粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板制造技术

提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中可兼顾优异的蚀刻性和高抗剪强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔是在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面依据ISO25178测定的最大高度Sz为0.65～1.00μm、依据ISO25178测定的界面扩展面积比Sdr为1.50～4.20、依据ISO25178测定的峰顶点密度Spd为6.50

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板


[0001]本专利技术涉及粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。

技术介绍

[0002]近年来，作为适于电路的微细化的印刷电路板的制造方法，正在广泛采用MSAP(Modified Semi-Additive Process，改良型半加成工艺)法。MSAP法为适于形成极其微细的电路的方法，为了利用其特征，使用带载体的铜箔而进行。例如，如图1及2所示，使用预浸料12和底漆层13，将极薄铜箔10压制并密合于在基底基材11a上具备下层电路11b的绝缘树脂基板11上(工序(a))，将载体(未图示)剥离后，根据需要，通过激光穿孔形成通孔14(工序(b))。接着，赋予化学镀铜层15(工序(c))，然后，通过使用了干膜16的曝光及显影以规定的图案进行掩蔽(工序(d))，赋予电镀铜层17(工序(e))。去除干膜16而形成布线部分17a后(工序(f))，通过蚀刻将彼此相邻的布线部分17a与17a间的不需要的极薄铜箔等以遍及它们厚度整体的方式去除(工序(g))，得到以规定的图案形成的布线18。此处，为了提高电路-基板间的物理密合性，通常对极薄铜箔10的表面进行粗糙化处理。
[0003]实际上，提出了若干基于MSAP法等的微细电路形成性优异的带载体的铜箔。例如，专利文献1(国际公开第2016/117587号)中公开了一种带载体的铜箔，其具备剥离层侧的面的表面峰间平均距离为20μm以下、并且与剥离层处于相反侧的面的波纹的最大高低差为1.0μm以下的极薄铜箔，根据该方式，能够兼顾微细电路形成性和激光加工性。另外，专利文献2(日本特开2018-26590号公报)中，出于提高微细电路形成性的目的，公开了极薄铜层侧表面的依据ISO25178得到的最大峰高Sp与突出峰部高度Spk的比Sp/Spk为3.271～10.739的带载体的铜箔。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2016/117587号
[0007]专利文献2：日本特开2018-26590号公报

技术实现思路

[0008]近年来，为了通过上述的MSAP法等形成更加微细的电路，对铜箔要求进一步的平滑化及粗糙化颗粒的微小化。然而，尽管通过铜箔的平滑化及粗糙化颗粒的微小化，与电路的微细化相关的铜箔的蚀刻性得到提高，但是铜箔与基板树脂等的物理密合力会降低。特别是，随着电路的细线化的发展，在印刷电路板的安装工序中，对电路施加来自横向的物理应力(即剪切应力)而导致电路变得容易剥离、成品率降低这样的问题明显化。对于这点，电路与基板的物理密合指标之一中有抗剪强度(剪切强度)，为了有效地避免上述的电路剥离，要求将抗剪强度保持为一定以上。但是，为了确保一定以上的抗剪强度，不得不增大铜箔的粗糙化颗粒，存在难以实现与蚀刻性的兼顾的问题。
[0009]本专利技术人等此次得到如下见解：在粗糙化处理铜箔中，通过赋予将ISO25178中规
定的最大高度Sz、界面扩展面积比Sdr及峰顶点密度Spd各自控制为规定的范围的表面轮廓，从而在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中可兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度。
[0010]因此，本专利技术的目的在于，提供在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中可兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度的粗糙化处理铜箔。
[0011]根据本专利技术的一个方式，提供一种粗糙化处理铜箔，其是在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，
[0012]前述粗糙化处理面的依据ISO25178测定的最大高度Sz为0.65～1.00μm、依据ISO25178测定的界面扩展面积比Sdr为1.50～4.20、依据ISO25178测定的峰顶点密度Spd为6.50
×
106～8.50
×
106个/mm2。
[0013]根据本专利技术的另一个方式，提供一种带载体的铜箔，其具备：载体；剥离层，其设置于该载体上；以及前述的粗糙化处理铜箔，其以前述粗糙化处理面为外侧而设置于该剥离层上。
[0014]根据本专利技术的又一个方式，提供一种覆铜层叠板，其具备前述粗糙化处理铜箔。
[0015]根据本专利技术的又一个方式，提供一种印刷电路板，其具备前述粗糙化处理铜箔。
附图说明
[0016]图1为用于对MSAP法进行说明的工序流程图，为示出前半部分工序(工序(a)～(d))的图。
[0017]图2为用于对MSAP法进行说明的工序流程图，为示出后半部分工序(工序(e)～(g))的图。
[0018]图3为用于对抗剪强度的测定方法进行说明的示意图。
具体实施方式
[0019]定义
[0020]以下示出为了对本专利技术进行限定而使用的用语和/或参数的定义。
[0021]本说明书中，“最大高度Sz”是指：依据ISO25178测定的、表示从表面的最高点到最低点的距离的参数。最大高度Sz可以通过利用市售的激光显微镜对粗糙化处理面的规定的测定面积(例如6812μm2的二维区域)的表面轮廓进行测定来算出。
[0022]本说明书中，“界面扩展面积比Sdr”是指：依据ISO25178测定的、表示定义区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积增大多少的参数。该值越小，表示为越接近平坦的表面形状，完全平坦的表面的Sdr为0。另一方面，该值越大，表示为凹凸越多的表面形状。例如，在表面的Sdr为0.4的情况下，表示该表面相对于完全平坦的表面增大了40％表面积。界面扩展面积比Sdr可以通过利用市售的激光显微镜对粗糙化处理面的规定的测定面积(例如6812μm2的二维区域)的表面轮廓进行测定来算出。
[0023]本说明书中，“峰顶点密度Spd”是指：依据ISO25178测定的、表示每单位面积的峰顶点的数量的参数。该值大时，启示与其他物体的接触点的数量多。峰顶点密度Spd可以通过利用市售的激光显微镜对粗糙化处理面的规定的测定面积(例如6812μm2的二维区域)的表面轮廓进行测定来算出。
[0024]本说明书中，载体的“电极面”是指在载体制作时与阴极接触的一侧的面。
[0025]本说明书中，载体的“析出面”是指在载体制作时析出电解铜的一侧的面、即不与阴极接触的一侧的面。
[0026]粗糙化处理铜箔
[0027]本专利技术的铜箔为粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。该粗糙化处理面的最大高度Sz为0.65～1.00μm、界面扩展面积比Sdr为1.50～4.20、峰顶点密度Spd为6.50
×
106～8.50
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106个/mm2。这样，粗糙化处理铜箔中，通过赋予将最大高度Sz、界面扩展面积比Sdr及峰顶点密度Spd分别控制为规定的范围的表面轮廓，从而在覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造中，可兼顾优异的蚀刻性和高的抗剪强度。
[0028]优异的蚀刻性与高的抗剪强度本来是难以兼顾的。这是因为，如前所述，为了提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粗糙化处理铜箔，其是在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，所述粗糙化处理面依据ISO25178测定的最大高度Sz为0.65～1.00μm、依据ISO25178测定的界面扩展面积比Sdr为1.50～4.20、依据ISO25178测定的峰顶点密度Spd为6.50
×
106～8.50
×
106个/mm2。2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述最大高度Sz为0.65～0.90μm。3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述界面扩展面积比Sdr为1.80～3.50。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述峰顶点密度Spd为7.65
×
106～8.50
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106个/mm2。5.根据权利要求1～4...

【专利技术属性】
技术研发人员：细川真，高梨哲聪，沟口美智，平冈慎哉，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：