一种新的IGBT驱动电路板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新的IGBT驱动电路板，包括用于接收上位控制电路输出的控制脉冲序列信号并输出第一脉冲序列信号的初级侧电路单元；用于接收第一脉冲序列信号并输出半导体驱动信号以用于驱动功率半导体元件接通/断开的次级侧电路单元；用于接收半导体驱动信号并述半导体驱动信号从次级侧电路单元反馈至所述初级侧电路单元的反馈电路单元，反馈电路单元输出反馈信号和设置在初级侧电路单元中用于接收反馈信号并当反馈信号与所述控制脉冲序列信号不匹配状态超过设定时长时向上位控制电路输出脉冲缺相信号的检测电路单元。该电路可以实时的检测出输出信号与控制信号不匹配的时长是否超过设定值，并当超过设定值时向上位控制电路输出脉冲缺相信号。向上位控制电路输出脉冲缺相信号。向上位控制电路输出脉冲缺相信号。

【技术实现步骤摘要】
一种新的IGBT驱动电路板


[0001]本技术涉及功率半导体驱动
，具体涉及一种新的IGBT驱动电路板。

技术介绍

[0002]在电力转换过程中，需要具有将直流电转换成交流电的功能或将交流电转换成直流电的功能。在电流转换过程中，需要通过功率半导体驱动电路控制功率半导体元件的接通和断开，然而，在驱动电路控制功率半导体接通和断开过程中，控制电路或功率半导体元件异常时，会造成控制信号异常，进而影响电力转换的精度，如何检测出控制信号异常对电力转换的精度具有重要的作用。

技术实现思路

[0003]本技术提出了一种新的IGBT驱动电路板，用于解决如何检测出控制信号异常的问题。
[0004]本技术采用的技术解决方案如下：
[0005]一种新的IGBT驱动电路板，包括，用于接收上位控制电路输出的控制脉冲序列信号并输出第一脉冲序列信号的初级侧电路单元；用于接收所述第一脉冲序列信号并输出半导体驱动信号以用于驱动功率半导体元件接通/断开的次级侧电路单元；用于接收所述半导体驱动信号并将所述半导体驱动信号从所述次级侧电路单元反馈至所述初级侧电路单元的反馈电路单元，所述反馈电路单元输出反馈信号；以及，设置在初级侧电路单元中用于接收所述反馈信号并当所述反馈信号与所述控制脉冲序列信号不匹配状态超过设定时长时向所述上位控制电路输出脉冲缺相信号的检测电路单元。
[0006]进一步地，所述次级侧电路单元包括电阻R1、缓冲器IC2、正偏置电源V1、负偏置电源V2以及电阻R2；
[0007]所述缓冲器IC2的输入端通过电阻R1与光电耦合器OC1的输出端连接，所述光电耦合器OC1的输入端与初级侧电路单元的输出端连接，所述正偏置电源V1的正极与所述缓冲器IC2的正电源输入端连接，负极与所述负偏置电源V2的正极连接，所述负偏置电源V2的负极与所述缓冲器IC2的负电源输入端连接，所述缓冲器IC2的输出端通过电阻R2与绝缘栅双极晶体管T1的栅极连接，正偏置电源V1的负极与所述绝缘栅双极晶体管T1的发射极连接。
[0008]进一步地，所述反馈电路单元包括电阻R3和光电耦合器OC2，所述电阻R3的一端与所述缓冲器IC2的输出端连接，另一端与所述光电耦合器OC2的输入端的阳极连接，所述光电耦合器OC2的输入端的阴极与负偏置电源V2的负极连接。
[0009]进一步地，还包括噪声滤波电路单元，所述噪声滤波电路单元包括电阻R4、电容C1以及齐纳二极管D1，所述电阻R4的一端与所述光电耦合器OC2的输入端的阳极连接，另一端分别与电容C1的一端和所述光电耦合器OC2的输入端的阴极连接，电容C1的另一端与齐纳二极管D1的阳极连接，齐纳二极管D1的阴极与所述光电耦合器OC2的输入端的阴极连接。
[0010]进一步地，所述检测电路单元包括用于接收所述反馈信号并进行充放电的充放电
电路和用于将充放电电路的输出电压与设置为对应于所述设定时长的参考电压进行比较的比较电路。
[0011]进一步地，所述充放电电路包括串联连接在初级侧电路单元的正电源Vcc和地之间的电阻R5和电容C2，所述光电耦合器OC2输出端的集电极与所述电阻R5和电容C2相连的引脚连接，所述光电耦合器OC2输出端的发射极与地连接。
[0012]进一步地，所述比较电路包括比较器IC1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10以及三极管Q1；
[0013]所述电阻R6的一端与正电源Vcc连接，另一端与比较器IC1的反向输入端和电阻R7的一端连接，电阻R7的另一端与地连接，所述比较器IC1的同相输入端与所述电阻R5和电容C2相连的引脚连接，所述比较器IC1的输出端与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与三极管Q1的基极和电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端接地，所述三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极与上位控制电路连接，三极管Q1的集电极通过电阻R10与正电源Vcc连接。
[0014]与现有技术比较，本技术所述的新的IGBT驱动电路板具有以下优点：
[0015]其通过设置反馈电路单元以及电路检测单元，当控制信号出现异常时间到达一定时长时，向上位控制电路发出预警信号，进而方便对控制信号进行调整。
附图说明
[0016]图1 为本技术公开实施例的结构框图；
[0017]图2为本技术公开的实施例的电路图。
具体实施方式
[0018]一种新的IGBT驱动电路板，如图1和图2所示，包括，
[0019]用于接收上位控制电路1输出的控制脉冲序列信号（PWM信号）并输出第一脉冲序列信号的初级侧电路单元2；
[0020]用于接收所述第一脉冲序列信号并输出半导体驱动信号以用于驱动功率半导体元件接通/断开的次级侧电路单元3；
[0021]用于接收所述半导体驱动信号并将所述半导体驱动信号从所述次级侧电路单元反馈至所述初级侧电路单元的反馈电路单元4，所述反馈电路单元输出反馈信号；以及，
[0022]设置在初级侧电路单元中用于接收所述反馈信号并当所述反馈信号与所述控制脉冲序列信号不匹配状态超过设定时长时向所述上位控制电路输出脉冲缺相信号的检测电路单元5。
[0023]具体地，在电力转换电路中由绝缘栅双极晶体管T1和绝缘栅双极晶体管T2组成推挽输出电路，绝缘栅双极晶体管T1的集电极接高压侧电源，绝缘栅双极晶体管T2的发射极接低压侧电源，绝缘栅双极晶体管T1的发射极和绝缘栅双极晶体管T2的集电极连接并作为输出端，用于为负载提供电能。绝缘栅双极晶体管T1和绝缘栅双极晶体管T2分别通过一个驱动电路进行控制其接通和断开，两个驱动电路结构相同，本实施例，仅对一个控制电路进行说明，初级侧电路单元采用常规的放大电路，用于接收上位控制电路发出的控制脉冲序列信号并对该进行放大以用于输入至次级侧电路单元中，次级侧电路将初级侧电路单元提供的PWM信号作为绝缘栅双极晶体管T1和绝缘栅双极晶体管T2的半导体驱动信号，并基于
该半导体驱动信号控制绝缘栅双极晶体管T1和绝缘栅双极晶体管T2的接通或断开。
[0024]正常情况下。绝缘栅双极晶体管T1和绝缘栅双极晶体管T2的半导体驱动信号是与初级侧电路单元提供的PWM信号相对应的脉冲序列信号，如果，在次级侧驱动电路中电路元件或绝缘栅双极晶体管出现异常时，就可能会出现半导体驱动信号发生脉冲缺失的问题，导致绝缘栅双极晶体管工作异常，进而无法正常工作，本技术公开的IGBT驱动电路板可以检测出半导体驱动信号的异常并发送给上位控制电路。
[0025]具体地，所述次级侧电路单元包括电阻R1、缓冲器IC2、正偏置电源V1、负偏置电源V2以及电阻R2；所述缓冲器IC2的输入端通过电阻R1与光电耦合器OC1的输出端连接，所述光电耦合器OC1的输入端与初级侧电路单元的输出端连接，所述正偏置电源V1的正极与所述缓冲器IC2的正电源输入端连接，负极与所述负偏置电源V2的正极连接，所述负偏置电源V2的负极与所述缓冲器IC2的负电源输入端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新的IGBT驱动电路板，其特征在于包括:用于接收上位控制电路输出的控制脉冲序列信号并输出第一脉冲序列信号的初级侧电路单元；用于接收所述第一脉冲序列信号并输出半导体驱动信号以用于驱动功率半导体元件接通/断开的次级侧电路单元；用于接收所述半导体驱动信号并将所述半导体驱动信号从所述次级侧电路单元反馈至所述初级侧电路单元的反馈电路单元，所述反馈电路单元输出反馈信号；以及，设置在初级侧电路单元中用于接收所述反馈信号并当所述反馈信号与所述控制脉冲序列信号不匹配状态超过设定时长时向所述上位控制电路输出脉冲缺相信号的检测电路单元。2.根据权利要求1所述的新的IGBT驱动电路板，其特征在于：所述次级侧电路单元包括电阻R1、缓冲器IC2、正偏置电源V1、负偏置电源V2以及电阻R2；所述缓冲器IC2的输入端通过电阻R1与光电耦合器OC1的输出端连接，所述光电耦合器OC1的输入端与初级侧电路单元的输出端连接，所述正偏置电源V1的正极与所述缓冲器IC2的正电源输入端连接，负极与所述负偏置电源V2的正极连接，所述负偏置电源V2的负极与所述缓冲器IC2的负电源输入端连接，所述缓冲器IC2的输出端通过电阻R2与绝缘栅双极晶体管T1的栅极连接，正偏置电源V1的负极与所述绝缘栅双极晶体管T1的发射极连接。3.根据权利要求2所述的新的IGBT驱动电路板，其特征在于：所述反馈电路单元包括电阻R3和光电耦合器OC2，所述电阻R3的一端与所述缓冲器IC2的输出端连接，另一端与所述光电耦合器OC2的输入端的阳极连接，所述光电耦合器OC2的输入端的阴极与负偏置电源V2的负极连接。4.根据权利要求3所述的新的IGBT驱动电路板，其特征在于还包括：噪声滤波电路单元，所述噪声滤波电路单元包括电阻R4、电容C1以及齐纳二极管D1，所述电阻R4...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志龙，贾丽丽，
申请(专利权)人：辽宁海澜沣沅新材科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：