电设备充的电荷。例如，日本公开专利申请2004-029361提出让用于相对于载像构件的圆周表面的运动方向位于上游的充电设备的充电偏压高于用于下游充电设备的充电偏压，以便使下游充电设备的充电电流小于上游设备的充电电流。通过使用这种结构布置，下游充电部件在使载像构件的圆周表面的电位水平均匀方面更有效，从而能够产生良好的图像，即该图像的密度不会不规则。但是，为了提高充电设备的图像密度稳定性，必须精确地控制在充电过程、曝光过程、显影过程、转印过程、定影过程等的每个中的参数。至于例如充电过程，在普通的电摄影成像设备设有的偏压控制台控制从高压电源施加的偏压的情况下，偏压可以改变的最小增量是几伏特。因此，存在难以对感光构件的表面电位进行微调的问题，特别是在必须微调感光构件的表面电位以便补偿在其中大量复制被连续输出的成像设备的操作过程中发生的表面电位偏移时更是如此。
技术实现思路
考虑到上述问题，本专利技术的主要目的是能够微调设有多个用于对载像构件充电的充电部件的成像设备的表面电位水平，以便通过补偿感光构件的表面电位水平的变化而使感光构件的表面电位水平稳定。通过下面对本专利技术的优选实施例的说明并结合附图，可以更清楚地了解本专利技术的其它目的、特征和优点。附图说明图1是本专利技术的第一实施例的成像设备的主要部分的示意图。图2是本专利技术的第一实施例的成像设备的示意图。图3是本专利技术的第一实施例的基于磁刷的充电装置的示意图。图4是显示出了本专利技术的第一实施例的鼓表面电位水平测量结果的第一曲线图。图5是显示出了本专利技术的第一实施例的鼓表面电位水平测量结果的第二曲线图。图6是显示出了本专利技术的第一实施例的鼓表面电位水平测量结果的第三曲线图。图7是显示出了在本专利技术的第二实施例中施加的偏压的波形的曲线图，其中占空比为50％。图8是显示出了在本专利技术的第二实施例中施加的偏压的波形的曲线图，其中占空比为20％。图9是显示出了在本专利技术的第二实施例中施加的偏压的波形的曲线图，其中占空比为80％。具体实施例方式(实施例1)首先，参照图1和2，简要描述该实施例的成像设备的总体结构和操作。当复印启动信号输入成像设备时，通过基于磁刷的充电设备3将电荷注入作为载像构件的鼓形式的电摄影感光构件1(以下称为感光鼓1)，从而感光鼓1的圆周表面的电位改变成预置水平。这里，“注入电荷”是指这样一种过程，它能将感光鼓1充电成与上述施加到基于磁刷的充电设备的偏压的DC成分的电位水平相同的电位水平。用由原稿照明灯、具有短焦点的透镜组和CCD传感器组成的单元9对放置在原稿放置台10上的原稿G进行扫描，同时进行照明。当对原稿G扫描时，通过具有短焦点的透镜组将由原稿G反射的光聚焦到CCD传感器上，并被输入CCD传感器中，该传感器由光捕获部分、转移部分和输出部分组成。光信号在被输入CCD传感器时，被转换成电荷形式的信号，并接着由转移部分与时钟脉冲同步地转移到输出部分。然后，电荷形式的信号在信号输出部分被转换成阻抗减小的放大的电压信号，然后从输出部分作为模拟信号输出。因此所获得的模拟信号通过已知的成像过程的一种转化成数字信号，该信号被转移到打印部分。在打印部分中，感光鼓1的圆周表面由基于激光的激光组成的曝光设备2(潜像形成设备)曝光，该设备响应于上述成像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成像设备，其包括：载像构件；多个充电构件，用于向所述载像构件注入电荷；潜像形成装置，其相对于所述载像构件的圆周表面的运动方向设置在所述多个充电构件的下游，用于在已经由所述多个充电构件充电的所述载像构件上形成潜像；电位检测装置，用于在所述多个充电构件经过之后检测所述载像构件的表面电位；其中所述多个充电构件包括第一充电构件和相对于所述运动方向设置在最下游位置的第二充电构件，并且其中所述成像设备可以一种控制模式进行操作，在该控制模式中，施加到所述第一充电构件上的偏压变化而施加到所述第二充电构件上的偏压不变。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村良，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]