一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法及系统技术方案

本发明专利技术公开一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法及系统，该方法包括：步骤S1，将烷基化废酸溶液与氧化镁反应生成的中性硫酸镁溶液加水进行轻度稀释；步骤S2，加入硫酸镁晶核，使晶核均匀分布于硫酸镁溶液中；步骤S3，在恒温水浴箱中搅拌至晶体完全溶解，液位高度控制在6cm～10cm，将硫酸镁溶液pH调节至3～6；步骤S4，放置到恒温水浴箱中，采用电动搅拌设备进行匀速搅拌；步骤S5，匀速降温并在冷却温度降到范围为20℃～25℃以下时逐渐停止搅拌；步骤S6，放入高速离心机进行晶体和母液分离，最后将晶体干燥。本发明专利技术可生成外观规则、粒径大且均一的硫酸镁晶体，实现了废酸溶液生成硫酸镁溶液再到菱镁冷却结晶的转化，保护环境，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法及系统


[0001]本专利技术涉及化工
，具体涉及一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法及系统。

技术介绍

[0002]硫酸镁是一种重要的化工产品，广泛应用于制革、炸药、化肥、造纸等行业。近10年来，我国的硫酸镁工业发展迅速。工业硫酸镁主要来源于二氧化碳炭化氧化镁、氢氧化镁吸收二氧化硫、净化分离加热卤水等化学工艺生产。一般工业生产的硫酸镁颗粒细小(0～1mm)，易团聚，流动性差等缺点限制了硫酸镁的应用。大颗粒硫酸镁产品比小颗粒产品的售价高出3倍，且关键的是大颗粒硫酸镁在工业应用中流动性更好，可以得到质量更好的再生品。因此，有必要对硫酸镁晶体的粒度和形貌控制进行研究。
[0003]结晶是一种重要的化工过程，是典型的液固相分离过程之一，过饱和度是分离的主要推动力。晶核生成速率(单位时间内单位体积溶液中产生的晶核数)、晶体生长速率(单位时间内晶体某线性尺寸的增加量)及晶体在结晶器中的平均停留时间影响了主要影响了晶体的生长速率和晶粒大小。溶液的过饱和度不仅可以影响晶核生长速率，还与晶体生长速率有关系。因此，过饱和度对结晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，将烷基化废酸溶液与氧化镁反应生成的中性硫酸镁溶液加水进行轻度稀释；步骤S2，在步骤S1得到的溶液中加入硫酸镁晶核，使晶核均匀分布于硫酸镁溶液中；步骤S3，将步骤S2得到的溶液在恒温水浴箱中搅拌至晶体完全溶解，将液位高度控制在6cm～10cm范围内，采用浓硫酸对硫酸镁溶液进行pH调节至范围3～6之间；步骤S4，将步骤S3中完成pH值调节后的硫酸镁溶液放置到恒温水浴箱中，采用电动搅拌设备进行匀速搅拌，同时控制温度至40℃～55℃对硫酸镁溶液进行保温；步骤S5，以降温速率范围0.1℃/min～0.5℃/min对步骤S4处理后的硫酸镁溶液进行匀速降温，并在冷却温度降至20℃～25℃时逐渐停止搅拌；步骤S6，将步骤S5处理后的晶桨混合液放入高速离心机进行晶体和母液分离，最后将晶体干燥。2.根据权利要求1所述的一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法，其特征在于，步骤S1中，中性硫酸镁溶液过饱和度在1～1.25％范围之内。3.根据权利要求1所述的一种大颗粒硫酸镁冷却结晶方法，其特征在于，步骤S2中，每1000ml步骤S1得到的溶液中加入硫酸镁晶核的量为1～3g。4.根据权利要求1所述的一种大颗粒硫酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，董晓莹，陈浩，肖永厚，宋明学，温腾蛟，
申请(专利权)人：大连理工大学盘锦产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：