过零信号处理电路、三相PFC电路及电源装置制造方法及图纸

技术编号:27523860 阅读:78 留言:0更新日期:2021-03-02 19:11
本实用新型专利技术涉及电源领域,揭示了一种过零信号处理电路、三相PFC电路及电源装置,所述过零信号处理电路包括:单相主控芯片、信号翻转电路、信号采集电路、周期检测电路、信号输入端、输入电压端;单相主控芯片与所述信号翻转电路的第一端连接,信号翻转电路的第二端与所述周期检测电路的第一端连接,信号采集电路的第一端与信号翻转电路的第二端连接,信号翻转电路的第三端与周期检测电路的第一端连接,周期检测电路的第二端与输入电压端连接,信号采集电路的第二端接地,信号采集电路的第二端接地,信号采集电路的第三端与信号输入端连接。通过本申请提供的过零信号处理电路、三相PFC电路及电源装置,使得单相主控芯片也能控制三相PFC电路。相PFC电路。相PFC电路。

【技术实现步骤摘要】
过零信号处理电路、三相PFC电路及电源装置


[0001]本技术涉及电源领域,特别涉及一种过零信号处理电路、三相PFC 电路及电源装置。

技术介绍

[0002]三相电是我国工业供电的一种形式,是电能的一种输送形式,简称为三相电。三相交流电源,是由三个频率相同、振幅相等、相位依次互差120
°
的交流电势组成的电源。工业设备中多采用三相供电,供电时多采用三相维也纳拓扑进行处理,三相PFC电路本质是无桥式PFC,多种信号都是随正弦波输入的正负半周期而翻转极性,而单相PFC主控芯片只能适应正半周期输入,对于负半周期信号的极性逻辑是相反的,直接使用在三相维也纳拓扑中会造成失控。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的为提供一种过零信号处理电路、三相PFC电路及电源装置,能实现单相主控芯片控制三相PFC电路。
[0004]本技术提出一种过零信号处理电路,包括:单相主控芯片、信号翻转电路、信号采集电路、周期检测电路、信号输入端、输入电压端;
[0005]所述单相主控芯片与所述信号翻转电路的第一端连接,所述信号翻转电路的第二端与所述周期检测电路的第一端连接,所述信号采集电路的第一端与所述信号翻转电路的第二端连接,所述信号翻转电路的第三端与所述周期检测电路的第一端连接,所述周期检测电路的第二端与所述输入电压端连接,所述信号采集电路的第二端接地,所述信号采集电路的第三端与所述信号输入端连接。
[0006]进一步地,所述信号采集电路包括电容、第一电阻、二极管;
[0007]所述二极管的阳极接地,所述二极管的阳极作为所述信号采集电路的第二端,所述二极管的阴极与所述第一电阻的一端连接,所述二极管的阴极为所述信号采集电路的第一端,所述第一电阻的另一端与所述电容的一端连接,所述电容的另一端为所述信号采集电路的第三端。
[0008]进一步地,所述信号翻转电路包括第二电阻、第三电阻、第一三极管;
[0009]所述第二电阻的一端、第三电阻的一端与所述第一电阻的一端连接,所述第二电阻的一端为所述信号翻转电路的第二端,所述第二电阻的另一端通过所述周期检测电路连接于所述第一三极管的基极,所述第二电阻的另一端为所述信号翻转电路的第三端,所述第三电阻的另一端和所述单相主控芯片连接于所述第一三极管的集电极,所述第一三极管的集电极为所述信号翻转电路的第一端,所述第一三极管的发射极接地。
[0010]进一步地,所述周期检测电路包括第一光耦、第二光耦、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二三极管;
[0011]所述第一光耦包括第一发光二极管和第一光电三极管,所述第一光电三极管的集
电极与所述第二电阻的另一端连接,所述第一光电三极管为所述周期检测电路的第一端,所述第一光电三极管的发射极与所述第一三极管的栅极连接,所述第一发光二极管的阳极与所述第四电阻的一端连接,所述第一发光二极管的阴极与所述第二三极管的集电极连接,所述第二光耦包括第二发光二极管和第二光电三极管,所述第二光电三极管的集电极与外部电源连接,所述第二光电三极管的发射极与所述第五电阻的一端连接,所述第五电阻的另一端连接于所述第一三极管的集电极,所述第二发光二极管的阳极连接于所述第四电阻的一端,所述第四电阻的另一端与外部电源连接,所述第四电阻的另一端为所述周期检测电路的第二端,所述第二发光二极管的阴极连接于所述第二三极管的集电极,所述第二三极管的基极与所述第六电阻的一端连接,所述第六电阻的另一端与外部电路连接,所述第二三极管的发射极接地。
[0012]进一步地,所述信号翻转电路还包括第七电阻,所述第七电阻连接于所述第一三极管的基极和发射极之间。
[0013]进一步地,所述周期检测电路还包括第八电阻,所述第八电阻连接于所述第二三极管的基极和发射极之间。
[0014]本申请还提供一种三相PFC电路,包括:输入电感电路、维也纳电路、以及上述任一项所述的过零信号处理电路;
[0015]交流电源的每一相输出端连接一所述输入电感电路的一端,每一所述输入电感电路的另一端与一所述过零信号处理电路的信号输入端连接,且与所述维也纳电路的任一相输入端连接。
[0016]进一步地,所述维也纳电路包括:三相整流桥、双向开关和电解电容,所述三相整流桥包括三个桥臂,三个所述桥臂并联,三个所述桥臂的一端通过一所述电解电容接地,三个所述桥臂的另一端通过一所述电解电容接地,所述维也纳电路的每一相输入端连接一所述桥臂中点和一双向开关的一端,所述双向开关的另一端接地。
[0017]进一步地,所述双向开关包括第一MOS管、第二MOS管,所述第一 MOS管的漏极连接所对应的所述维也纳电路的一相输入端,所述第一MOS 管的源极与所述第二MOS管的源极连接,所述第二MOS管的漏极接地,所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极与外部控制电路连接。
[0018]本技术还提供一种电源装置,包括上述任一项所述的三相PFC电路。
[0019]本技术提供的过零信号处理电路、三相PFC电路及电源装置,根据输入正弦波电压的正负半周期自动调整电感电流过零信号的极性,正半周期让过零信号直接输出到单相主控芯片,负半周期把过零信号极性翻转再输出到单相主控芯片,进而使得单相主控芯片可以控制三相PFC电路。
附图说明
[0020]图1为本技术一个实施例的过零信号处理电路的结构示意图;
[0021]图2为本技术一个实施例的三相PFC电路的结构示意图。
[0022]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0023]应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0024]参照图1,本技术一实施例提供一种过零信号处理电路,包括:单相主控芯片40、信号翻转电路20、信号采集电路10、周期检测电路30、信号输入端、输入电压端;
[0025]所述单相主控芯片40与所述信号翻转电路20的第一端连接,所述信号翻转电路20的第二端与所述周期检测电路30的第一端连接,所述信号采集电路10的第一端与所述信号翻转电路20的第二端连接,所述信号翻转电路 20的第三端与所述周期检测电路30的第一端连接,所述周期检测电路30的第二端与所述输入电压端连接,所述信号采集电路10的第二端接地,所述信号采集电路10的第三端与所述信号输入端连接。
[0026]本实施例中,信号输入端流入的电流是随正弦波正负半周期交变的高频载波电流,过零信号是交流幅值为零(正负转换)的那一时间的信号,过零信号输入到单相主控芯片40中,单相主控芯片40通过过零信号控制与其连接的开关的导通或关断。周期检测电路30检测输入电压正弦波的周期状态,即检测当前输入电压正弦波是处于正半周期还是处于负半周期,根据检测结果控制周期检测电路30导通或截止,当输入电压正弦波为正半周期时,周期检测电路30截止,当输入电压正弦波为负半周期时,周期检测本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过零信号处理电路,其特征在于,包括:单相主控芯片、信号翻转电路、信号采集电路、周期检测电路、信号输入端、输入电压端;所述单相主控芯片与所述信号翻转电路的第一端连接,所述信号翻转电路的第二端与所述周期检测电路的第一端连接,所述信号采集电路的第一端与所述信号翻转电路的第二端连接,所述信号翻转电路的第三端与所述周期检测电路的第一端连接,所述周期检测电路的第二端与所述输入电压端连接,所述信号采集电路的第二端接地,所述信号采集电路的第三端与所述信号输入端连接。2.根据权利要求1所述的过零信号处理电路,其特征在于,所述信号采集电路包括电容、第一电阻、二极管;所述二极管的阳极接地,所述二极管的阳极作为所述信号采集电路的第二端,所述二极管的阴极与所述第一电阻的一端连接,所述二极管的阴极为所述信号采集电路的第一端,所述第一电阻的另一端与所述电容的一端连接,所述电容的另一端为所述信号采集电路的第三端。3.根据权利要求2所述的过零信号处理电路,其特征在于,所述信号翻转电路包括第二电阻、第三电阻、第一三极管;所述第二电阻的一端、第三电阻的一端与所述第一电阻的一端连接,所述第二电阻的一端为所述信号翻转电路的第二端,所述第二电阻的另一端通过所述周期检测电路连接于所述第一三极管的基极,所述第二电阻的另一端为所述信号翻转电路的第三端,所述第三电阻的另一端和所述单相主控芯片连接于所述第一三极管的集电极,所述第一三极管的集电极为所述信号翻转电路的第一端,所述第一三极管的发射极接地。4.根据权利要求3所述的过零信号处理电路,其特征在于,所述周期检测电路包括第一光耦、第二光耦、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二三极管;所述第一光耦包括第一发光二极管和第一光电三极管,所述第一光电三极管的集电极与所述第二电阻的另一端连接,所述第一光电三极管为所述周期检测电路的第一端,所述第一光电三极管的发射极与所述第一三极管的栅极连接,所述第一发光二极管的阳极与所述第四电阻的一端连接,所述第一发光二极管的阴极与所述第二三极管的集电极连接,所述第二光耦包括第二发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯尚华
申请(专利权)人:广东志高暖通设备股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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