一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体技术

本发明专利技术提供一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体。晶圆载体的处理方法包括以下步骤：提供一晶圆载体，所述晶圆载体包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及与所述第一表面和所述第二表面相邻的侧面；在所述晶圆载体的第一表面和第二表面中的至少一个表面上形成平坦层。本发明专利技术实施例通过在晶圆载体的表面制作平坦层，能够对晶圆载体的厚度进行补偿，从而使得多个晶圆载体的厚度相对均一，有助于提高晶圆的品质。助于提高晶圆的品质。助于提高晶圆的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体。

技术介绍

[0002]半导体加工过程中，需要对晶圆进行双面研磨，晶圆在双面研磨过程中，通常将晶圆设置于晶圆载体中，然后利用研磨垫对其进行双面研磨。然而所制作的晶圆载体的厚度是不均一的，晶圆载体在使用过程中也会产生磨损，这些因素可能导致晶圆载体的厚度发生变化，而一次研磨过程中，可能使用多个晶圆载体，而晶圆载体的厚度差异可能对晶圆品质造成影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种晶圆载体的处理方法和晶圆载体，以解决晶圆载体的厚度差异可能对晶圆品质造成影响的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆载体的处理方法，包括以下步骤：
[0005]提供一晶圆载体，所述晶圆载体包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及与所述第一表面和所述第二表面相邻的侧面；
[0006]在所述晶圆载体的第一表面和第二表面中的至少一个表面上形成平坦层。r/>[0007]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆载体的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆载体，所述晶圆载体包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及与所述第一表面和所述第二表面相邻的侧面；在所述晶圆载体的第一表面和第二表面中的至少一个表面上形成平坦层。2.如权利要求1所述的晶圆载体的处理方法，其特征在于，所述在所述晶圆载体的第一表面和所述第二表面中的至少一个表面上形成平坦层，包括：提供一模具，所述模具包括第一基板，所述第一基板上开设有与所述晶圆载体相匹配的容纳槽；将所述晶圆载体设置于所述容纳槽中；向所述容纳槽中注入聚合物材料；通过所述聚合物材料在所述晶圆载体的第一表面和第二表面中的至少一个表面上形成平坦层。3.如权利要求2所述的晶圆载体的处理方法，其特征在于，所述聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷、固化剂和溶剂，其中，聚二甲基硅氧烷、固化剂和溶剂的重量份数为1～2:1～2:15。4.如权利要求3所述的晶圆载体的处理方法，其特征在于，聚二甲基硅氧烷、固化剂和溶剂的重量份数为1:1:10。5.如权利要求2至4中任一项所述的晶圆载体的处理方法，其特征在于，所述模具上开设有延伸至所述容纳槽的开口处的溢流槽；所述向所述容纳槽中注入聚合物材料，包括：按照5～100毫升每秒的速度向所述容纳槽内注入聚合物材料；在聚合物材料覆盖所述晶圆载体的情况下，停止注入聚合物材料；静置至聚合物材料不再从所述溢流槽流出。6.如权利要求5所述的晶圆载体的处理方法，其特征在于，所述静置至聚合物材料不再从所述溢流槽流出之后，所述方法还包括：将位于模具中的晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇轩，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：