【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及显示面板
[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。
技术介绍
[0002]低温多晶硅技术被广泛用于显示装置中,但由于多晶硅自身存在晶粒间界和大量的间界缺陷态密度,使得各个晶体管的阈值电压不同,且在长时间栅偏压的作用下晶体管的阈值电压会发生偏移,导致显示面板显示时,显示画面会出现显示亮度不均、闪烁等问题,影响显示品质。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种像素驱动电路及显示面板,可以补偿驱动晶体管的阈值电压,改善显示面板的显示效果。
[0004]本申请实施例提供一种像素驱动电路,包括:发光器件,驱动晶体管,补偿模块及数据写入模块;所述驱动晶体管用于为所述发光器件提供驱动电流;所述补偿模块至少包括:存储电容,所述存储电容用于维持所述驱动晶体管的栅极电压;第一晶体管,所述第一晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的栅极连接,所述第一晶体管用于将第一复位信号传输至所述驱动晶体管的栅极;第二晶体管,所述第二晶体管用于将第二复位信号传输至所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者;补偿晶体管,所述存储电容串联在所述补偿晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的所述栅极之间,所述补偿晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接,所述补偿晶体管用于与所述第二晶体管、所述存储电容补偿所述驱动晶体管的阈值电压;所述数据写入模块至少包括:数据写入晶体管,所述数据写入晶体管的源极或漏极中的一者与所述存储电容的上极板连接,所述数据 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:发光器件,驱动晶体管,补偿模块及数据写入模块;所述驱动晶体管用于为所述发光器件提供驱动电流;所述补偿模块至少包括:存储电容,所述存储电容用于维持所述驱动晶体管的栅极电压;第一晶体管,所述第一晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的栅极连接,所述第一晶体管用于将第一复位信号传输至所述驱动晶体管的所述栅极;第二晶体管,所述第二晶体管用于将第二复位信号传输至所述驱动晶体管的源极或漏极中的一者;补偿晶体管,所述存储电容串联在所述补偿晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的所述栅极之间,所述补偿晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接,所述补偿晶体管用于与所述第二晶体管、所述存储电容补偿所述驱动晶体管的阈值电压;所述数据写入模块至少包括:数据写入晶体管,所述数据写入晶体管的源极或漏极中的一者与所述存储电容的上极板连接,所述数据写入晶体管用于将数据信号写入所述存储电容,并将所述数据信号传输至所述驱动晶体管的所述栅极。2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动晶体管与所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述补偿晶体管及所述数据写入晶体管的类型不同。3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动晶体管为硅晶体管,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述补偿晶体管及所述数据写入晶体管为氧化物晶体管。4.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动晶体管为P型晶体管;所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述补偿晶体管及所述数据写入晶体管为N型晶体管。5.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括用于控制所述发光器件发光的发光控制模块,所述发光控制模块至少包括:第一开关晶体管,所述第一开关晶体管的源极或漏极中的一者与第二电压端连接,所述源极或所述漏极中的另一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接;第二开关晶体管,所述第二开关晶体管的源极或漏极中的一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接,所述源极或所述漏极中的另一者与所述发光器件的阳极连接。6.根据权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一开关晶体管的栅极与第一发光控制信号线连接,所述第二开关晶体管的栅极与第二发光控制信号线连接,所述第二晶体管的源极或漏极中的一者与所述第二开关晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接,所述第二晶体管用于将所述第二复位信号传输至所述发光器件的所述阳极。7.根据权利要求6所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二发光控制信号线载入的第二发光控制信号滞后所述第一发光控制信号线载入的第一发光控制信号,所述第一复位信号与所述第二复位信号的电压值相等。8.根据权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二晶体管的所述源极或所述漏极中的一者与所述驱动晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接。9.根据权利要求8所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括复位模块,所述复位模块至少包括:复位晶体管,所述复位晶体管的源极或漏极中的一者与所述发光器件的所述阳极连接,所述复位晶体管用于将所述第一复位信号传输至所述发光器件的
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【专利技术属性】
技术研发人员:王选芸,戴超,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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