静电放电防护装置与方法制造方法及图纸

技术编号:27432929 阅读:39 留言:0更新日期:2021-02-25 03:09
静电放电防护装置包含第一箝位电路、第二箝位电路以及二极管电路。第一箝位电路耦接于第一电源轨与第二电源轨之间。第二箝位电路耦接于第三电源轨与第二电源轨之间。二极管电路用以导向来自输入输出垫的静电放电电流至第一箝位电路或第三电源轨中的至少一者。其中第一电源轨接收第一电压,第二电源轨接收第二电压,第三电源轨接收第三电压,第三电压高于第一电压,且第一电压高于第二电压。本案一些实施例提供的静电放电防护装置与方法可提供一组具有更低工作电压与更低内阻的箝位电路,以提升静电放电防护装置的效能。提升静电放电防护装置的效能。提升静电放电防护装置的效能。

【技术实现步骤摘要】
静电放电防护装置与方法


[0001]本案是有关于一种静电放电防护装置,且特别是有关于采用中值电压的静电放电防护装置与方法。

技术介绍

[0002]一般而言,集成电路由一或多个晶体管实现。随着制程发展,晶体管的尺寸越来越小。为了避免静电放电所造成的过度电压应力造成的损坏,通常会使用静电放电防护电路来保护集成电路免于静电放电的伤害。在现有的技术中,考量到耐压,静电放电防护电路皆以输入输出晶体管实施。如此,静电放电防护电路中的放电路径的内阻可能较高,而降低静电放电防护电路的效能。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题,本案的一些态样是于提供一种静电放电防护装置,其包含第一箝位电路、第二箝位电路以及二极管电路。第一箝位电路耦接于一第一电源轨与一第二电源轨之间。第二箝位电路耦接于一第三电源轨与该第二电源轨之间。二极管电路用以导向来自一输入输出垫的一静电放电电流至该第一箝位电路或该第三电源轨中的至少一者。其中该第一电源轨接收一第一电压,该第二电源轨接收一第二电压,该第三电源轨接收一第三电压,该第三电压高于该第一电压,且该第一电压高于该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电防护装置,其特征在于,包含:一第一箝位电路,耦接于一第一电源轨与一第二电源轨之间;一第二箝位电路,耦接于一第三电源轨与该第二电源轨之间;以及一二极管电路,用以导向来自一输入输出垫的一静电放电电流至该第一箝位电路或该第三电源轨中至少一者,其中该第一电源轨接收一第一电压,该第二电源轨接收一第二电压,该第三电源轨接收一第三电压,该第三电压高于该第一电压,且该第一电压高于该第二电压。2.根据权利要求1所述的静电放电防护装置,其特征在于,该第一箝位电路由多个核心晶体管实施,且该第二箝位电路由多个输入输出晶体管或由多个堆叠核心晶体管实施。3.根据权利要求1所述的静电放电防护装置,其特征在于,该第一电压为该第三电压的2/3~3/4倍。4.根据权利要求1所述的静电放电防护装置,其特征在于,该第一箝位电路的一放电能力高于该第二箝位电路的一放电能力。5.根据权利要求1所述的静电放电防护装置,其特征在于,该第一箝位电路的一内阻低于该第二箝位电路的一内阻。6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电放电防护装置,其特征在于,该二极管电路包含:一第一二极管,其中该第一二极管的阳极耦接至该输入输出垫,且该第一二极管的阴极耦接至该第一电源轨;一第二二极管,其中该第二二极管的阳极耦接至该第一电源轨,且该第二二极管的阴极耦接至该第三电源轨;以及一第三二极管,其中该第三二极管的阳极耦接至该第二电源轨,且该第三二极管的阴极耦接至该输入输出垫。7.根据权利要求6所述的静电放电防护装置,其特征在于,该静电放电电流经由该第一二极管导向至该第一箝位电路,或依序经由该第一二极管与该第二二极管导向至该第三电源轨。8.根据权利要求1至5中任一项所述的静电放电防护装置,其特征在于,该二极管电路包含:一第一二极管,其中该第一二极管的阳极耦接至该输入输出垫,且该第一二极管的阴极耦接至该第一电源轨;一第二二极管,其中该第二二极管的阳极耦接至该输入输出垫,且该第二二极管的阴极耦接至该第三电源轨;以及一第三二极管,其中该第三二极管的阳极耦接至该第二电源轨,且该第三二极管的阴极耦接至该输入输出垫。9.根据权利要求8所述的静电放电防护装置,其特征在于,该静电放电电流经由该第一二极管导向至该第一箝位电路,或经由该第二二极管导向至该第三电源轨。10.根据权利要求1至5中任一项所述的静电放电防护装置,其特征在于,该二极管电路包含:一第一二极管,其中该第一二极管的阳极耦接至该输入输出垫,且该第一二极管的阴
极耦接至该第一电源轨;一第二二极管,其中该第二二极管的阳极耦接至该第二电源轨,且该第二二极管的阴极耦接至该第三电源轨;以及一第三二极管,其中该第三二极管的阳极耦接至该第二电源轨,且该第三二极管的阴极耦接至该输入输出垫。11.根据权利要求10所述的静...

【专利技术属性】
技术研发人员:王文泰
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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