【技术实现步骤摘要】
一种改进的带隙基准电压电路
[0001]本专利技术涉及带隙基准电压源技术，特别是一种改进的带隙基准电压电路，通过3个PMOS管与3个NPN三极管形成的闭环系统，和其中第三NPN三极管以二极管形式连接给其余NPN三极管提供基极电压，能够不再需要额外的运算放大器就能产生PTAT电流(PTAT，proportional to absolute temperature，与绝对温度成正比)，从而有利于降低成本、降低功耗和提高精度。
技术介绍
[0002]带隙基准电压源因不受电源、温度和工艺参数影响等优点被广泛使用，然而在低电源电压应用中，传统的带隙基准源(一般为1.2V)将会受到限制，因此需要应用低压带隙基准源(低压带隙基准源，所述低压是指低于传统带隙基准源1.2V)。但目前普遍使用的低压带隙基准电压源结构大多功耗较大，电路结构复杂。一般低压带隙基准电压源通过组合正/负温度系数的电压或正/负温度系数的电流来产生带隙基准电压，其均需要额外的运放来产生正温度系数电压(即具有正温度系数的ΔV
BE
)。运放通过强制两个PNP...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改进的带隙基准电压电路，其特征在于，包括带隙基准电压输出端，所述带隙基准电压输出端分别连接第四PMOS管的漏极，第二电阻的一端，和第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接接地端，所述第二电阻的另一端分别连接第三NPN三极管的集电极和第三PMOS管的漏极，所述第三NPN三极管的发射极连接接地端，所述第三NPN三极管的基极与集电极互连后分别连接第一NPN三极管的基极，第二NPN三极管的基极，和启动电路的输出端，所述启动电路的输入端和所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极均连接电源电压端。2.根据权利要求1所述的改进的带隙基准电压电路，其特征在于，所述第二NPN三极管的源极通过第一电阻连接接地端。3.根据权利要求2所述的改进的带隙基准电压电路，其特征在于，所述第一NPN三极管的源极连接接地端。4.根据权利要求3所述的改进的带隙基准电压电路，其特征在于，所述第一NPN三极管的面积比所述第二NPN三极管的面积为1：n，n为大于1的整数。5.根据权利要求4所述的改进的带隙基准电压电路，其特征在于，所述第一NPN三极管的集电极连接第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的源极连接所述电源电压端。6.根据权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢程益，王野，于翔，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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