【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用来自光源的光对被照明面进行照明的照明 光学系、曝光装置、及器件制造方法，特别是涉及使用短波长的光来 照明绘有图案的标线片(掩模)的照明光学系。本专利技术适用于在用于 制造半导体元件、液晶显示元件、摄像元件(CCD等)或薄膜磁头等 的光刻工序的投影曝光装置。
技术介绍
在半导体元件制造工序的光刻工序中，使用曝光装置。光刻工序 为将半导体元件的电路图案投影转印到成为半导体元件的基板(硅基板等)上的工序。近年来，对半导体元件的微细化的要求不断提高，线和空间的最 小线宽希望突破0.15pm达到0.10nm。为了实现微细化，用于光刻工 序的投影曝光装置的析像能力的提高成为近年的大课题。一般在光刻工序中可析像的线宽R使用曝光光源的波长人、曝光 装置的数值孔径NA、比例常数kl用下式表示。因此，如减小波长X，则可析像的线宽R与波长成比例地减小， 如提高数值孔值，则成为反比例，可析像的线宽R减小。为此，近年 来，曝光光源的短波长化和高NA化得到进展，现在主流的投影曝光装置的曝光光源为波长248nm的KrF受激准分子激光器，但使用膝 光波长短的ArF受激准分...
【技术保护点】
一种照明光学系，使用来自光源的光来照明被照明面，其特征在于，具备： 用于调整上述光的偏振光状态的偏振光元件；以及 配置在上述偏振光元件和上述被照明面之间的反射镜， 向上述反射镜的光线入射角度是４５度±３０度。
【技术特征摘要】
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