敏感性光罩制造技术

本发明专利技术提供一种敏感性光罩，该光罩至少由石英层和覆盖在石英层表面的铬构成，其中，该光罩的石英层厚度大于０．５ｍｍ，且铬的厚度为８００Ａ。所述光罩的透光率为４０％至６０％。所述光罩的图形类型为线和空格相间隔。所述光罩图形中线和空格的比率为１．０／１０．０至１．０／５．０。所述光罩的图形线条大小为１．０ｕｍ至１．６ｕｍ。与现有技术相比，本发明专利技术的敏感性光罩具备特定的厚度，透光率，图性类型以及图形线条大小，在相同的条件下，敏感性光罩可以比现有光罩更快地生长结晶体，以便更早地在后续制程采取补救措施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光罩，具体地说，涉及一种敏感性光罩。技术背景曝光过程中，光罩的质量影响到整个图形成形的质量，在光罩的制造工艺 中，通常会涉及硫酸，硝酸等化学品，由于这些化学品的存在，光罩中会遗留 一些细小原子。当潜伏有细小原子的光罩在曝光的过程受到光照后，这些细小 原子会与空气中的离子结合形成一些结晶体，这些结晶体会造成曝光后的晶圓 上出现坏点。目前光罩的制造工艺不能避免产生细小原子，但是如果越早发现这些存在 细小原子的光罩，就可以在后续制程中采取补救措施。然而，现有技术不能很 及时地发现存在细小原子的光罩，从而造成后续制程存在潜在的风险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种敏感性光罩，该光罩可以更快地生长结晶体。 为实现上述目的，本专利技术提供一种敏感性光罩，该光罩至少由石英层和覆盖在石英层表面的铬构成，其中，该光罩的石英层厚度大于0.5mm,且铬的厚 度为800A。所述光罩的透光率为40%至60%。所述光罩的图形类型为线和空格相间隔。所述光罩图形中线和空格的比率为1.0/10.0至1.0/5.0。所述光罩的图形线条大小为l.Oum至1.6um。与现有技术相比，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种敏感性光罩，该光罩至少由石英层和覆盖在石英层表面的铬构成，特征在于：该光罩的石英层厚度大于０．５ｍｍ，且铬的厚度为８００Ａ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金坡，张轶楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]