一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURFLDMOS器件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱，N型横向变掺杂顶层区和P型横向变掺杂顶层区，N型横向变掺杂顶层区设置在P型横向变掺杂顶层区之上，在N型横向变掺杂顶层区和P型横向变掺杂顶层区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小；在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。

【技术实现步骤摘要】
一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件


[0001]本专利技术属于功率半导体器件
，更加具体地说，涉及一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件。

技术介绍

[0002]LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)是一种横向双扩散结构功率器件，其源、漏、栅极都在芯片表面，易于与其它电路相集成，且耐压可以做的较高，因而在高压功率集成电路中较为常用。高压LDMOS因兼容CMOS与BCD工艺，具有工作电压高、工艺相对简单等优点，使其在汽车电子，电源管理，工业控制，电机驱动，家用电器等高压电路中有广泛的应用。但是高压LDMOS的比导通电阻随着击穿电压的增加而以2.5次方的速度增加，导致其在超高压领域的应用受到极大的限制。目前对于高耐压功率LDMOS的优化目标有两个：提高击穿电压和降低导通电阻。
[0003]现有的LDMOS器件主要采用降低表面电场(RESURF)技术来缓解击穿电压与导通电阻的矛盾关系。RESURF技术可以提高漂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱，在深N阱中设置深P阱，N阱，N型横向变掺杂顶层区和P型横向变掺杂顶层区，N型横向变掺杂顶层区设置在P型横向变掺杂顶层区之上，在N型横向变掺杂顶层区和P型横向变掺杂顶层区中，由靠近源端到靠近漏端，掺杂浓度逐渐减小；在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面。2.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，器件表面采用二氧化硅层隔离。3.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，深N阱注入磷离子，掺杂剂量为5
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，注入能量为70Kev-90Kev，退火时间为1000min-2400min。4.根据权利要求1所述的一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件，其特征在于，P型横向变掺杂顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦玉香，张冰莹，陈亮，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：