含氮杂环硅烷化合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种含氮杂环硅烷化合物及其制备方法和应用。所述含氮杂环硅烷化合物具有如通式(I)或通式(II)所示的结构。使用该化合物可以粘合金属，金属氧化物，无机材料或者树脂，能实现无粗化的情况下，材料间有足够的粘结力，并有良好的信号传输效果，满足高频高速通讯的要求，而且材料适用面比现有的硅烷偶联剂更广，耐热性能也更优越，在高温环境下也能保证材料间的粘结效果长期稳定。保证材料间的粘结效果长期稳定。保证材料间的粘结效果长期稳定。

【技术实现步骤摘要】
含氮杂环硅烷化合物及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及新材料
，特别是涉及含氮杂环硅烷化合物及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着5G技术的大规模商用化，越来越多的信号传输需要用到高频材料。考虑到趋肤效应和为了避免信号损耗，高频材料需要保持一定低粗糙度，最理想状态是保持高频材料表面呈现光滑状态。但是，传统的生产工艺，往往避免不了会增加高频材料的粗糙度。例如PCB中所使用的覆铜板生产工艺，一般在多层板压合前，需进行棕化处理，使铜面形成粗糙的蜂窝状结构，从而增强覆铜板和树脂的结合力。随着5G应用的到来，这种传统的粗化处理会影响高速信号传输速度和信号完整性，所得到的覆铜板无法满足制造高频高速PCB的产业需求。
[0003]因此，目前在高频通讯元件制造领域，对高频覆铜板的制备提出了更高的要求，既需要避免使用粗化的表面键合处理，保持平滑的铜表面，再与树脂压合，达到良好的信号传输效果。又需要在保证覆铜板和树脂的结合力与传统的粗化处理后的一致。针对上述需求，产业上有使用硅烷偶联剂作为覆铜板和树脂的粘合剂的报道，不进行粗化处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮杂环硅烷化合物，其特征在于，具有如通式(I)或通式(II)所示的结构：其中，Z1每次出现时分别独立地选自CR3或N，且至少有两个Z1选自N；Z2每次出现时分别独立地选自NR3或S；R3不存在，或分别独立地选自-H、-NH2、-NH-NH2、-SH、-SCH3或-CH3；X1选自-NH-或-S-；B选自-(CH2)
m-R4或-(CH2CH2O)
m-R4；R4选自-OH、SH、-NH2、烯基、羧基、酯基、吡啶基、甲基、取代环氧基或未取代环氧基；X2不存在，或选自-NH-或-S-；A选自-CO-NH-(CH2)
a-Si(R1)
b
(OR2)
3-b
、-(CH2)
a-Si(R1)
b
(OR2)
3-b
或-CH
2-CH(OH)-CH
2-O-(CH2)
a-Si(R1)
b
(OR2)
3-b
；R1和R2选自-CH3或-CH2CH3；m表示1～12的整数；a表示1～12的整数；b表示0～2的整数。2.根据权利要求1所述的含氮杂环硅烷化合物，其特征在于，B选自-CH
2-OH、-CH
2-SH、-CH
2-NH2、-CH
2-COOH、-CH
2-COOCH3、-CH
2-COOCH2CH3、-CH
2-CH＝CH2、-(CH2CH2O)3CH3、、3.一种含氮杂环硅烷化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：于溶剂中，混合具有通式(III)所示结构的化合物和具有通式(V)所示结构的化合物，或混合具有通式(IV)所示结构的化合物和具有通式(V)所示结构的化合物，加热反应；A
0-(CH2)
a-Si(R1)
b
(OR2)
3-b
ꢀꢀ
(V)其中，
Z1每次出现时分别独立地选自CR3或N，且至少有两个Z1选自N；Z2每次出现时分别独立地选自NR3或S；R3不存在，或分别独立地选自-H、-NH2、-NH-NH2、-SH、-SCH3或-CH3；X1选自-NH-或-S-；B选自-(CH2)
m-R4或-(CH2CH2O)
m-R4；R4选自-OH、SH、-NH2、羧基、酯基、吡啶基、甲基、取代环氧基或未取代环氧基；X2不存在，或选自-NH-或-S-；A0选自-Cl、-Br、-I、-N＝C＝O或R1和R2选自-CH3或-CH2CH3；m表示1～12的整数；a表示1～12的整数；b表示0～2的整数。4.一种硅烷偶联剂，其特征在于，具有如通式(X1)或通式(X11)所示的结构：其中，Z1每次出现时分别独立地选自CR3或N，且至少有两个Z1选自N；Z2每次出现时分别独立地选自NR3或S；R3不存在，或分别独立地选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永根，肖奇伟，梁焕军，冼日华，黄伟麟，袁明军，杜小林，杨彦章，施少雄，
申请(专利权)人：广东光华科技股份有限公司广东东硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：