用于变频器的可控硅控制器制造技术

本发明专利技术公开了一种用于变频器的可控硅控制器，包括依次连接的振荡器电路、MOSFET驱动电路和脉冲隔离触发电路，MOSFET驱动电路分别连接光电隔离电路和供电电源电路，脉冲隔离触发电路与可控硅电子开关连接。本发明专利技术输出功率的最大等级超过100kW，具有控制速度快、效率高、成本低、无火花、无噪音等特点，控制稳定、可靠，实现了专用变频器与负载电机的中频可控硅电子开关的通断控制，满足专用变频器输出中频电压通断的控制要求。电压通断的控制要求。电压通断的控制要求。

【技术实现步骤摘要】
用于变频器的可控硅控制器


[0001]本专利技术属于变频器控制领域，具体涉及一种用于变频器的可控硅控制器。

技术介绍

[0002]小功率专用变频器一般采用接触器控制其与负载电机的接通与断开，由于接触器具有体积小、控制方式简单等特点，能够满足负载投切的要求。随着专用变频器功率等级的提高，其输出负载电流的增大，传统的机械式接触器在投切负载时由于负载投切时的时间随机性，因而会产生非常大的电流，即合闸涌流。合闸涌流不仅影响接触器的寿命，而且对变频器和负载电机造成冲击，还会影响系统上其它设备的正常运行。
[0003]可控硅电子开关反应快，可以实现微秒级内开通、关断且具有无触点运行，无火花、无噪音，效率高、成本低等特点，因此在工业领域得到了广泛的应用，其相应的控制器也较为成熟。但是市场上常用的可控硅控制器一般都应用在50Hz工频场合，不能满足专用变频器输出中频电压通断的控制要求，基于此需要一种专用变频器的可控硅控制器。

技术实现思路

[0004]本专利技术是为了克服现有技术中存在可控硅控制器不能满足中频电压通断的控制要求的缺点而提出的，其目的是提供一种用于变频器的可控硅控制器。
[0005]本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种用于变频器的可控硅控制器，包括依次连接的振荡器电路、MOSFET驱动电路和脉冲隔离触发电路，MOSFET驱动电路分别连接光电隔离电路和供电电源电路，脉冲隔离触发电路与可控硅电子开关连接。
[0006]在上述技术方案中，所述振荡器电路包括相互连接的触发器、电阻R5和电容C5。
[0007]在上述技术方案中，所述振荡器电路产生20kHz的脉冲信号。
[0008]在上述技术方案中，所述施密特触发器的型号为施密特触发器4584。
[0009]在上述技术方案中，所述MOSFET驱动电路包括驱动器以及分别与驱动器连接的两支MOSFET管。
[0010]在上述技术方案中，所述MOSFET驱动电路将振荡器电路产生的脉冲信号变成推挽信号，驱动两支MOSFET管使其轮流导通。
[0011]在上述技术方案中，所述驱动器的型号为IR2110。
[0012]在上述技术方案中，所述脉冲隔离触发电路包括三组初级串联的脉冲变压器组T1和T2、T3和T4以及T5和T6，三组脉冲变压器组之间并联；每个脉冲变压器分别连接各自相应的整流桥。
[0013]在上述技术方案中，所述脉冲隔离触发电路将MOSFET驱动电路输出的信号经脉冲变压器耦合整流后同时触发六只可控硅，从而控制可控硅电子开关的导通。
[0014]在上述技术方案中，所述供电电源电路包括三相桥式整流器、电解电容和三端稳压管，三相桥式整流器由二极管D5～D7、D8～D10组成。
[0015]本专利技术的有益效果是：本专利技术提供了一种用于专用变频器的可控硅控制器，满足专用变频器中频电压的可控硅电子开关的驱动要求，可以应用于多种功率等级的专用变频器中，输出功率的最大等级超过100kW；具有控制速度快、效率高、成本低、无火花、无噪音等特点，控制稳定、可靠，实现了专用变频器与负载电机的中频可控硅电子开关的通断控制，满足专用变频器输出中频电压通断的控制要求。
附图说明
[0016]图1是本专利技术用于变频器的可控硅控制器应用于专用变频器时的结构示意图；图2是本专利技术用于变频器的可控硅控制器的电路图。
[0017]其中：1
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振荡器电路
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MOSFET驱动电路3
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脉冲隔离触发电路
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光电隔离电路5
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供电电源电路
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可控硅电子开关7
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专用变频器
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负载电机。
[0018]对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据以上附图获得其他的相关附图。
具体实施方式
[0019]为了使本
的人员更好地理解本专利技术技术方案，下面结合说明书附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术用于变频器的可控硅控制器的技术方案。
[0020]如图1、2所示，一种变频器的可控硅控制器，包括依次连接的振荡器电路1、MOSFET驱动电路2和脉冲隔离触发电路3，MOSFET驱动电路2分别连接光电隔离电路4和供电电源电路5，脉冲隔离触发电路3与可控硅电子开关6连接。
[0021]所述振荡器电路1、MOSFET驱动电路2和脉冲隔离触发电路3组成可控硅控制器的核心电路。
[0022]所述振荡器电路1是由施密特触发器4584及电阻、电容组成的振荡器电路，产生约20kHz的脉冲信号。
[0023]所述振荡器电路1的具体电路连接如下：施密特触发器U3的1号引脚与电阻R5的一端、电容C5的一端连接，电阻R5的另一端与U3的2号引脚、3号引脚连接，电容C5的另一端与U3的4号引脚、5号引脚连接。U3的6号引脚与U3的9号引脚、MOSFET驱动电路2中的驱动器U4的10号引脚连接，施密特触发器U3的8号引脚与MOSFET驱动电路2中的驱动器U4的12号引脚连接。
[0024]所述MOSFET驱动电路2采用IR2110作为驱动器，把振荡器电路产生的脉冲信号变成推挽信号，驱动两支MOSFET管使其轮流导通。
[0025]所述MOSFET驱动电路2的具体电路连接如下：电容C3的一端与驱动器U4的9号引脚、+15V连接，电容C3的另一端与驱动器U4的13号引脚、GND连接；二极管D3的阳极与电解电容C2的正极、电容C4的一端、驱动器U4的3号引脚、+15连接；
二极管D3的阴极与C1的一端、驱动器U4的6号引脚连接；电容C1的另一端与驱动器U4的5号引脚、MOSFET管U1的源极、MOSFET管U2的漏极、脉冲隔离触发电路3中的脉冲变压器T2的2号引脚、脉冲变压器T4的2号引脚、脉冲变压器T6的2号引脚连接，电容C4的另一端与电解电容C2的阴极、驱动器U4的2号引脚、MOSFET管U2的源极、GND连接。电阻R1的一端与二极管D1的阴极、驱动器U4的7号引脚连接，电阻R1的另一端与二极管D1的阳极、MOSFET管U1的栅极连接。电阻R2的一端与二极管D2的阴极、驱动器U4的1号引脚连接，电阻R2的另一端与二极管D2的阳极、MOSFET管U2的栅极连接。
[0026]所述脉冲隔离触发电路3将MOSFET驱动电路2输出的信号经脉冲变压器耦合整流后同时触发六只可控硅，从而控制可控硅电子开关6的导通，实现专用变频器7和负载电机8的连接。
[0027]所述脉冲隔离触发电路3的具体电路连接如下：脉冲变压器T1的2号引脚与脉冲变压器T2的1号引脚连接，脉冲变压器T3的2号引脚与脉冲变压器T4的1号引脚连接，脉冲变压器T5的2号引脚与脉冲变压器T6的1号引脚连接。
[0028]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于变频器的可控硅控制器，其特征在于：包括依次连接的振荡器电路（1）、MOSFET驱动电路（2）和脉冲隔离触发电路（3），MOSFET驱动电路（2）分别连接光电隔离电路（4）和供电电源电路（5），脉冲隔离触发电路（3）与可控硅电子开关（6）连接。2.根据权利要求1所述的用于变频器的可控硅控制器，其特征在于：所述振荡器电路（1）包括相互连接的触发器、电阻R5和电容C5。3.根据权利要求2所述的用于变频器的可控硅控制器，其特征在于：所述振荡器电路（1）产生20kHz的脉冲信号。4.根据权利要求2所述的用于变频器的可控硅控制器，其特征在于：所述施密特触发器的型号为施密特触发器4584。5.根据权利要求1所述的用于变频器的可控硅控制器，其特征在于：所述MOSFET驱动电路（2）包括驱动器以及分别与驱动器连接的两支MOSFET管。6.根据权利要求5所述的用于变频器的可控硅控制器，其特征在于：所述MOSF...

【专利技术属性】
技术研发人员：于民东，赵秋毅，崔岳，
申请(专利权)人：核工业理化工程研究院，
类型：发明
国别省市：