一种TVS保护器件制造技术

本实用新型专利技术揭示一种TVS保护器件，在所述的TVS的掺杂区内引入空隙，形成多个规律排布的PN结，使增加的PN结侧面面积远大于减少的底面面积。该器件在不改变原本尺寸和工艺的情况下提高了抗浪涌能力。本实用新型专利技术无需增加额外成本和工艺复杂度，只需改变掩模版的图形，实际可提高30%的抗浪涌能力，就可以有效地提高器件性能。器件性能。器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种TVS保护器件


[0001]本技术涉及二极管形式的高效能保护器件
，特别涉及一种双向瞬态电压抑制器。

技术介绍

[0002]瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressors，简称TVS)是一种箝位过压保护器件。当其两极受到反向瞬态高能量冲击时，能够以10-12
秒量级的速度将两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，将浪涌电压箝位在一个比较低的电压水平，使后端集成电路免受过静电放电或浪涌电压的损伤。其主要应用于各类接口电路中，如手机、电脑、路由器中均存在大量的TVS保护器件。
[0003]传统双向TVS器件结构，如图9、10所示，包含P型衬底101
’
、氧化层102
’
、N型掺杂区103
’
和金属电极104
’
。
[0004]电子产品的不断迭代对TVS保护器件的浪涌电压保护能力提出了更高的要求。增大芯片面积是目前提高TVS器件的浪涌保护能力的主要方法，这不仅增加制造成本，而且违背电子产品便携和微型化的发展本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TVS保护器件，包含P型衬底、氧化层、N型掺杂区、金属电极，其特征在于，在所述的N型掺杂区内引入空隙，使其形成多个规律排布的PN结，使增加的PN结侧面面积远大于减少的N型掺杂区的底面面积。2.根据权利要求1所述的一种TVS保护器件，其特征在于：所述器件上、下表面均掺杂，且上下两面的N型掺杂区内的空隙形状对称，使形成的上下表面的各PN结对称，构成双向TVS器件。3.根据权利要求1或2所述的一种TVS保护器件，其特征在于：所述的空隙上方留...

【专利技术属性】
技术研发人员：范炜盛，单少杰，魏峰，王帅，张英鹏，赵鹏，范婷，郑彩霞，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：