供应射频(RF)等离子体产生器及远程等离子体产生器的RF信号源制造技术

一种多信号射频(RF)源包含：RF源；以及转换器，其包含与所述RF源的输出连通的输入、第一输出和第二输出。所述转换器被设置成将所述输入选择性连接至所述第一输出和所述第二输出中的一者。与所述多信号RF源的所述第一输出连通的RF产生器被设置成在所述处理室中产生等离子体。与所述多信号RF源的所述第二输出连通的远程等离子体产生器被设置成供应远程等离子体至所述处理室。离子体至所述处理室。离子体至所述处理室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】供应射频(RF)等离子体产生器及远程等离子体产生器的RF信号源
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2018年7月9日申请的美国临时申请No.62/695,693的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及供应RF等离子体产生器和远程等离子体产生器的RF信号源。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于对诸如半导体晶片之类的衬底执行蚀刻、沉积、以及/或者其他处理。可在衬底上执行的示例性工艺包含但不限于：化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、原子层蚀刻(ALE)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、以及/或者其他蚀刻、沉积和清洁工艺。
[0005]在处理期间，将衬底置于在衬底处理系统的处理室中的诸如底座、静电夹头(ESC)等等衬底支撑件上。将处理气体混合物引入处理室以处理该衬底。在某些示例中，可激励等离子体以增强处理室内的化学反应。
[0006]在预定间隔或是处理预定数量的衬底之后，可清洁处理室。某些处理室包含远程等离子体产生器，该远程等离子体产生器在外部产生等离子体并将等离子体供应至处理室，以将在处理室内部表面上的膜或其他物质的积聚物移除。

技术实现思路

[0007]一种多信号射频(RF)源包含：RF源；以及转换器，其包含与所述RF源的输出连通的输入、第一输出和第二输出。所述转换器被设置成将所述输入选择性连接至所述第一输出和所述第二输出中的一者。与所述多信号RF源的所述第一输出连通的RF产生器被设置成在所述处理室中产生等离子体。与所述多信号RF源的所述第二输出连通的远程等离子体产生器被设置成供应远程等离子体至所述处理室。
[0008]在其他特征中，所述多信号RF源还包含滤波器，所述滤波器与所述第一输出连接并且不与所述第二输出连接。所述RF产生器被连接至所述滤波器。
[0009]在其他特征中，所述RF源供应周期信号。所述滤波器包含低通滤波器以使所述RF源的所述输出的基频通过。所述滤波器包含带通滤波器以使所述RF源的所述输出的至少一个谐波通过并且阻止所述RF源的所述输出的另一谐波。
[0010]在其他特征中，控制器被设置成控制所述RF产生器、所述远程等离子体产生器以
及所述转换器。所述控制器被设置成：将所述转换器的状态设定为第一状态和第二状态中的一者；当所述第一转换器在所述第一状态时，使所述转换器连接所述RF源至所述第一输出且不将所述RF源连接至所述第二输出；以及当所述第一转换器在所述第二状态时，使所述转换器将所述RF源切换连接至所述第二输出且不将所述RF源连接至所述第一输出。
[0011]一种在用于处理衬底的衬底处理系统中供应射频(RF)功率的方法包含：提供RF源和转换器，所述转换器包含与所述RF源的输出连通的输入、第一输出和第二输出；将被设置成在所述处理室中产生等离子体的RF产生器连接至所述多信号RF源的所述第一输出；将被设置成供应远程等离子体以清洁所述处理室的远程等离子体产生器连接至所述多信号RF源的所述第二输出；以及使用所述转换器将所述输入选择性连接至所述第一输出和所述第二输出中的一者。
[0012]在其他特征中，所述方法还包含：供应第一气体混合物至所述处理室；以及供应第二气体混合物至所述远程等离子体产生器。所述方法还包含将滤波器设置于所述转换器的所述第一输出和所述RF产生器之间。
[0013]所述方法包含使用所述RF源供应周期信号。所述方法包含使用所述滤波器，使所述RF源所述输出的基频通过。所述方法包含使用所述滤波器，使所述RF源的所述输出的至少一个谐波通过以及阻止所述RF源的所述输出的另一谐波。
[0014]在其他特征中，所述方法包含：将所述转换器的状态设定为第一状态和第二状态中的一者；当所述第一转换器在所述第一状态时，将所述RF源连接至所述第一输出且不将所述RF源连接至所述第二输出；以及当所述第一转换器在所述第二状态时，将所述RF源连接至所述第二输出且不将所述RF源连接至所述第一输出。
[0015]一种在用于处理衬底的衬底处理系统中供应射频(RF)功率的方法包含：提供RF源；将功率从所述RF源选择性地供应至RF产生器，同时不将功率从所述RF源供应至远程等离子体产生器，其中，所述RF产生器被设置成供应RF功率到所述处理室中的部件；以及将功率从所述RF源选择性地供应至所述远程等离子体产生器，同时不将功率从所述RF源供应至所述RF产生器，其中，所述远程等离子体产生器被设置成供应远程等离子体至所述处理室。
[0016]在其他特征中，所述方法包含：供应第一气体混合物至所述处理室；以及供应第二气体混合物至所述远程等离子体产生器。所述方法包含使用所述RF源供应周期信号。所述方法包含将所述RF源的输出的基频传送至所述RF产生器。所述方法包含将所述RF源的输出的至少一谐波传送至所述RF产生器，同时阻止所述RF源的所述输出的另一谐波到达所述RF产生器。
[0017]根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
[0018]根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
[0019]图1为包含RF产生器和远程等离子体产生器的衬底处理系统的示例性的功能框图；
[0020]图2为根据本公开的包含共享RF源的RF产生器和远程等离子体产生器的衬底处理系统的示例性的功能框图；以及
[0021]图3为操作图2的RF源的方法的示例的流程图。
[0022]在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
[0023]衬底处理系统的不同部件可能需要RF信号源以供应RF信号。有时，在衬底处理系统操作期间并不会同时操作这些部件。举例而言，在衬底处理期间产生等离子体的RF产生器以及供应远程等离子体以进行室清洁的远程等离子体产生器一般并不会同时操作。
[0024]为了降低系统成本，根据本公开的RF源在第一时段期间将第一RF信号供应至衬底处理系统的第一部件；而在第二时段期间将第二RF信号供应至衬底处理系统的第二部件(其中第一及第二时段没有重叠)。换句话说，RF源是时分复用的。因此，只需要一个RF源来供应衬底处理系统的两个或更多个部件，且可以消除与至少一个RF源相关的成本。
[0025]在某些示例中，第一RF信号和第二RF信号具有相同频率但是不同类型的波形。在其他示例中，第一RF信号与第二RF信号相同。在另外其他的示例中，第一RF信号和第二RF信号具有不同频率且不同类型的波形。
[0026]在某些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多信号射频(RF)源，其包含：RF源；以及转换器，其包含与所述RF源的输出连通的输入、第一输出和第二输出，其中所述转换器被设置成将所述输入选择性连接至所述第一输出和所述第二输出中的一者；RF产生器，其与所述多信号RF源的所述第一输出连通，且被设置成产生等离子体；以及远程等离子体产生器，其与所述多信号RF源的所述第二输出连通，且被设置成供应远程等离子体。2.根据权利要求1所述的多信号RF源，其中：所述多信号RF源还包含滤波器，所述滤波器与所述第一输出连接并且不与所述第二输出连接；以及所述RF产生器被连接至所述滤波器。3.根据权利要求2所述的多信号RF源，其中所述RF源供应周期信号。4.根据权利要求2所述的多信号RF源，其中所述滤波器使所述RF源的所述输出的基频通过。5.根据权利要求2所述的多信号RF源，其中所述滤波器使所述RF源的所述输出的至少一个谐波通过并且阻止所述RF源的所述输出的另一谐波。6.根据权利要求1所述的多信号RF源，其还包含控制器，所述控制器被设置成控制所述RF产生器、所述远程等离子体产生器以及所述转换器。7.根据权利要求6所述的多信号RF源，其中所述控制器被设置成：将所述转换器的状态设定为第一状态和第二状态中的一者；当所述第一转换器在所述第一状态时，使所述转换器连接所述RF源至所述第一输出且不将所述RF源连接至所述第二输出；以及当所述第一转换器在所述第二状态时，使所述转换器将所述RF源切换连接至所述第二输出且不将所述RF源连接至所述第一输出。8.一种衬底处理系统，其包含：根据权利要求1所述的多信号射频(RF)源，处理室；以及气体输送系统，其被设置成选择性供应第一气体混合物至所述处理室，以及供应第二气体混合物至所述远程等离子体产生器。9.一种供应射频(RF)功率的方法，其包含：提供RF源和转换器，所述转换器包含与所述RF源的输出连通的输入、第一输出和第二输出；将被设置成在所述处理室中产生等离子体的RF产生器连接至所述多信号RF源的所述第一输出；将被设置成供应远程等离子体以清洁所述处理室的远程等离子体产生器连接至所述多信号RF源的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃勒，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：