感光性树脂组合物、具有图案的树脂膜的制造方法、具有图案的树脂膜、及半导体电路基板技术

一种感光性树脂组合物，含有聚合物(A)、交联剂(B)及光阳离子产生剂(C)，所述聚合物(A)具有下述式(a1)所表示的末端基、以及下述式(a2)所表示的重复结构单元。[式(a1)及式(a2)中，Y表示通过利用光照射而由所述光阳离子产生剂(C)产生的阳离子的作用，与所述交联剂(B)反应的反应性基；X分别独立地表示氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光性树脂组合物、具有图案的树脂膜的制造方法、具有图案的树脂膜、及半导体电路基板


[0001]本专利技术涉及一种感光性树脂组合物、具有图案的树脂膜的制造方法、具有图案的树脂膜、及半导体电路基板。

技术介绍

[0002]在高速移动通信设备中，为了处理速度的高速化而使用高频的电信号。在高速移动通信设备所使用的半导体电路基板中，由高频的电信号引起电场剧烈地变化，因此正在进行对伴随半导体电路基板所具有的绝缘膜的介电损耗的信号延迟或绝缘膜的发热的应对。
[0003]作为针对此种绝缘膜的发热的对策，为了降低绝缘膜的介电损耗而对在高频区域中具有低介电常数及低介电损耗角正切的绝缘膜进行了开发(例如，参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利特开2017-015890号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]作为针对绝缘膜的发热的对策，作出了如下应对：在半导体电路基板中使用薄的硅中介层来进行散热。然而，硅中介层与绝缘膜的热线膨胀系数不同，因此在绝缘膜的伸长性小的情况下，存在因热而产生薄的硅中介层的翘曲或破损的问题。
[0009]进而，半导体电路基板中使用的绝缘膜被用于精细间距的电极垫间或配线间。因此，在用以形成具有图案的绝缘膜等具有图案的树脂膜(以下也称为“图案化树脂膜”)的组合物中，需要能够利用曝光及显影进行图案化的光刻性。
[0010]本专利技术用以解决所述问题，即，其目的在于：提供一种感光性树脂组合物，其能够形成介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的树脂膜，并且具有光刻性；提供一种介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的图案化树脂膜及其制造方法；以及提供一种半导体电路基板，其包含介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的图案化树脂膜。
[0011]解决问题的技术手段
[0012]本专利技术人等人为解决所述课题而进行了努力研究。结果发现，利用具有以下组成的感光性树脂组合物而可解决所述课题，从而完成了本专利技术。本专利技术例如为以下的[1]～[9]。
[0013][1]一种感光性树脂组合物，含有聚合物(A)、交联剂(B)及光阳离子产生剂(C)，所述聚合物(A)具有下述式(a1)所表示的末端基、以及下述式(a2)所表示的重复结构单元。
[0014][化1][0015]-X-R
1-Y
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(a1)
[0016][0017][式(a1)及式(a2)中，Y表示通过利用光照射而由所述光阳离子产生剂(C)产生的阳离子的作用，与所述交联剂(B)反应的反应性基；X分别独立地表示氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或-SO
2-；R1表示二价烃基、或在所述二价烃基中导入了除所述反应性基及杂环以外的官能基的二价基；R2表示二价烃基、在所述二价烃基中导入了除所述反应性基及杂环以外的官能基的二价基、或不具有所述反应性基的含杂环的基。][0018][2]根据所述[1]所述的感光性树脂组合物，其中所述反应性基为酚性羟基。
[0019][3]根据所述[1]或[2]所述的感光性树脂组合物，其中所述R1为亚芳基。
[0020][4]根据所述[1]至[3]中任一项所述的感光性树脂组合物，其中所述R2为自嘧啶去除两个氢原子后的二价基、或亚芳基。
[0021][5]根据所述[1]至[4]中任一项所述的感光性树脂组合物，其中所述交联剂(B)是具有至少两个羟甲基或烷氧基甲基的交联剂。
[0022][6]根据所述[1]至[5]中任一项所述的感光性树脂组合物，其中所述聚合物(A)是直链状聚合物。
[0023][7]一种具有图案的树脂膜的制造方法，具有：在基板上形成根据所述[1]至[6]中任一项所述的感光性树脂组合物的涂膜的步骤(1)；对所述涂膜进行选择性曝光的步骤(2)；以及利用含有有机溶媒的显影液对曝光后的所述涂膜进行显影的步骤(3)。
[0024][8]一种具有图案的树脂膜，是通过根据所述[7]所述的制造方法而形成。
[0025][9]一种半导体电路基板，包含根据所述[8]所述的具有图案的树脂膜。
[0026]专利技术的效果
[0027]根据本专利技术，可提供一种感光性树脂组合物，其能够形成介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的树脂膜，并且具有光刻性，另外，可提供一种介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的图案化树脂膜及其制造方法，并且可提供一种半导体电路基板，其包含介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的图案化树脂膜。
具体实施方式
[0028]以下，针对用以实施本专利技术的形态，也包含优选方案在内进行说明。
[0029][感光性树脂组合物][0030]本专利技术的感光性树脂组合物(以下也简称为“本专利技术的组合物”)含有以下说明的聚合物(A)、交联剂(B)、及光阳离子产生剂(C)。
[0031]＜聚合物(A)＞
[0032]聚合物(A)具有下述式(a1)所表示的末端基(以下也称为“末端基(a1)”)、以及下述式(a2)所表示的重复结构单元(以下也称为“重复结构单元(a2)”)。
[0033][化2][0034]-X-R
1-Y
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(a1)
[0035][0036]聚合物(A)可为具有一种重复结构单元(a2)的聚合物，也可为具有两种以上重复结构单元(a2)的聚合物。
[0037]式(a1)及式(a2)中的各记号的含义如下所述。
[0038]《Y》
[0039]式(a1)中的Y表示反应性基。所述反应性基是通过利用光照射而由光阳离子产生剂(C)产生的阳离子的作用，与交联剂(B)反应的基，此处，所述阳离子促进聚合物(A)与交联剂(B)的交联反应。Y例如为-X-H所表示的基(X与式(a1)中的X为相同含义)。
[0040]可根据交联剂(B)的种类来判断Y是否为所述反应性基。作为所述反应性基，例如可列举：酚性羟基、硫醇基、氨基、磺酸基及羧基。就可使用本专利技术的组合物来形成介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的图案化树脂膜，另外，聚合物(A)在有机溶媒中的溶解性或保存稳定性优异而言，所述反应性基优选为酚性羟基。
[0041]《X》
[0042]式(a1)及式(a2)中的X分别独立地表示氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或-SO
2-。这些中，就可使用本专利技术的组合物来形成介电常数低且介电损耗角正切低、伸长性优异的图案化树脂膜，聚合物(A)在有机溶媒中的溶解性或保存稳定性优异而言，优选为氧原子及酯键。
[0043]《R1及R2》
[0044]式(a1)中，R1表示二价烃基、或在所述二价烃基中导入了除所述反应性基及杂环以外的官能基的二价基(以下也称为“二价取代烃基”)。
[0045]式(a2)中的R2表示二价烃基、二价取代烃基、或不具有所述反应性基的含杂环的基。
[0046]作为R1，优选为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种感光性树脂组合物，含有：聚合物(A)，具有下述式(a1)所表示的末端基、以及下述式(a2)所表示的重复结构单元；交联剂(B)；及光阳离子产生剂(C)，[化1]-X-R
1-Y
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(a1)[式(a1)及式(a2)中，Y表示通过利用光照射而由所述光阳离子产生剂(C)产生的阳离子的作用，与所述交联剂(B)反应的反应性基；X分别独立地表示氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或-SO
2-；R1表示二价烃基、或在所述二价烃基中导入了除所述反应性基及杂环以外的官能基的二价基；R2表示二价烃基、在所述二价烃基中导入了除所述反应性基及杂环以外的官能基的二价基、或不具有所述反应性基的含杂环的基]。2.根据权利要求1所述的感光性树脂组合物，其中所述反应性基为酚性羟基。3.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口虎彦，菅野贵美幸，多田罗了嗣，门田敏明，一二三辽祐，穴吹翔马，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：