一种用于防止器械丢失的防分离器制造技术

本实用新型专利技术适用于电子监测技术改进领域，提供了一种用于防止器械丢失的防分离器，所述用于防止器械丢失的防分离器包括壳体，设于所述壳体内的防分离系统，所述防分离系统包括处理器MCU、报警单元、数据传输单元、按键单元及供电单元，所述处理器MCU及RFID连接所述数据传输单元双向通信，所述按键单元的输出端连接所述处理器MCU及RFID的输入端，所述处理器MCU及RFID的输出端连接所述报警单元的输入端，所述供电单元分别电性连接所述处理器MCU及RFID、数据传输单元及报警单元。该防分离器结构简单、使用方便、能够有效的防止器械的丢失，使得节省了成本。使得节省了成本。使得节省了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于防止器械丢失的防分离器


[0001]本技术属于电子监测技术改进领域，尤其涉及一种用于防止器械丢失的防分离器。

技术介绍

[0002]随着智能技术的发展，推出了众多的智能消费产品。对智能设备而言，使用多种传感器来获取用户的信息。在智能设备的基础组成上，一般是通过可插拔的数据线连接人工智能模块和传感器，随着智能化的广泛应用，在很多行业中都开始尝试着使用，在各个行业中也在摸索着使用，争取将这种智能化也在本行业中得到很好的发展，在一些建筑建设、工矿铁路等行业中也是可以引进使用的，在这些行业中使用的一些器具中使用，将器具中加设一个电子编码就可以进行追踪，而这种追踪只是单方面的追踪，不能自主识别，产生报警，因为没有这样的设备进行监管这些器具的。
[0003]为了有效的监管这些设备，需要一款防分离的设备或装置来对器具进行监管。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于防止器械丢失的防分离器，旨在解决没有设备对使用器具进行监管的技术问题。
[0005]本技术是这样实现的，一种用于防止器械丢失的防分离器，所述用于防止器械丢失的防分离器包括壳体，设于所述壳体内的防分离系统，所述防分离系统包括处理器MCU、报警单元、数据传输单元、按键单元及供电单元，所述处理器MCU及RFID连接所述数据传输单元双向通信，所述按键单元的输出端连接所述处理器MCU及RFID的输入端，所述处理器MCU及RFID的输出端连接所述报警单元的输入端，所述供电单元分别电性连接所述处理器MCU及RFID、数据传输单元及报警单元。
[0006]本技术的进一步技术方案是：所述报警单元包括声音报警模块、发光报警模块、指示灯模块及振动报警模块，所述声音报警包括喇叭BZ1、二极管D12、三极管Q4级电阻R46，所述电阻R46的一端连接所述三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极分别连接所述二极管D12的阳极及喇叭BZ1的负极，所述喇叭BZ1的正极及二极管D12的阴极分别连接所述电源VDD3V3。
[0007]本技术的进一步技术方案是：所述发光报警模块包括电阻R21、电阻R22、电阻R23及发光二极管LED3，所述电阻R21的一端、电阻R22的一端、电阻R23的一端分别连接所述发光二极管LED3的阴极，所述发光二极管LED3的阳极连接电源VDD3V3。
[0008]本技术的进一步技术方案是：所述振动报警模块包括电阻R1、二极管D1、MOS管Q1、振动电机M1、电阻R1及电阻R5，所述MOS管Q1的栅极连接所述电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接所述电阻R5的一端，所述MOS管Q1的源极分别连接所述振动电机M1的负极及二极管D1的阳极，所述二极管D1放入阴极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端及振动电机M1的正极分别连接电源VDD3V3。
[0009]本技术的进一步技术方案是：所述指示灯模块包括电阻R2、电阻R3、发光二极管D4、发光二极管D5、三极管Q2、三极管Q3、电阻R7、电阻R8、电阻R9及电阻R10，所述电阻R2的一端及电阻R3的一端分别连接电源VDD3V3，所述电阻R2的另一端连接所述发光二极管D4的阳极，所述发光二极管D4的阴极连接所三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的基极分别连接所述电阻R7的一端及电阻R9的一端，所述电阻R3的另一端连接所述发光二极管D5的阳极，所述发光二极管D5的阴极连接所三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极分别连接所述电阻R8的一端及电阻10的一端。
[0010]本技术的进一步技术方案是：所述数据传输单元包括芯片U7、SIM卡座J3、电容C30、二极管D10、二极管D7、二极管D8、二极管D9、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电容C31、电阻R44、发光二极管D11、三极管Q6、电阻R33、电阻R35、电阻R37、三极管Q5、电阻R32、电阻R34、电阻R36、电阻R43、电容C39、电容C32、电容C33、电容C35、电容36、电容C34、电容C37、电阻R38、电阻R39、三极管Q7、三极管Q8、天线AE2及电阻R45，所述芯片U7的第6脚连接所述电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端连接所述发光二极管D11的阴极，所述发光二极管D11的阳极连接电源VDD3V3，所述芯片U7的第7脚连接所述电容C31的一端，所述电容C31的另一端分别连接所述芯片U7的第8、9、10脚及接地，所述芯片U7的第14脚分别连接所述二极管D10的一端、电容C30的一端及SIM卡座J3的第1脚，所述芯片U7的第15脚连接所述电阻R40的一端，电阻R40的另一端分别连接所述二极管D7的一端及SIM卡座J3的第4脚，所述芯片U7的第16脚连接所述电阻R41的一端，所述电阻R41的另一端分别连接所述二极管D8的一端及SIM卡座J3的第3脚，所述芯片U7的第17脚连接所述电阻R42的一端，所述电阻R42的另一端分别连接所述二极管D9的一端及SIM卡座J3的第2脚，所述芯片U7的第20脚连接所述三极管Q7的集电极，所述三极管Q7的基极连接所述电阻R38的一端，所述芯片U7的第21脚连接所述三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极连接所述电阻R39的一端，所述芯片U7的第49脚分别连接所述电容C34的一端及电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端分别连接所述电容C37的一端及天线AE2，所述芯片U7的第57、58、59、60脚的每一脚分别连接所述电容C39的正极、电容C32的正极、电容C33的正极、电容C35的正极及电容C36的正极，所述芯片U7的第65脚经所述电阻R43接地，所述芯片U7的第67脚分别连接所述电阻R36的一端及三极管Q5的发射极，所述三极管Q5的集电极连接所述电阻R32的一端，所述三极管Q5的基极连接所述电阻R34的一端，所述芯片U7的第68脚分别连接所述电阻R37的一端及三极管Q6的集电极，所述三极管Q6的发射极连接所述电阻R33的一端，所述三极管Q6的基极连接所述电阻R35的一端。
[0011]本技术的进一步技术方案是：所述处理器MCU及RFID包括芯片U4、芯片U5、芯片U6、芯片U9、电阻R30、接线端子J1、电容C14、电容C12、电容C13、电容C15、晶振Y1、电容C17、电容C38、电阻R29、电容C1、电容C25、电容C23、电容C22、电容C24、电感L6、电感L7、电感L9、电感L10、电阻R47、电容C41、电容C42、天线AE1级电阻R31，所述芯片U4的第1脚分别连接所述电容C12的一端及电容C13的一端，所述芯片U4的第12脚连接所述电容C14的一端，所述芯片U4的第23脚连接所述接线端子J2的第3脚，所述芯片U4的第24脚分别连接所述电阻R30的一端及接线端子J2的第2脚，所述接线端子J2的第1脚连接所述电阻R30的另一端，所述芯片U4的第17脚连接所述芯片U6的第8脚，所述芯片U4的18脚连接所述芯片U6的第9脚，所述芯片U6的第1脚连接所述电阻R31的一端，所述芯片U6的第2脚连接所述电阻R31的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于：所述用于防止器械丢失的防分离器包括壳体，设于所述壳体内的防分离系统，所述防分离系统包括处理器MCU、报警单元、数据传输单元、按键单元及供电单元，所述处理器MCU及RFID连接所述数据传输单元双向通信，所述按键单元的输出端连接所述处理器MCU及RFID的输入端，所述处理器MCU及RFID的输出端连接所述报警单元的输入端，所述供电单元分别电性连接所述处理器MCU及RFID、数据传输单元及报警单元。2.根据权利要求1所述的用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于，所述报警单元包括声音报警模块、发光报警模块、指示灯模块及振动报警模块，所述声音报警包括喇叭BZ1、二极管D12、三极管Q4级电阻R46，所述电阻R46的一端连接所述三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极分别连接所述二极管D12的阳极及喇叭BZ1的负极，所述喇叭BZ1的正极及二极管D12的阴极分别连接电源VDD3V3。3.根据权利要求2所述的用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于，所述发光报警模块包括电阻R21、电阻R22、电阻R23及发光二极管LED3，所述电阻R21的一端、电阻R22的一端、电阻R23的一端分别连接所述发光二极管LED3的阴极，所述发光二极管LED3的阳极连接电源VDD3V3。4.根据权利要求3所述的用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于，所述振动报警模块包括电阻R1、二极管D1、MOS管Q1、振动电机M1、电阻R1及电阻R5，所述MOS管Q1的栅极连接所述电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接所述电阻R5的一端，所述MOS管Q1的源极分别连接所述振动电机M1的负极及二极管D1的阳极，所述二极管D1放入阴极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端及振动电机M1的正极分别连接电源VDD3V3。5.根据权利要求4所述的用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于，所述指示灯模块包括电阻R2、电阻R3、发光二极管D4、发光二极管D5、三极管Q2、三极管Q3、电阻R7、电阻R8、电阻R9及电阻R10，所述电阻R2的一端及电阻R3的一端分别连接电源VDD3V3，所述电阻R2的另一端连接所述发光二极管D4的阳极，所述发光二极管D4的阴极连接所三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的基极分别连接所述电阻R7的一端及电阻R9的一端，所述电阻R3的另一端连接所述发光二极管D5的阳极，所述发光二极管D5的阴极连接所三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极分别连接所述电阻R8的一端及电阻10的一端。6.根据权利要求5所述的用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于，所述数据传输单元包括芯片U7、SIM卡座J3、电容C30、二极管D10、二极管D7、二极管D8、二极管D9、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电容C31、电阻R44、发光二极管D11、三极管Q6、电阻R33、电阻R35、电阻R37、三极管Q5、电阻R32、电阻R34、电阻R36、电阻R43、电容C39、电容C32、电容C33、电容C35、电容36、电容C34、电容C37、电阻R38、电阻R39、三极管Q7、三极管Q8、天线AE2及电阻R45，所述芯片U7的第6脚连接所述电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端连接所述发光二极管D11的阴极，所述发光二极管D11的阳极连接电源VDD3V3，所述芯片U7的第7脚连接所述电容C31的一端，所述电容C31的另一端分别连接所述芯片U7的第8、9、10脚及接地，所述芯片U7的第14脚分别连接所述二极管D10的一端、电容C30的一端及SIM卡座J3的第1脚，所述芯片U7的第15脚连接所述电阻R40的一端，电阻R40的另一端分别连接所述二极管D7的一端及SIM卡座J3的第4脚，所述芯片U7的第16脚连接所述电阻R41的一端，所述电阻R41的另一端分别连接所述二极管D8的一端及SIM卡座J3的第3脚，所述芯片U7的第17脚连接所述电阻R42的一
端，所述电阻R42的另一端分别连接所述二极管D9的一端及SIM卡座J3的第2脚，所述芯片U7的第20脚连接所述三极管Q7的集电极，所述三极管Q7的基极连接所述电阻R38的一端，所述芯片U7的第21脚连接所述三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极连接所述电阻R39的一端，所述芯片U7的第49脚分别连接所述电容C34的一端及电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端分别连接所述电容C37的一端及天线AE2，所述芯片U7的第57、58、59、60脚的每一脚分别连接所述电容C39的正极、电容C32的正极、电容C33的正极、电容C35的正极及电容C36的正极，所述芯片U7的第65脚经所述电阻R43接地，所述芯片U7的第67脚分别连接所述电阻R36的一端及三极管Q5的发射极，所述三极管Q5的集电极连接所述电阻R32的一端，所述三极管Q5的基极连接所述电阻R34的一端，所述芯片U7的第68脚分别连接所述电阻R37的一端及三极管Q6的集电极，所述三极管Q6的发射极连接所述电阻R33的一端，所述三极管Q6的基极连接所述电阻R35的一端。7.根据权利要求6所述的用于防止器械丢失的防分离器，其特征在于，所述处理器MCU及RFID包括芯片U4、芯片U5、芯片U6、芯片U9、电阻R30、接线端子J1、电容C14、电容C12、电容C13、电容C15、晶振Y1、电容C17、电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓鹏，张峰，文章勇，郑强，余淮鲲，
申请(专利权)人：中铁一局集团有限公司，
类型：新型
国别省市：