一种非金属材料的提纯方法技术

一种非金属材料的提纯方法，涉及高纯材料的制备领域，特别是通过金属熔体对易挥发性非金属材料进行提纯的方法。包括以下步骤：将气化的非金属材料在高压环境下注入到金属熔体中；降低环境压力，收集从金属熔体中挥发出的气泡，得到提纯后的非金属材料。采用本发明专利技术提出的技术方案，可以有效去除非金属材料中的杂质，尤其是去除性质相近的元素，方法简单；可以采用本方法对非金属材料多次提纯，逐步提高材料纯度。料纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种非金属材料的提纯方法


[0001]本专利技术涉及高纯材料的制备领域，尤其适用于高纯非金属材料的制备，特别是通过金属熔体对易挥发性非金属材料进行提纯的方法。

技术介绍

[0002]磷、硫及砷等为重要的半导体原材料，其可以制备磷化铟、磷化镓、砷化镓、二硫化钼等半导体材料，在国民经济中具有重要作用。制造半导体材料对半导体原材料的纯度要求很高，一般要达到99.999%以上。
[0003]半导体原材料中一般含有Fe、Ca、Co、Mg、Cr、Cd、Mn、Ni、Cu、Pb、Zn、Al等杂质元素。
[0004]以磷为例，在磷的提纯领域，传统的工业制备方法为：粗磷的升华、氯化或水解、精馏、提纯、还原等复杂的工艺，设备复杂，世界上仅有几个国家掌握高纯磷的提纯技术。我国磷资源的储量占世界第二，磷化工产品的产量占世界第一，但是我国磷工业的总体水平与国外尚有较大差距。
[0005]另外，磷、硫及砷等元素的性质相近，在要求提纯的单一元素中，其它的元素会以杂质的形式出现，如磷中的硫和砷、硫中的磷和砷、砷中的磷和硫。传统的方法，性质相近的杂质很难去本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非金属材料的提纯方法，所述非金属材料为易挥发性材料，其特征在于，包括以下步骤：将气化的非金属材料在高压环境下注入到金属熔体中；降低环境压力，收集从金属熔体中溢出气泡中的非金属材料，从而得到提纯后的非金属材料。2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于：所述非金属材料为制作半导体晶体的易挥发性材料。3.根据权利要求2所述的提纯方法，其特征在于：所述金属为III族低熔点金属。4.根据权利要求2所述的提纯方法，其特征在于：提纯前非金属材料的纯度大于95%。5.根据权利要求3所述的提纯方法，其特征在于：所述非金属材料与所述金属合成后的物质为半导体材料。6.根据权利要求1或5所述的提纯方法，其特征在于：所述提纯方法包括以下步骤：步骤A、将金属置于密闭容器中，抽真空至10-5
Pa；步骤B、密闭容器中充入惰性气体，使密闭容器内的压力高于设计压力；步骤C、加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王书杰，孙聂枫，刘惠生，孙同年，徐森锋，史艳磊，邵会民，付莉杰，姜剑，王阳，李晓岚，
申请(专利权)人：中国电子科技南湖研究院，
类型：发明
国别省市：